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图尔库市场广场地下停车场
摘要。本文从能源角度介绍了图尔库市场广场地下停车场的案例。还介绍了建筑和历史方面。人口稠密的市中心面临着交通拥堵等诸多挑战。令人不快的当地尾气排放和停车位不足降低了市民和游客的生活条件。因此，图尔库主要市场广场的全面翻新于 2018 年秋季开始。与此同时，市政当局不仅要满足基本需求，还要满足国家和全球环境目标。图尔库的新战略目标之一是到 2029 年成为碳中和城市。因此，该项目基于城市地下空间的大规模可再生资源利用。对可能的技术解决方案进行了研究和分析。现代时代的特点是气候变化，需要采取强有力的措施来阻止全球变暖。热、冷和电力应以碳中和的方式生产。这也不排除加热的多层停车场设施。随着停车容量的增加和找到空位的更容易，预计将达到积极的环境效果。所述图尔库地下停车场在许多方面都是首创的：1）芬兰以前从未有在粘土中挖掘和建造地下停车场；2）它可能是欧洲第一个零碳能源停车场；3）它拥有世界上最大的太阳能热能储存设施。
全市范围的卫生改进和...
a）维多利亚湖 - 坎帕拉水与卫生计划 - LV-Watsan由欧洲开发银行，KFW＆AFD共同资助。b）通过Bill and Melinda Gates Foundation和DFID-UK资助的私营部门主导的模型来改善粪便污泥管理； c）由GIZ资助并由瑞士发展合作（SDC）共同资助的资源回收和安全再利用（RRR），d）行为变化运动BCC（Weyonje）和City-Wid E Cancerusive e-Canceplusive在KCCA的负责人，由KCCA负责，并由Bill和Melinda Gates Foundation等人资助。e）由KCCA监督的塞斯普尔（Cesspool）空位的GIS跟踪和映射，由GIZ和GSMA发起。f）KCCA进行的坎帕拉全市卫生地图/评估，由BMGF资助。g）坎帕拉首都管理局（污水和粪便污泥管理）条例2019。h）坎帕拉粪便污泥管理项目下的服务水平协议框架（塞斯普尔卡车运营商的许可）的运营。i）用于处理与FS相关问题的KCCA免费呼叫中心的安装和操作。j）实施由非洲发展银行（ADB）资助的中央坎帕拉（Kampala）的库格古布教区（Kagugube Parish）的供水和卫生服务的综合项目，2008-2010 K）由世界银行
J-2022-Chem-Mater-钴矿.pdf
摘要：层状缺氧钙钛矿氧化物具有优异的混合离子和电子电导率、快速的氧动力学和成本效率，在作为固体氧化物燃料电池的高效阴极和水氧化阳极方面具有巨大潜力。在工作条件下，由于双钙钛矿 (DP) 的形成，阳离子有序化被认为可以显著增强氧扩散，同时保持结构稳定性，从而吸引了广泛的研究关注。相反，尽管氧空位的引入和相关的空位有序化在调节电子和自旋结构以及区分与 DP 的晶体结构方面起着决定性的作用，却很少在原子尺度上进行研究。在这里，原子分辨率透射电子显微镜用于直接对在 SrTiO 3 基底上生长的 (Pr,Ba)CoO 3 ‑ δ 薄膜中的氧空位进行成像并测量它们的浓度。我们发现，伴随着 Co − O 平面氧空位有序化的存在，A − O（A = Pr/Ba）平面也表现出类似呼吸的晶格调制。具体而言，经第一性原理计算证实，AO − AO 晶面间距与包围 Co − O 平面的空位浓度呈线性相关。在此基础上，讨论了氧占有对结构纯 PBCO 相催化性能的潜在影响。通过建立氧浓度与易于实现的晶格测量之间的简单关联，我们的研究结果为更好地理解用于电催化的缺氧复合钴酸盐的结构 - 性能关系铺平了道路。■ 简介
2025 年春季
荣誉课程录取 荣誉课程专为荣誉学院成员设计；但是，任何 GPA 为 3.0 或更高的 TTU 学生都有资格在有空位的情况下注册荣誉课程。 有关更多信息或申请荣誉课程席位，请联系荣誉学院：McClellan Hall，101 室 | (806) 742-1828 | honors.advising@ttu.edu 以荣誉学位毕业 学生必须完成至少 24 小时的荣誉/荣誉强化课程，才能从德克萨斯理工大学毕业，成绩单上注明“以荣誉学院荣誉毕业”。 希望以“以荣誉学院最高荣誉”成绩毕业的学生必须完成荣誉论文和另外 6 小时的论文专项课程。开始荣誉论文之前，必须获得荣誉学院的许可。学生必须保持 TTU 3.5 的 GPA 才能继续留在荣誉学院并以上述任一荣誉学位毕业。