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用于 EUV 抵抗的 Alucone MLD_A Ravi 等人 - NSF-PAR
随着光刻技术在缩小微电子设备方面的能力不断提高，对改进的光刻胶材料的需求也日益迫切，尤其是对于极紫外 (EUV) 光刻胶。在这项工作中，我们研究了一种称为“alucone”的 Al 基混合薄膜光刻胶的分子层沉积 (MLD)，这扩展了我们之前对 Hf 基混合薄膜“hafnicone”作为 EUV 光刻胶进行测试的研究。Alucone 在 100 ºC 下使用金属前体三甲基铝和有机前体乙二醇生长。与 hafnicone 一样，alucone 表现为负性光刻胶，可以分辨 50 纳米线宽，但初步数据表明 alucone 的线条图案比 hafnicone 的线条图案更清晰。使用 3 M HCl 作为显影剂时，铪酮的灵敏度为 400 μC/cm 2，而 alucone 的灵敏度则不太好（使用 0.125 M HCl 时为 4800 μC/cm 2）。我们对 alucone 的研究为 MLD 薄膜的结构特征提供了新的见解，从而可以实现所需的 EUV 响应行为。这一见解可能会加速用于电子束和 EUV 光刻的气相沉积无机光刻胶的开发。关键词：光刻胶、薄膜、极紫外 (EUV) 光刻、分子层沉积 (MLD)、原子层沉积 (ALD)、有机-无机混合材料
使用带有全球定位系统的航海图
随着全球定位系统 (GPS) 的出现，航海者现在可以比以前更加精确地导航。本讨论重点关注航海图在绘制 GPS 接收器位置时的固有局限性。对于海图制作者来说，海图的准确性必须考虑到航海员视力敏锐度、所用的平版印刷工艺和绘图技术以及特征符号化（例如线宽）的局限性。GPS 用户在使用与 GPS 不同的基准在海图上绘制 GPS 得出的位置时，必须确保进行纬度/经度偏移。所有新的 NGA 海图均基于 WGS 基准编制，该基准与 GPS 接收器在默认基准设置中使用的基准相同，但通常可以选择其他基准。在实施 GPS 之前得出的位置是使用各种光学仪器确定的，这些仪器专注于导航辅助设备、海岸特征或天体。由于了解这些方法的局限性，海员们对海图上描绘的危险物避而远之，包括助航设备、浅滩和障碍物。海图制作者用来定位危险物的可用导航信息和制图过程比海图用户可用的导航手段更准确。现在情况发生了逆转；使用 GPS，海员现在可以获得比用于编制海图的数据更准确的位置定位。由于 GPS 提供了这样的精度，海员现在需要
基于可再生能源资源的水淡化系统的能源存储
摘要：三维有机金属金属卤化物钙钛矿是光电应用的出色材料，由于其特性，解决方案的加工性和成本效益。但是，缺乏环境稳定性极大地限制了它们的实际应用。在本文中，作者报告了使用Divalent N1-甲基丙烷-1,3-二千摩峰（N-MPDA）阳离子作为有机隔离器的稳定厘米长的二维（2D）混合钙钛矿（N-MPDA）[PBBR4]单晶。生长的单晶表现出稳定的光电性能，低阈值随机激光和多光子发光/多谐波生成。使用（N-MPDA）[PBBR4]单晶制造的光电传导装置表现出极好的光反应率（≈124aw-1在405 nm处），约4个幅度的幅度高于高度高于单次有机间隔的2D perovskites，较大的2D perovskites（例如，较大的特定率） （≈1012琼斯）。作为一种光学增益介质，（N-MPDA）[PBBR4]单晶表现出低阈值随机激光（≈6.5µJCM-2），具有角度依赖性窄线宽（≈0.1nm）和高质量因子（Q≈2673）。基于我们的结果，（N-MPDA）[PBBR4]单晶的出色光电优点将提供高性能设备，并充当动态材料，以构建稳定的未来电子产品和基于光电的应用程序。
快噪声对囚禁离子量子门保真度的影响
