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可伸缩的微骨系统，用于紫外线，可见和红外光谱
多对象光谱（MOS）是宇宙起源（COR）计划的技术发展优先级。在基于地面的MOS应用（例如，机器人配置的纤维和打孔板）中流行的孔径控制方法是刚性的，对于太空飞行而言是不实用的。微糖阵列（MSA）技术解决了此问题。MSA充当适应性的缝隙面膜。可以对数组进行编程，以提供与天空中稀疏分布的源相对应的任何缝隙。也可以对其进行编程以在扩展源上提供形状的缝隙。这种NGMSA SAT的开发重点介绍了当前宇宙起源计划优先事项的技术进步以及IR/光学/UV（IROUV）战略任务，该战略使命是十分纪念日调查：2020年代（PDAA）的天文学和天文学发现途径和天文学发现的途径。该项目的主要目的是从技术准备水平（TRL）3至5中以较大的格式（736×384，282.6k总像素）提高静电致动MSA，以支持PDAA-RECECMONTED IROUV战略任务。
TROPOMI ATBD 紫外线气溶胶指数
气溶胶指数 (AI) 是一种成熟的数据产品，已针对多种不同的卫星仪器计算了 40 多年的时间。本 ATBD 中描述的气溶胶指数明确命名为 UVAI，因为它基于给定波长对的紫外线 (UV) 光谱范围内的光谱对比度，其中观察到的反射率和模拟的反射率之间的差异会产生残差值。当此残差为正时，表示存在吸收紫外线的气溶胶，如灰尘和烟雾，通常称为吸收气溶胶指数 (AAI)。云产生接近零的残差值，而强烈的负残差值可能表明存在非吸收性气溶胶，包括硫酸盐气溶胶。与基于卫星的气溶胶光学厚度测量不同，AAI 也可以在有云的情况下计算，因此可以每天覆盖全球。这对于跟踪由沙漠尘埃、火山喷发的灰烬和生物质燃烧产生的烟雾组成的偶发性气溶胶羽流的演变非常理想。
基于纳米厚窄带隙半导体PbS薄膜的紫外光电探测器
摘要：紫外光电探测器（UVPD）在军事和民用应用中发挥着重要作用，通常采用宽带隙半导体（WBS）作为构造模块来制造。遗憾的是，基于 WBS 的 UVPD 商业化往往受到其相对较高的制造成本的限制，因为需要使用非常复杂的生长仪器。在本文中，我们提出了一种基于具有相对较小带隙的非 WBS 硫化铅（PbS）的灵敏 UVPD。器件分析表明，由 48.5 nm PbS 纳米薄膜制成的 UVPD 对 365 nm 的紫外线照射高度敏感。具体而言，在 365 nm 照射下的响应度和特定探测率分别为 22.25 AW − 1 和 4.97 × 10 12 Jones，与大多数传统的基于 WBS 的 UVPD 相当或更好。基于 PbS 纳米薄膜的 UVPD 还表现出优异的环境稳定性。实验结果和基于技术计算机辅助设计软件的模拟证实，PbS 纳米薄膜的异常特性与相对较薄的厚度和波长相关的吸收系数有关。这些结果为窄带隙半导体在未来光电设备和系统中实现低成本敏感 UVPD 提供了机会。关键词：紫外光电探测器、窄带隙半导体、PbS、高响应度、技术计算机辅助设计 ■ 介绍
紫外可见分光光度计诊断 - Super Visual Formade Print
联系地址：〒158-0098 东京都世田谷区上与贺1-20-1 日本陆上自卫队关东补给站与贺支部总务部会计科合同组负责人：鸟井电话：03-3429-5241（分机）372 传真：03-3429-5245
vital baby Nurture Advanced Pro 三合一紫外线消毒干燥机和存储使用说明书
为了最大限度地减少对健康和环境的危害并确保材料可以回收，应将该产品在单独的废弃电气和电子设备收集设施中处理。
具有紫外和近红外窄带检测能力的波长可调多光谱光电探测器
摘要——开发具有窄带和可调光谱灵敏度的高性能多光谱光电探测器具有重要意义，但迄今为止仍然极具挑战性。本文，我们报道了一种 Si Au/n 型 Si/Au 光电探测器，它不仅在紫外线而且在近红外区域都具有可调窄带灵敏度，这与受控电荷收集变窄 (CCN) 机制有关。此外，当偏压从 0.1 变为 -0.1 V 时，该器件的负响应峰可以从 365 nm 轻松调整到 605 nm，正响应峰可以从 938 nm 调制到 970 nm。特别是，当负响应峰和正响应峰分别接近紫外短波长端和近红外长波长端时，半峰全宽分别小至 92 nm 和 117 nm。器件在紫外-可见光和近红外区域的响应极性相反，使得目前的硅光电探测器在未来的多波段光电系统中具有潜在的重要意义。
在LQB/P-EBL界面的极化工程中，基于Algan的深紫外线发光二极管的增强载体注入
摘要 - 基于Algan的深紫外线发光二极管（DUV LED）的外部量子效率（EQE）由于电子泄漏的主要问题而远非令人满意阻塞层（P-EBL）可以在该界面附近诱导电子积累和孔耗尽，从而导致电子泄漏并阻碍孔注入。在本文中，我们提出了在LQB和P-EBL之间插入的Al-Composition Increasing Algan层（ACI-ALGAN），以增强DUV LED的载体注入能力，通过调节LQB/EBL界面和下层机制在LQB/EBL界面上调节偏振产生的表电荷产生的床单，并通过数字计算分析。插入结构可以消除LQB的P侧界面处的正电荷，并在P-EBL的N侧界面附近诱导孔积累，这随后可以减少电子泄漏和偏爱孔注射。提出的带有ACI-Algan层的DUV LED结构表现出增强的EQE 45.7％，其正向电压保持不变。此设计方案可以提供另一种方法来促进使用各种应用程序的DUV LED的性能。
紫外线反射多孔纳米级周期孔阵列...
图1。（a）4H-SIC纳米级周期孔阵列的制造过程插图。SEM图像显示了孔阵列的顶视图和横截面视图。（b和c）分别由AFM采集的孔阵列的表面地形图3D图像和横截面线轮廓。
用于紫外、激光和电子束光刻的负性光刻胶
主要应用 • 通过 DLW 和 2PP 进行快速非接触式原型制作 • 微系统技术中的光学应用 • 用于湿法和干法蚀刻工艺的蚀刻掩模 • 用于电镀的模具 • 用于印章制造/模板制造的模具