打算以任一荣誉学位毕业的学生必须在毕业日期前一年向荣誉学院提交“毕业意向”表格。荣誉学院学位列在成绩单和文凭上。这些是毕业生可能获得的其他荣誉的补充，例如拉丁荣誉（例如，Summa cum laude、Magna cum laude 和 Cum laude）。如何使用这本小册子 ***课程信息（例如日期和时间）可能会发生变化。*** 本小册子中列出的核心课程信息反映了大学的核心课程要求列表，自 2014 年秋季及以后生效。如果您发现本小册子的内容与 Raiderlink 上反映的信息有差异，请注意 Raiderlink 更新频率更高；因此，它可能更为及时。话虽如此，如果您发现任何此类差异，我们鼓励您联系荣誉咨询团队（honors.advising@ttu.edu）。
单晶 RuO 2 中的晶体结构和磁序缺失
因此，我们对 RuO 2 晶体进行了极化和非极化中子衍射实验，这些实验通过磁化和电导测量以及 X 射线衍射进行表征 [8]。单晶采用两种不同的传输分子通过化学气相传输生长。此外，通过退火商业化合物获得了粉末样品。对 D9、D3 和 IN12 进行了中子实验，并在 Bruker D8 venture 衍射仪上研究了晶体结构。我们无法在低至 2K 的温度下确认我们晶体中提出的结构扭曲。在 X 射线和长波长中子实验中，没有超结构反射 [3] 破坏金红石型结构的对称性。在短中子波长下观察到此类峰，但可归因于多重衍射。在我们的晶体中，钌空位的数量低于百分之几。极化中子实验并未表明对于所提出的传播矢量 ⃗ k =(0,0,0) [3] 存在磁布拉格反射。在我们的实验中，即使是有序矩比声称的 [3] 小五倍的磁序也会产生显著的强度。在我们的化学计量样品中可以排除这种反铁磁序 [8]。[1] L. Smejkal 等人，2022 年，Phys. Rev. X 12(3)，031042。[2] L. Smejkal 等人，2022 年，Phys. Rev. X 12(4)，040501。[3] T. Berjilin 等人，2017 年，Phys. Rev. Lett. 118，077201。[4] L. Smejkal 等人，2023，物理。莱特牧师。 131, 256703。 [5] A. Smolyanyuk 等人。 ，2024，物理。 Rev. B. 109 , 134424. [6] M. Hiraishi 等人。 ，2024，物理。莱特牧师。 132, 166702。 [7] P. Keßler 等人。 ，2024 年，npj 自旋电子学 2，50。 [8] L. Kiefer 等人。 ，2024 年，arXiv，2410.05850。
杂次la- ...
宽带间隙（WBG）碱性晶酸盐透明氧化物半导体（TOSS）近年来引起了越来越多的关注，因为它们的高载流子迁移率和出色的光电特性，这些特性已应用于诸如Flat-Panel显示器等广泛的应用。然而，大多数碱性地球酸盐是由分子束外延（MBE）生长的，有关锡源的问题存在一些棘手的问题，包括带有SNO和SN源的波动性以及SNO 2源的分解。相反，原子层沉积（ALD）是具有精确的化学计量控制和原子尺度上可调厚度的复杂stannate钙钛矿生长的理想技术。在此，我们报告了la-srsno 3 /batio 3 perovskite异质结构异质集成在SI（001）上，该结构使用ALD种植的La掺杂的Srsno 3（LSSO）作为通道材料，并用作MBE生长的Batio 3（BTO）作为介电材料。反射性高能电子衍射和X射线衍射结果表明每个外延层的结晶度为0.62，全宽度最高（FWHM）。原位X射线光电子光谱结果证实，ALD沉积LSSO中没有SN 0状态。这项工作扩展了当前的优化方法，用于减少外在LSSO/BTO钙钛矿异质结构中的缺陷，并表明过量的氧气退火是增强LSSO/BTO异质结构的电容性能的强大工具。Besides, we report a strategy for the post-treatment of LSSO/BTO perovskite heterostructures by controlling the oxygen annealing temperature and time, with a maximum oxide capacitance C ox = 0.31 μF/cm 2 and a minimum low- frequency dispersion for the devices with 7 h oxygen annealing at 400 C. The enhancement of capacitance properties is primarily attributed to a在额外的异位过量氧气退火过程中，膜中氧空位的减少和异质结构界面中的界面缺陷。