高保真度的单量子比特和多量子比特操作构成了量子信息处理的基础。这种保真度基于以极其相干和精确的方式耦合单量子比特或双量子比特的能力。相干量子演化的必要条件是驱动这些跃迁的高度稳定的本振。在这里，我们研究了快速噪声（即频率远高于本振线宽的噪声）对离子阱系统中单量子比特和双量子比特门保真度的影响。我们分析并测量了快速噪声对单量子比特操作的影响，包括共振π旋转和非共振边带跃迁。我们进一步用数字方式分析了快速相位噪声对 Mølmer-Sørensen 双量子比特门的影响。我们找到了一种统一而简单的方法，通过量子比特响应频率下的噪声功率谱密度给出的单个参数来估计所有这些操作的性能。虽然我们的分析侧重于相位噪声和离子阱系统，但它也适用于其他快速噪声源以及其他量子比特系统，在这些系统中，自旋类量子比特通过共同的玻色子场耦合。我们的分析可以帮助指导量子硬件平台和门的设计，提高它们对容错量子计算的保真度。
通过前馈消除光学相位噪声增强量子态转移
在现代物理学的许多领域，利用光场对量子态进行鲁棒控制至关重要。根据平台不同，这可以通过单光子或双光子驱动场来实现单量子比特和纠缠操作[1-3]。控制保真度可以通过使用脉冲整形方案来增强[4]。一种广泛使用的技术是受激拉曼绝热通道（STIRAP）[5,6]，它通过耦合到中间态实现两个离散态之间的粒子数转移。STIRAP 的显著优点是它不受中间态自发辐射损失的影响，并且在激光强度等实验条件下对噪声相对不敏感[6]。这使得 STIRAP 在超导电路[7]、囚禁离子[8]、氮空位中心[9]、光机械谐振器[10]、光波导[11]和超冷分子合成[12]中找到了重要的应用。尽管 STIRAP 对激光振幅噪声不太敏感，但它本身对快速激光相位噪声很敏感，因为它依赖于暗态的绝热演化 [6,13] 。为了最大限度地降低相位噪声，需要使用线宽较窄的激光器。这通常是通过主动将光的频率稳定到稳定的参考点（如光学腔）来实现的。这个过程降低了反馈环路带宽内频率的相位噪声，但也会在更高频率下引入额外的噪声。这种高频相位噪声俗称伺服
2022 年下半年的 EUV 光刻胶筛选活动
EUV 光刻胶材料对于实现下一代光刻技术至关重要，该技术旨在实现 5 nm 以下节点的大批量制造 (HVM)。在本研究中，我们报告了 EUV 光刻胶的广泛性能表征，用于未来的高 NA EUV 光刻。我们在 Paul Scherrer 研究所和 ASML 合作的框架内，使用瑞士光源 (SLS) 的 EUV 干涉光刻工具研究了各种光刻胶的性能。本文介绍了 2022 年下半年开展的工作的主要成果。本研究考虑的重要性能特征是分辨率或半节距 (HP)、剂量与尺寸比 (DtS) 和线宽粗糙度 (LWR)。为了评估光刻胶的整体性能，我们使用了 Z 因子。我们研究了化学放大光刻胶 (CAR) 和非 CAR 材料。两家供应商的 CAR 实现了低至 11 nm 半节距的分辨率，而多触发光刻胶 (MTR) 达到了 13 nm 的分辨率。相比之下，MTR 由于其高灵敏度而表现出更好的 Z 因子值。此外，我们研究了底层对金属有机光刻胶 (MOR) 性能的影响。最后，我们讨论了近年来光刻胶性能的总体进展。我们观察到多个光刻胶平台的稳步改进，这对全球 EUV 光刻胶向高 NA EUVL 的发展是令人鼓舞的。
直接成像掩模版写入器
下一代成像技术融合了我们可调四波 LED 投影仪技术、新数据处理方法、外部光栅化引擎、无捕获相关数据重新加载、全区域高分辨率缩放、产量和质量改进工具等诸多方面的重大进步。吞吐量：下一代光引擎功能强大，允许您根据吞吐量选择更少的光引擎，从而降低机器投资成本。四波：下一代采用 360、370、390、405nm LED。这些 LED 可以进行调整以匹配光刻胶灵敏度，从而提高成像效率和调整壁陡度，并允许灵活选择光刻胶和阻焊层类型。符合 DART 标准：下一代包括外部光栅化引擎。这允许高速光栅化，包括数字线宽补偿和缩放，无需等待。使用 DART 优化套件进行全过程控制。视觉增强：Miva 的新视觉技术允许特征测量并改善目标获取。 NextGen 的视野更大，使面板放置更加简单，并且无需重新加载与捕获相关的数据。分辨率：NextGen 目前提供 30µm、15µm 或 6µm 分辨率。
