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World File Search System磺基硫酮
鉴定出一种可用于治疗恰加斯病的蛋白酶体靶向芳基磺酰胺
摘要 表型筛选鉴定出一种芳基磺酰胺化合物，对查加斯病的病原体克氏锥虫具有活性。全面的作用模式研究表明，这种化合物主要针对克氏锥虫蛋白酶体，结合在催化糜蛋白酶样活性的 b 4 和 b 5 亚基之间的界面上。蛋白酶体 b 5 亚基的突变与对化合物 1 的抗性有关，而这种突变亚基的过度表达也会降低对化合物 1 的敏感性。进一步通过基因工程和体外筛选的对已知结合在 b 4/b 5 界面的蛋白酶体抑制剂有抗性的克隆对化合物 1 具有交叉抗性。此外，还发现泛素化蛋白质在用化合物 1 处理的上鞭毛体中积聚。最后，热蛋白质组分析确定苹果酸酶是化合物 1 的次要靶点，尽管未发现抑制苹果酸酶可提高药效。这些研究确定了一种能够抑制克氏锥虫蛋白酶体的新型药效团，可用于发现抗恰加斯病药物。
湿地植物从水中清除磺酰胺
磺酰胺由于其抗菌特性和低成本而广泛用于临床和畜牧业。但是，磺酰胺不能被人体或动物完全吸收，50％ - 90％将从人体中排出，并通过多种方式进入水域和土壤，从而造成环境心理伤害。植物修复作为一种绿色的原位修复技术已被证明有效地在去除磺酰胺中有效，但是潜在的机制仍然是一个需要进一步研究的问题。为了探索SAS去除与植物之间的关系（S. valius），根源从植物中分泌的根和微型Ganism，研究进行了一系列实验，并使用结构方程模型来量化湿地植物中磺酰胺去除的途径。植物治疗组中磺酰胺的去除率（77.6-92％）明显高于根渗出液治疗组（25.7 - 36.3％）和水处理组（16.3 - 19.6％）。植物摄取（λ1= 0.72 - 0.77）和微生物降解（λ2= 0.31 - 0.38）是去除磺酰胺的最重要途径。可以通过植物的积累，吸附和代谢直接去除磺酰胺。同时，植物可以通过促进微生物降解来间接去除磺酰胺。这些结果将促进我们对植物修复中磺酰胺去除效率的基本机制的理解和提高。
囊泡单胺转运体 2 (VMAT2) 抑制剂
表 2. 可用的第一代和第二代抗精神病药 第一代（典型）抗精神病药 氯丙嗪 氟奋乃静 氟哌啶醇 洛沙平 奋乃静 匹莫齐特 噻沃噻吨 硫利达嗪 三氟拉嗪 第二代（非典型）抗精神病药 阿立哌唑 阿塞那平 布瑞哌唑 卡利拉嗪 氯氮平 伊潘立酮 鲁拉西酮 奥氮平 帕利哌酮 匹莫范色林 喹硫平 利培酮 齐拉西酮
有机硫在锂硫电池中的研究进展及展望
锂硫电池 (LSB) 是后 LIBs 技术最有前途的候选者之一。[10–12] 在 LSB 中，通过硫和锂之间的多电子反应可实现 1675 mAh g −1 的理论容量。放电过程中会出现两个不同的电压平台。在较高的电压平台（约 2.3 V）下，S 的最稳定的同素异形体 S 8 的环状结构被破坏，形成长链多硫化锂；一开始是 Li 2 S 8 ，然后进一步还原为 Li 2 S 6 和 Li 2 S 4 。在较低的电压平台（约 2.1 V），长链多硫化锂进一步还原为 Li 2 S 2 和 Li 2 S。[13,14] 除了理论容量高之外，地球上 S 的储量丰富、价格低廉以及环境友好等特性使得 LSB 比 LIB 更便宜。然而，LSB 的工业化进程中仍存在一些障碍。[15,16] 首先，S 和放电产物 Li 2 S 本质上都是绝缘的（≈ 5 × 10 − 30 S cm − 1）。电极材料的低电导率会影响电池的电化学性能，尤其是在高电流密度下。其次，充放电过程中体积变化大会导致安全性和稳定性问题。由于 S 和 Li 2 S 的密度差异，当 S 转移到 Li 2 S 时，体积变化将高达 75%。最后，臭名昭著的穿梭效应会进一步导致性能下降。充放电过程中形成的多硫化锂可溶于电解液。这些中间体在正极和负极之间穿梭，并通过公式（1）和（2）所示的化学反应或电化学反应与电极材料发生反应，导致锂负极的消耗和“死”硫的形成，最终导致库仑效率和稳定性降低。
1 厚 空 基 公 示 第 28号 令 和 6 年 7 月 5日 ...
