“PHI GENESIS”XPS 提供高速、高灵敏度和压倒性的微 XPS 分析性能,具有自动多样品分析和自动样品交换功能。具有改进计数率的高灵敏度分析仪也有助于提高性能。迄今为止,ULVAC-PHI 和 ULVAC-PHI 的子公司 Physical Electronics USA 已经开发出各种世界首创的 XPS 分析技术,包括扫描微 XPS 和 HAXPES(硬 x 射线光电子能谱)、全自动机器人 XPS 分析、全自动绝缘体中和分析、使用集群蚀刻离子枪对有机材料进行深度剖析。所有这些技术都集成到一台仪器中,从而可以为包括金属、半导体、陶瓷和有机材料在内的各种材料提供最先进的 XPS 分析技术。
我们在此报告了脉冲磁流体等离子枪的初步研究,该枪可根据需要在预填充或气体喷射模式下运行。这些模式通过可调节的推力和比冲实现灵活和响应迅速的性能。使用分子氮推进剂的运行表明,磁流体推进器是极低地球轨道空气收集和阻力补偿的候选技术。通过利用推进剂气体动力学改变推进器内的填充率和流动碰撞性,实现双模式运行。这会导致形成不同的模式,这些模式分别以它们允许的电流驱动的磁流体波为特征,即磁爆燃和磁爆轰。这些模式构成了使用气体动力学实现响应迅速的推进器性能的基础。使用飞行时间发射诊断来表征近场流速,我们发现当气体在推进器中膨胀时,模式之间会发生相对剧烈的转变,在爆燃和爆震状态下排气速度分别在 10 到 55 公里/秒之间。处理后的质量位模拟首次让我们看到了推进器的性能以及比冲和推力之间的权衡。预计脉冲位可调性为 ≏ 22%,在突发模式下运行时推进剂填充分数不同。
先进的性能、更低的拥有成本、更高的易用性和紧凑的尺寸是现代实验室和生产设施的关键要求。新的生产技术使赛默飞世尔科技的工程师能够将所有这些优势融入 K-Alpha 的设计中。K-Alpha 专为多用户环境而设计。它是第一款提供全自动分析模式的 XPS 工具,从样品输入到报告生成。内置自动化意味着新用户只需经过最少的培训即可生成高质量的样品分析报告。微聚焦单色仪可最大限度地提高仪器的灵敏度和化学状态测定的精度。新能量分析仪和镜头的设计进一步提高了灵敏度。我们已采用先进的电荷补偿技术来处理绝缘样品。K-Alpha 是所有类型固体样品分析的理想仪器,包括无机、有机、生物、冶金、半导体和磁性。集成离子枪可产生质量卓越的成分深度剖面。样品传输和导航完全自动化。独特的 Reflex Optics 用于实时观察样品,与同轴和漫射样品照明相结合,可实现小面积 XPS 的精确设置。Thermo Scientific Avantage 是我们世界一流的 XPS 数据系统,可控制 K-Alpha 的所有功能。
公司 HeatWave Labs, Inc.,阴极集成系统制造商 SAES 集团宣布签署非约束性意向书 (IoI),以收购 HeatWave Labs, Inc. 的全部股权,该公司目前由创始人 Kim Gunther 全资拥有。HeatWave Labs, Inc. 总部位于加利福尼亚州沃森维尔,是一家工程、设计和制造公司,主要活跃于科学研究和诊断市场,提供阴极、电子和离子枪、加热器和离子泵。如今,HeatWave Labs, Inc. 是 SAES 美国子公司 Spectra-Mat, Inc. 的主要客户之一。此次收购旨在加强 Spectra-Mat, Inc. 的生产能力和垂直整合,以开发更复杂、附加值更高的系统,并在医疗和科学研究领域获得稳固的客户群。此次交易将经过尽职调查程序。根据对现有财务信息的初步分析,该公司的企业价值估计约为 425 万美元。收购价格将在交易结束时以自有资金现金支付。此次交易预计将于夏季结束前完成,但前提是成功完成尽职调查、获得主管企业机构的必要授权以及最终确定所有相关合同协议,包括与创始人 Kim Gunther 的合作协议,以确保业务连续性。HeatWave Labs, Inc. 在 2023 年实现了约 315 万美元的收入,EBITDA 利润率超过 10%。该公司拥有约 8 名员工。
简介:在过去的几十年中,碳纳米材料(例如碳纳米纤维(CNF)和石墨烯)由于其宏伟的特性而引起了强烈的科学兴趣[1,2]。关于石墨烯的大部分研究都是针对合成高质量和大面积石墨烯方法的探索。有希望的方法是脉搏激光沉积和化学蒸气沉积。虽然在理解石墨烯合成方面已经取得了重要成就,但它们的形成机制尚不清楚。现场技术的最新进展现在为研究原子水平研究固相相互作用的新可能性提供了新的可能性。在这里,我们报告了通过原位透射电子显微镜(TEM)直接观察到铜含有铜纳米纤维(CU-CNFS)的结构转化。实验:使用kaufmann型离子枪制造Cu-CNF(iontech。Inc. Ltd.,模型3-1500-100FC)。所使用的样品是尺寸为5x10x100 µm的市售石墨箔。通过在CNFS生长过程中连续供应Cu,在室温下用1 keV ar +离子辐射石墨箔的边缘。在其他地方详细描述了离子诱导的CNF生长机理的细节[3]。然后将Cu-CNF安装在200 kV的TEM(JEM2010,JEOL CO.,JEOL CO.)的阴极微探针上,并研究了Cu-CNFS向石墨烯的结构转化,在电流 - 电压(I-V)测量过程中进行了研究。结果和讨论:在I-V测量过程中,高温是通过Cu-CNF结构中的Joule加热获得的。焦耳CNF的加热导致其表面石墨化,最后在转化为严重扭曲的石墨烯中。tem图像表明,最初,CNF在本质上是无定形的,而I-V过程中的电流流动引起了CNF的晶体结构的急剧变化,形成了石墨烯的薄层(1-3层)。作为结果,在产生的电流大大增加的情况下,改进了结构的电性能,比初始值高1000倍(从10 -8到10 -5 a)。该过程采用三个步骤进行:Cu纳米颗粒的聚集,无定形碳扩散到Cu中,以及在进一步加热下的Cu纳米颗粒的电迁移。