摘要:我们提出了一个透明的回忆录,具有粗面(RS)底部电极(BE),对气体的性能和可靠性增强,该气体是气体传感器加上备忘录及其在本文中的应用。透明的回忆录具有RS BE,表现出低的形成电压(0.8 V)和稳定的电阻切换行为,具有较高的耐力,ON/OFF比率约为125。这种改进是由于对电场分布的更好控制和氧气空位浓度在应用于透明的回忆录时的氧气空位浓度所致。长时间维持在环境空气环境中的传导丝的稳定性对于将备忘录作为气体的应用至关重要。带有RS的回忆录证明了维持稳定状态的能力,约为10 4 s。结果,可以证明,带有RS的拟议透明透镜可以显着提高该设备对气体应用的可靠性。
*需要 GT 身份证明 K ES 数量有限 *需要 GT 身份证明 1 ES 可用空间 *需要 GT 身份证明 2 ES 数量有限 *需要 GT 身份证明 3 ES 可用空间 *需要 GT 身份证明 4 ES 数量有限 *需要 GT 身份证明 5 ES 数量有限 阿瑟顿小学/学校美术 阿瑟顿小学/学校美术 K ES 可用空间 阿瑟顿小学/学校美术 1 ES 可用空间 阿瑟顿小学/学校美术 2 ES 数量有限 阿瑟顿小学/学校美术 3 ES 数量有限 阿瑟顿小学/学校美术 4 ES 数量有限 阿瑟顿小学/学校美术 5 ES 数量有限 Bell 小学/身体发育 Bell 小学/身体发育 K ES 数量有限 Bell 小学/身体发育 1 ES 数量有限 Bell 小学/身体发育 2 ES 数量有限 Bell 小学/身体发育 3 ES 数量有限 Bell 小学/身体发育 4 ES 数量有限 Bell 小学/身体发育 5 ES 数量有限 Berry 小学/环境科学 Berry 小学/环境科学 K ES 可用空间Berry 小学 / 环境科学 1 ES 有空位 Berry 小学 / 环境科学 2 ES 数量有限 Berry 小学 / 环境科学 3 ES 有空位 Berry 小学 / 环境科学 4 ES 有空位 Berry 小学 / 环境科学 5 ES 数量有限 Blackshear 小学 / Montessori K-5 Blackshear 小学 / Montessori K-5 K ES 有空位 Blackshear 小学 / Montessori K-5 1 ES 无可用空间 Blackshear 小学 / Montessori K-5 2 ES 无可用空间 Blackshear 小学 / Montessori K-5 3 ES 无可用空间 Blackshear 小学 / Montessori K-5 4 ES 无可用空间 Blackshear 小学 / Montessori K-5 5 ES 无可用空间 Bruce 小学 / 音乐 Bruce 小学 / 音乐 K ES 有空位 Bruce 小学 / 音乐 1 ES 数量有限 Bruce 小学 / 音乐 2 ES 数量有限 Bruce 小学 / 音乐 3 ES 数量有限 Bruce 小学 /音乐 4 ES 数量有限 Bruce 小学 / 音乐 5 ES 数量有限
点缺陷:(零维缺陷)是由于原子在结晶过程中偏离正常位置、存在杂质原子或原子处于错误位置而产生的。这些缺陷很小,其影响范围向所有方向扩展,但仅限于小有序(两个或三个原子级)的特定区域。空位:原子从其原始晶格位置缺失。通常由于结晶过程中的热振动而产生,并受外部参数的影响。空位可能是单个、两个或更多个,具体取决于晶体类型。对于大多数晶体,为了产生一个空位,需要 1.1 eV 的热能。间隙:当相同或不同类型的原子占据规则原子位置之间的空隙时,就会出现这种缺陷。杂质原子:不属于母晶格(原始晶体)的原子。取代缺陷:当杂质原子取代或替代母原子时,就会出现这种缺陷。例如:黄铜中的锌是铜晶格中的替代原子 间隙杂质:当尺寸较小的杂质原子位于常规原子位置之间时,就会产生这种缺陷。例如:当将五价和三价杂质添加到纯 Si 或 Ge 中时,我们会得到 n 型和 P 型半导体。
一旦有空位,住户将按照相应单元的指定价格被分配到学生宿舍。根据空位情况、住户住房申请被接受以及本协议条款的约束,大学同意为住户提供以下学生住房选项之一(“住房”):Argenta、Canada、Great Basin、Juniper、Manzanita、Nevada Living Learning Community、Nye、Peavine、Sierra 或随后确定的其他住房选项。除非根据本协议提前终止,本协议期限(“许可期限”)应从大学收到住户提交的住房申请(“申请”)和首付(“生效日期”)之日起开始,一直持续到大学指定的搬出日期(“搬出日期”)。尽管如此,住户不得在大学指定的适用学年、春季学期或夏季学期的搬入日期(“搬入日期”)之前开始入住住房。