极化纳米天线中超窄谐振的主动和被动调谐
光学纳米天线能够在纳米尺度上压缩光并增强光与物质的相互作用，因此对光子器件和光谱学具有重要意义。其中，由支持声子极化子的极性晶体制成的纳米天线（声子纳米天线）表现出最高的品质因数。这是因为这些材料固有的低光损耗，然而，由于它们的介电性质，阻碍了纳米天线的光谱调谐。在这里，通过近场纳米显微镜监测，在很宽的光谱范围（≈ 35 cm − 1 ，即共振线宽 ≈ 9 cm − 1 ）内实现了声子纳米天线中超窄共振的主动和被动调谐。为此，将由六方氮化硼制成的单个纳米天线放置在不同的极性基底上（例如石英和 4H-碳化硅），或用高折射率范德华晶体 (WSe 2 ) 的层覆盖它，以改变其局部环境。重要的是，通过将纳米天线放置在费米能量变化的门控石墨烯单层顶部，可以实现纳米天线极化子共振的主动调谐。这项工作提出了具有超窄共振的可调极化子纳米天线的实现，可用于主动纳米光学和（生物）传感。
场地规划首次提交清单
• 描述如何解决每个提议/开发条件。所有回复都应针对项目，并说明如何满足每个提议/开发条件（部分或全部）。 • 不要填写“已确认”。所有确认均发生在提议/开发条件谈判时，申请人同意所有提议。 • 不要在合规方法栏中重复提议。相反，描述该计划如何部分或全部满足提议/开发条件的要求。请使用特定的计划参考（即 MSP、SP、PI 等），因为可以使用多个计划来实现合规性。 • 为每个提议/开发条件的每个子部分提供单独的合规方法。 • 不要在合规性描述中使用任何“可能”或“必须”。在此阶段，所有要求要么得到满足，要么不适用。 • 相关的现场计划号和图纸编号应列在正确的栏中。 2) 可读性 一份可读的计划对于审查人员进行彻底审查和现场检查员在施工期间执行批准的计划是必要的。影响可读性的因素包括但不限于：线条、标签或信息重叠；线型或线宽区分不足；图例不准确或缺失；过粗的线条或阴影遮挡了底层信息；引线放错位置或缺失；没有标签的线条或特征；比例太小，无法清晰地描绘所有信息；现有特征与拟议工作难以区分；以及难以辨认的文本（小于 0.1 英寸、模糊、被线条遮挡、文本重叠）。
硅光子微机电系统分插环形谐振器在铸造过程中
摘要 光子分插滤波器是光纤通信系统中实现波分复用 (WDM) 的关键组件。光子集成领域的最新进展表明，将光子分插滤波器与高性能光子构建块集成在芯片上，可以构建用于 WDM 的紧凑而复杂的光子集成电路。通常，实现基于带有集成加热器或基于自由载流子色散的调制器的微环谐振器来调整滤波器波长。然而，加热器的功耗很高，而自由载流子会导致光吸收损耗，限制了向超大规模电路的可扩展性。我们展示了基于垂直可移动 MEMS 驱动环形谐振器的紧凑型分插滤波器的设计、仿真、制造和实验特性。MEMS 驱动的分插滤波器在 IMEC 的 iSiPP50G 硅光子平台中实现，并使用短后处理流程在晶圆级兼容工艺中安全释放悬浮的 MEMS 结构。该滤波器在 1557.1 nm 处表现出约 1 nm (124.37 GHz) 的直通端口线宽，并且在 27 V 的驱动电压下保持 20 dB 的端口消光和 > 50 dB 的端口隔离。低功耗和紧凑尺寸的结合证明了其适用于光子电路中的超大规模集成。© 作者。由 SPIE 根据 Creative Commons Attribution 4.0 International 许可证出版。分发或复制本作品的全部或部分内容需要完全署名原始出版物，包括其 DOI。[DOI：10.1117/1.JOM.2.4.044001]