MoS2 原子片中单缺陷忆阻器的观察
非挥发性电阻开关，也称为忆阻器 1 效应，即电场改变双端器件的电阻状态，已成为高密度信息存储、计算和可重构系统 2 – 9 开发中的一个重要概念。过去十年，非挥发性电阻开关材料（如金属氧化物和固体电解质）取得了实质性进展。长期以来，人们认为漏电流会阻止在纳米薄绝缘层中观察到这种现象。然而，最近在过渡金属二硫属化物 10, 11 和六方氮化硼 12 夹层结构（也称为原子阻断器）的二维单分子层中发现的非挥发性电阻开关推翻了这种观点，并由于尺寸缩放的好处增加了一个新的材料维度 10, 13。我们在此以单层 MoS 2 为模型系统，阐明了原子片中切换机制的起源。原子成像和光谱表明，金属取代硫空位会导致电阻发生非挥发性变化，这得到了缺陷结构和电子状态计算研究的证实。这些发现提供了对非挥发性切换的原子理解，并开辟了精确缺陷工程的新方向，精确到单个缺陷，朝着实现最小的忆阻器的方向发展，以应用于超密集存储器、神经形态计算和射频通信系统 2、3、11。通过结合扫描隧道显微镜/扫描隧道光谱 (STM/STS) 和局部传输研究，我们观察到硫空位（MoS 2 单层中的主要缺陷）在其天然形式下不起低电阻路径的作用，这与金属氧化物存储器中氧空位的影响形成鲜明对比。 然而，从底部或顶部电极迁移的金属离子（例如金离子）可以取代硫空位，产生导电的局部态密度 (LDOS)，从而驱动原子片进入低阻状态。 在反向电场下去除金原子后，缺陷恢复其初始空位结构，系统返回到高阻状态。 这种导电点切换机制类似于在原子级上形成导电桥存储器 14。然而，它本质上是不同的，也是独一无二的，因为单个金属离子填充了晶格中的单个空位，而不是通过高度无序的材料形成金属桥。我们发现硫空位在 2 纳米间距处稳定，导致忆阻器密度约为每 1 个单位
纳米级的光 - 互动 - 哈佛大学的项目
纳米级和特定的光学相互作用在纳米级的相互作用是一个迅速提高科学意义和技术相关性的话题。纳米级光 - 物质相互作用对于在生物光收集系统中的光转化为化学能以及人工光伏设备中的光到电流转换至关重要。这些相互作用定义了金属纳米结构的相当惊人的线性，尤其是非线性光学特性，因此是理解和操纵纳米级在表面等离子体（SP）激发形式的纳米级定位的关键。这种光定位现象正在发现，从癌症治疗和水分分裂或光催化的根本性相关应用到一般而言，到单分子（Bio-）传感。在用超短，飞秒的光脉冲照明金属纳米结构时，很容易达到局部局部强度，这些强度很容易产生高谐波辐射或将这些颗粒中的电子驱动到这些颗粒中，从而产生femtosecond Electon Electon Electron Electrone Electigrightimah intrighighighighightightige intrighightightimah rections intrighightightige sirtighightigh。混合纳米结构，包括金属，半导体和/或分子聚集体，可以在超快开关中找到全新的应用，或设计具有前所未有敏感性的新的光子晶体管。钻石纳米颗粒中氮空位的电子自旋激发是精心敏感的磁性传感器，在将来的信息处理中作为量子位有趣。在聚合膜上沉积金属纳米结构时，SP激发可能会导致局部光聚合，这可用于探测光学接近纤维或研究纳米级的光化学。纳米级光学的所有这些和许多其他新兴应用都呼吁广泛概述这一引人入胜的领域中正在进行的研究。这是本期特刊的目的 - 物质互动，以提供字段的概述。为此，我们在此领域收集了一系列25篇文章。本期特刊始于C Bauer和H Giessen [1]的有关上等离子晶体的线性光学特性的教程，并包括三篇评论论文和21篇原始文章。该教程之后是一篇有关基于等离子的光聚合及其在近距离传感和光化学中的应用的评论文章[2]。giugni等[3]对“绝热纳米焦焦”的基础和应用进行了有趣的综述，即，将sp polartons转化为纳米含量的sp，例如锥形金属taper虫。Peruch等人[4]的第三次审查仍在印刷中，讨论了基于金属纳米棒阵列的超快全光开关的光学特性。