理解磁铁矿 (Fe3O4) — 一种强关联磁性氧化物 — 中的 Verwey 跃迁是一个百年老话题,由于最近的光谱研究揭示了它的轨道细节,它重新引起了人们的极大关注。这里报道了通过使用离子门控调整轨道配置来调制 Verwey 跃迁。在外延磁铁矿薄膜中,绝缘的 Verwey 态可以连续调整为金属态,表明低温三聚体态可以通过栅极诱导的氧空位和质子掺杂可控地金属化。离子门控还可以反转异常霍尔系数的符号,这表明金属化与具有竞争自旋的新型载流子的存在有关。与符号反转相关的可变自旋取向源于栅极诱导的氧空位驱动的结构扭曲。
非挥发性电阻开关,也称为忆阻器 1 效应,即电场改变双端器件的电阻状态,已成为高密度信息存储、计算和可重构系统 2 – 9 开发中的一个重要概念。过去十年,非挥发性电阻开关材料(如金属氧化物和固体电解质)取得了实质性进展。长期以来,人们认为漏电流会阻止在纳米薄绝缘层中观察到这种现象。然而,最近在过渡金属二硫属化物 10, 11 和六方氮化硼 12 夹层结构(也称为原子阻断器)的二维单分子层中发现的非挥发性电阻开关推翻了这种观点,并由于尺寸缩放的好处增加了一个新的材料维度 10, 13。我们在此以单层 MoS 2 为模型系统,阐明了原子片中切换机制的起源。原子成像和光谱表明,金属取代硫空位会导致电阻发生非挥发性变化,这得到了缺陷结构和电子状态计算研究的证实。这些发现提供了对非挥发性切换的原子理解,并开辟了精确缺陷工程的新方向,精确到单个缺陷,朝着实现最小的忆阻器的方向发展,以应用于超密集存储器、神经形态计算和射频通信系统 2、3、11。通过结合扫描隧道显微镜/扫描隧道光谱 (STM/STS) 和局部传输研究,我们观察到硫空位(MoS 2 单层中的主要缺陷)在其天然形式下不起低电阻路径的作用,这与金属氧化物存储器中氧空位的影响形成鲜明对比。 然而,从底部或顶部电极迁移的金属离子(例如金离子)可以取代硫空位,产生导电的局部态密度 (LDOS),从而驱动原子片进入低阻状态。 在反向电场下去除金原子后,缺陷恢复其初始空位结构,系统返回到高阻状态。 这种导电点切换机制类似于在原子级上形成导电桥存储器 14。然而,它本质上是不同的,也是独一无二的,因为单个金属离子填充了晶格中的单个空位,而不是通过高度无序的材料形成金属桥。我们发现硫空位在 2 纳米间距处稳定,导致忆阻器密度约为每 1 个单位
氧化铍 (BeO) 具有超宽带隙,是一种很有前途的量子缺陷宿主。我们利用混合函数的密度泛函理论,对 BeO 中的原生点缺陷进行了全面的第一性原理研究。我们发现铍和氧空位是最稳定的缺陷,而其他原生缺陷(如间隙或反位)则具有较高的形成能。我们通过检查自旋态和内部光学跃迁,研究了点缺陷作为量子缺陷候选者的可能性。氧空位 (V + O) 是一种合适的自旋量子比特或单光子发射体;我们还发现,通过与 Li 受体形成 (VO − Li Be) 0 复合物可以增强其稳定性。O − Be 反位还具有理想的光学和自旋特性。总体而言,由于其作为宿主材料的理想特性,BeO 可以成为量子缺陷的优良宿主,其中 V + O、(VO − Li Be) 0 和 O − Be 是主要候选者。
这项工作报道了基于 MgO/Al 2 O 3 的电阻随机存取存储器 (ReRAM) 器件的电阻开关特性。分析表明,由于加入了 Al 2 O 3 插入层,主要导电机制从空间电荷限制导电变为肖特基发射。与单层器件相比,MgO/Al 2 O 3 双层 ReRAM 器件表现出更低的功率运行(降低 50.6%)和更好的开关均匀性,具体取决于堆栈配置。这可归因于 MgO/Al 2 O 3 界面处较低的氧空位积累和细丝限制,从而导致更可控的开关操作。对双层器件的进一步 X 射线光电子能谱 (XPS) 深度剖面分析表明,开关动力学与氧空位浓度直接相关。这些发现表明界面层工程对于改善 MgO 基存储器件的电阻开关特性的重要性,从而可以实现低功耗应用。
摘要:已知半导体电极的表面化学计量法会影响光电化学(PEC)响应。迄今为止,有几份报告暗示了表面BI:V比对Bivo 4 PhotoAnodes太阳能水氧化性能的影响,但仅据报道,只有少数策略能够负担这种表面化学计量,而对表面终止的原子终止作用的全面了解仍然是难以理解的。在此,我们报告了一种新的方法,该方法可以调节表面BI:V比,进而将PEC的性能最大化,朝着氧气进化反应(OER)。我们发现,在存在Metavanatrate铵的情况下退火会大大降低表面重组,同时改善电荷分离。详细的表征表明,这种处理填充了天然表面钒空位,发现该空位充当重组中心,同时诱导了氧气空位密度的显着增加,从而增强了驱动电荷分离的内置电场。有趣的是,用Nifeo X涂层改善,尤其是在表面V-Bivo 4中的电荷分离。结果表明,富含V的表面终止改变了BIVO 4的表面能量,从而导致界面上的带状对齐。总体而言,这些结果提供了一个新的平台,以调节Bivo 4薄膜的表面化学计量法,同时为表面终止控制PEC响应的机制提供新的光。