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随着光刻技术在缩小微电子设备方面的能力不断提高，对改进的光刻胶材料的需求也日益迫切，尤其是对于极紫外 (EUV) 光刻胶。在这项工作中，我们研究了一种称为“alucone”的 Al 基混合薄膜光刻胶的分子层沉积 (MLD)，这扩展了我们之前对 Hf 基混合薄膜“hafnicone”作为 EUV 光刻胶进行测试的研究。Alucone 在 100 ºC 下使用金属前体三甲基铝和有机前体乙二醇生长。与 hafnicone 一样，alucone 表现为负性光刻胶，可以分辨 50 纳米线宽，但初步数据表明 alucone 的线条图案比 hafnicone 的线条图案更清晰。使用 3 M HCl 作为显影剂时，铪酮的灵敏度为 400 μC/cm 2，而 alucone 的灵敏度则不太好（使用 0.125 M HCl 时为 4800 μC/cm 2）。我们对 alucone 的研究为 MLD 薄膜的结构特征提供了新的见解，从而可以实现所需的 EUV 响应行为。这一见解可能会加速用于电子束和 EUV 光刻的气相沉积无机光刻胶的开发。关键词：光刻胶、薄膜、极紫外 (EUV) 光刻、分子层沉积 (MLD)、原子层沉积 (ALD)、有机-无机混合材料
用于 EUV 抵抗的 Alucone MLD_A Ravi 等人 - NSF-PAR
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