5- Araa Mebdir Holi、Zulkarnain Zainal、Asmaa Kadim Ayal、Sook-Keng Chang、Hong Ngee Lim、Zainal Abidin Talib、Chi-Chin Yap,水热法制备 Ag2S/ZnO 纳米棒复合光电极:生长温度的影响,Optik,184,(2019):473-479 6- Iman Mehdi Mohammed Hasan、Naser D Shilan、Shetha F Al-Zubidy、Manal O Hamzah、Nafeesa J Kadhim、Asmaa K Ayal、Asmaa M Saleh、Doaa Hashim Qasim,从酚类席夫碱衍生物开始通过分步聚合合成、表征一些含杂环的新型树脂并研究其物理性质,Journal of Pharmaceutical Sciences and Research,第 11、2 卷, (2019): 464-470。 7- AK Ayal,阳极氧化时间对 TiO 2 纳米管形成的影响对 Ti 箔和 TiO 2 纳米管的光电化学性能的影响,Al-Mustansiriyah Journal of Science 29 (3), (2019): 77-81 8- AM Holi、Z Zainal、AK Ayal、SK Chang、HN Lim、ZA Talib、CC Yap,基于生长温度影响的水热法制备 Ag 2 S/ZnO 纳米复合光电极 https://doi.org/10.1016/j.ijleo.2019.03.010
当今社会需要材料、医疗保健、能源、空气质量、水纯度和食品生产方面的创新。化学工程师处于开发新技术以应对这些挑战的前沿——从分子模拟到在实验室中生产氢气和生长纳米管,再到提供大规模解决方案以及其中的每一步。在俄克拉荷马大学,我们的研究团队正在发表论文并获得专利,以引领所有这些领域的发展。我们的教授享誉全球,我们的校友遍布全球。
金属和无机材料也用于柔性电子产品。金属具有高导电性,可用作电子产品中的导体。其中,银、铜、镍和碳(例如石墨烯)已以各种形式(包括薄片、纳米线、纳米管)用于柔性电子产品。这些金属可以作为金属油墨印刷。无机材料没有或只有有限的导电性,可用作电子产品中的绝缘体(电介质)或半导体。例如,聚合物、氧化钛和氧化锌已用作柔性和印刷电子产品中的半导体。其他几种氧化物和聚合物已被用作电介质,例如 PMMA 和聚氨酯。与粘合剂、溶剂和添加剂结合,这些材料可以印刷在柔性基板上。5
标题聚苯乙烯/氧化石墨烯的纳米力学行为纳米复合材料类型文章url https://clok.uclan.ac.uk/49267/ doi https://doi.org/10.1080/153636383x.2023.2263597 Date 2022635 gation 2022337 date 202237 Nicholas,Amarie,Sergiu,Danilov,Artem和U Rehman,Ihtesham(2023)聚苯乙烯/氧化石墨烯纳米复合材料的纳米力学行为。富勒烯,纳米管和碳纳米结构。pp。1-13。ISSN 1536-383X创作者Mohammadsalih,Zaid G.,Mullin,Nicholas,Amarie,Sergiu,Danilov,Artem,Artem和U Rehman,Ihtesham