此外，未成年人、被监护人或接受协助的人，即使已经取得订立合同所必需的同意，也属于同一条款内有特殊事由的情况。 （2）不属于预算会计令第71条规定情形的人。 （三）未受过国防部的停职或者其他措施。 （4）经营状况或信用状况未显著恶化，且已签订正当合同的人
1 厚 空 基 公 示 第 27号 令 和 6 年 5 月 27日 ...
此外，未成年人、被监护人或接受协助的人，即使已经取得订立合同所必需的同意，也属于同一条款内有特殊事由的情况。 （2）不属于预算会计令第71条规定情形的人。 （三）未受过国防部的停职或者其他措施。 （4）经营状况或信用状况未显著恶化，且已签订正当合同的人
镍基超导体中电荷序的实验研究进展 - 物理学报
图1。ndnio 2中的电荷顺序[24]：（a）从钙钛矿Ndnio 3（灰色）到Infinite-Layer ndnio 2（红色）的还原途径的示意图，具有各种中间状态（蓝色）； （b） - （d）样品J的茎结果，可以在面板（d）中区分根尖氧空位，从而导致Q//≈（1/3，0）在傅立叶变换图像（b）中的超晶格峰； （e）在Q //≈（1/3，0）围绕Ni L 3边缘处的弹性RXS测量，实体和虚线分别是具有σ和π偏振入射X射线的数据； （f）在ND M 5边的RXS测量； （g），（h）带有样品C和D的固定波形的RXS信号的能量依赖性，阴影区域表示标称电荷顺序贡献。黑色和红色箭头突出显示了Ni 3D-RE 5D杂交峰和Ni L 3主共振，样品C的中间状态比样品D较大，从而导致超晶格峰更强。
国防生产和技术基础战略
1.防卫生产技术基础战略的背景 （1）防卫生产技术基础战略的背景和定位 日本的防卫生产技术基础在二战结束后丧失殆尽，在防卫生产技术基础确立后，经历了一段依赖国防力量的时期。日本虽然没有从美国获得物资和贷款，但逐渐开始致力于国防装备的国产化，并于1970年制定了装备生产和发展基本方针（即所谓的“国产化方针”）。上述举措中，政府和私营部门通过许可和研发等方式，致力于国内主要国防装备的生产，并努力加强国防生产和技术基础。因此，该国目前有能力维持必要的基础。是。另一方面，自 20 世纪 90 年代冷战结束以来的 25 年里，由于国防装备的先进性和复杂性，以及军事实力的加强，国家面临着严重的财政困难，单位成本和维护维修费用不断上升。海外企业的竞争力。我们周围的环境已经发生了巨大的变化。 2013年12月，日本制定了第一份国家安全战略，其中指出“为了在有限的资源下，在中长期内稳步发展、维持和运作防卫能力，我们将”。内阁还表示，政府日本将努力有效、高效地获取国防物资，同时维持和加强日本的国防生产和技术基础，包括提高其国际竞争力。2015 财年及以后的防卫计划指南（以下简称“指南”）指出“为了迅速维持和加强日本的国防生产和技术基础，我们将制定日本整个国防生产和技术基础的未来愿景。”政府将制定一项展示其未来愿景的战略。基于上述，本战略取代了“国内生产政策”，指明了今后维持和加强国防生产和技术基础的新方向，旨在加强支撑国防力量和积极和平主义的基础。这将有利于作为实施这一倡议的新指南。国防生产技术基地是国防装备研发、生产、运行、维护、维修的重要支撑力量，是保障国防能力不可或缺的重要环节，其存在对外部威胁具有潜在的威慑力和重大意义，有助于维护并提高谈判能力。此外，该基金会支持的国防装备也将通过国防装备和技术合作，为全球和地区的和平与稳定做出贡献。此外，国防技术预计将通过衍生产品对整个行业产生连锁反应，并有可能推动日本的工业和技术实力。因此，在实现这一战略中，维持和加强国防生产和技术基础，是确保日本国家安全唯一责任的防卫政策，同时也是生产国防装备的民间企业的经济政策考虑到这其中还包含对活动产生连锁反应的产业政策因素，因此不仅需要国防部，还需要相关省厅共同应对这一问题。