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摘要：已知半导体电极的表面化学计量法会影响光电化学（PEC）响应。迄今为止，有几份报告暗示了表面BI：V比对Bivo 4 PhotoAnodes太阳能水氧化性能的影响，但仅据报道，只有少数策略能够负担这种表面化学计量，而对表面终止的原子终止作用的全面了解仍然是难以理解的。在此，我们报告了一种新的方法，该方法可以调节表面BI：V比，进而将PEC的性能最大化，朝着氧气进化反应（OER）。我们发现，在存在Metavanatrate铵的情况下退火会大大降低表面重组，同时改善电荷分离。详细的表征表明，这种处理填充了天然表面钒空位，发现该空位充当重组中心，同时诱导了氧气空位密度的显着增加，从而增强了驱动电荷分离的内置电场。有趣的是，用Nifeo X涂层改善，尤其是在表面V-Bivo 4中的电荷分离。结果表明，富含V的表面终止改变了BIVO 4的表面能量，从而导致界面上的带状对齐。总体而言，这些结果提供了一个新的平台，以调节Bivo 4薄膜的表面化学计量法，同时为表面终止控制PEC响应的机制提供新的光。
调整bivo4光轴的表面终止... -RUA
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