本研究尝试设计全加器中的高性能单壁碳纳米管 (SWCNT) 束互连。为此,使用 HSPICE 软件中的仿真研究了电路性能,并考虑了 32 纳米技术。接下来,使用田口方法 (TA) 分析了几何参数(包括纳米管直径、束中纳米管之间的距离以及束的宽度和长度)对全加器中 SWCNT 束互连性能的影响。田口灵敏度分析 (TSA) 的结果表明,束长度是影响电路性能的最有效参数(约占功率耗散的 51% 和传播延迟的 47%)。此外,与其他参数相比,纳米管之间的距离对响应的影响很大。此外,响应面法 (RSM) 表明,增加互连长度 (L) 会提高功率耗散的输出。随着互连线宽度 (W) 和碳纳米管直径 (D) 的增加,功耗也增加。减小束中碳纳米管之间的距离 (d) 会导致功耗增加。如果考虑互连线长度和宽度 (L、W) 以及碳纳米管直径 (D) 的参数的最大值以及束中碳纳米管之间距离 (d) 的最小值,则功耗最高。结果还表明,互连线长度 (L) 的增加会增加传播延迟。最后,报告了最佳参数,并使用不同方法 (TA 和 RSM) 比较了优化系统的性能。结果表明,用不同方法预测的全加器中 SWCNT 束互连线最优设计的性能差异小于 6%,根据工程标准是可以接受的。
抗静电材料2、电磁屏蔽3、压阻传感器4和形状记忆聚合物(SMP)材料。5,6聚合物和CNT的纳米复合材料的电导率随着纳米填料含量的增加而急剧增加,超过渗透阈值,该阈值被描述为在3D空间中形成互连接触导电网络的临界值。此外,通过加入CNT,聚合物的绝缘体-导体转变可以在低渗透阈值下实现,这取决于CNT的排列程度和单个CNT的均匀空间分布。尽管如此,由于纳米管之间的范德华相互作用引起的高电子离域性,MWCNT倾向于在液体或固体介质中形成团聚体和束。
纳米科学和纳米技术是令人兴奋的研发领域,在电子,光学和磁性设备,生物学,医学,能量和防御中广泛应用。这些领域的核心是具有较低纳米尺度尺寸的新材料的合成,表征,建模和应用,我们称之为“纳米材料”。这些材料可以表现出异常的介质特性,包括纳米颗粒,涂料和薄膜,金属 - 有机框架,膜,纳米合金,量子点,自组件,2D材料,例如石墨烯和纳米管。我们的杂志纳米材料的目标是向跨学科科学受众发表有关纳米材料科学各个方面的最高质量论文。我们的所有文章都以严格的裁判和开放式出版。
半导体 CNT 制成的场效应晶体管 (FET) 的特性。使用等离子体辐射故意向 CNT 中添加缺陷,并通过拉曼光谱确认缺陷(主要是空位)的存在。添加缺陷的 CNT-FET 对 NO 2 的化学电阻响应比具有基线缺陷水平的 CNT-FET 大得多,再次表明缺陷会改善化学电阻响应。大量 CNT 研究调查了晶格缺陷,这里指的是结构缺陷和与 sp 2 键合碳原子完美网络的取代偏差。在 CNT 生长过程中,当一个或多个碳原子被其他元素的原子取代时,可能会发生取代“掺杂”。氮 21,22 和硼 23,24 是最常研究的取代掺杂剂。由于掺杂这两种元素的CNT在电池中表现出良好的储能性能,因此已经开发出可控工艺来按需应用此类掺杂剂。掺杂元素会在CNT结构中产生局部变化25,从而增强纳米管26的表面反应性,因此也可能改善气体传感性能。在已发表的实验中,硼和氮掺杂的双壁和多壁CNT对NH 3 和NO 2 检测表现出了改进的化学电阻灵敏度。26–28结构晶格缺陷(例如空位、双空位和Stone-Wales缺陷)也可能出现在CNT生产过程中29–31,并且已知会改变纳米管的电子特性32,33它们对化学电阻气体传感的灵敏度和选择性影响已被研究19,34,并被发现可以提高CNT在NH 3 、NO 2 和H 2 检测中的性能。
生长的纳米管的物理特性取决于石墨烯结构,其中碳原子以圆柱形形状排列。使用Biovia Materials Studio中的显示和表面创建工具检查了TMNP催化剂表面对最终石墨烯结构的模板效应。已经表明,铁(Fe)和钴(CO)的(111)平面的晶格常数和对称性与镍(Ni)的(1-10)平面匹配SWNT石墨烯结构。这表明(111)表面包含Fe和Co纳米颗粒区域,并且(1-10)表面包含Ni区域,并且可以种植其手性的SWNT,其性质可以种植。