在半导体和高级材料行业中需要使用非接触式和非毁灭性工具,以表征散装,薄膜和2D材料的电气性能。
power modules under low temperature variations A. Halouani a, * , Z. Khatir a , R. Lallemand a , A. Ibrahim a , N. Degrenne b a Gustave Eiffel University, Paris-Saclay University, ENS Paris-Saclay, CNRS, SATIE, 78000 Versailles, France b Mitsubishi Electric R&D Centre Europe, 1 Allée de Beaulieu, 35708 Rennes,法国摘要在本文中,提出了IGBT功率模块功率循环期间电锥降解的新寿命预测模型。该模型基于实验裂纹繁殖分析和塑性菌株经验定律。在实验中,在高压下分别在高压下进行开关模式下的两个电源循环测试,并使用温度摆动∆𝑇!= 30°𝐶和∆𝑇!= 40°𝐶和最小温度𝑇!,#$%= 55°𝐶。已经选择了DUTS和测试条件,因此仅观察到芯片顶部互连的降解。在测试期间测量了状态电压(V CE),作为导线降解的指标,金属化和样品在不同的衰老阶段进行除去。将去除的样品横截面以观察循环的裂纹传播演化。涉及塑性应变经验法,我们使用了文献的结果,这些结果显示了塑性应变(∆𝜀&')随链条接触裂纹生长的演变。作为结果,这种新的终身预测模型基于铝线键的修改法定定律IGBT的疲劳显示了测试结果的良好拟合,并用于预测寿命。最后,估算了经过测试的IGBT模块的寿命,并用于验证所提出的模型的有效性。1。简介
功率模块中的引线键合是封装中最薄弱的环节之一,通常会导致整个功率模块故障。与 CTE 不匹配相关的引线键合中的热机械应力会导致裂纹扩散到键合界面附近的区域。在本文中,键合过程后的扫描电子显微镜 (SEM) 分析清楚地显示了引线和芯片金属化界面附近的小晶粒和不同的纹理。为了提高引线键合的可靠性,建议在功率模块制造后进行热处理。热处理通过增加晶粒尺寸、降低位错密度和合并引线和金属化的晶粒,对键合区域产生积极影响。此外,已进行的功率循环显示,与由未经处理的相同(交付时)功率 IGBT 模块组成的参考产品相比,经过热处理的功率模块的使用寿命有所增加。
微镜◼1x4,1x8至1xn镜头阵列,具有完美对齐的镜头◼单元<0.6 x 0.6 x 0.6 x 1mmm³◼准入和重新聚焦◼大型尺寸和长距离
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“使用光子线键合在硅光子集成芯片上的包装可调单模III-V激光”,(2024)Deenadayalan等人,IEEE,IEEE 74th(ECTC),Denver,Colorado,Colorado,USA
单片微电路(或集成电路)。一种微电路,仅由在单个半导体基板上或内部原位形成的元件组成,其中至少一个元件形成在基板内。大多数合格的 QML 供应商都使用铝楔形键合,大概是为了保持 IC 上的键合为单金属。
楔形键合机使用超声波能量将金属线键合到金属基板上,整个过程仅需几毫秒。在大批量生产中,故障会导致停机和成本增加。在线监控系统用于减少故障并确定根本原因。我们开发并测试了一种算法来对超声波线键合生产中的异常值进行分类。该算法用于大型线楔形键合机,以测量和分析过程信号并检测和分类键合异常值。它可以帮助键合机操作员、生产主管和工艺工程师检测工艺偏差并解决潜在的根本原因。该算法测量键合信号,例如变形、超声波电流和超声波频率。根据键合顺序和工艺参数,键合会自动分为子组,然后对子组内的信号进行归一化。对于异常值分类,从归一化信号中提取特征并将其组合成故障类别值。污染、无线、高变形、线错位和基板不稳定等故障类别是独立计算的。我们测量了大型铝线键合故障类别的检测率,并演示了该算法如何根据信号计算故障类别值。此外,我们还展示了如何定义新的信号特征和故障类别来检测特定于生产或罕见的故障类别。关键词楔形键合机、超声波引线键合、异常值分类、键合故障、检测算法。