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World File Search System绝缘子
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在篮子编织和宗教仪式中使用的Kagome晶格（包括几何沮丧的角落共享三角形）已成为一个令人兴奋的平台，用于研究量子物理学中物质的奇异阶段，例如量子旋转液体，Chern Magnitism，Chern Magnisism，Chiral Chiral Charge Mentive Mentive Pover和Topodic offercatipation Polidsic officalistic topicalistic topical officatipation topicalistic topical officatipation topicalistic topical officatipation。尽管对kagome化合物产生了极大的兴趣，但该晶格内强拓制绝缘子的探索仍然很少。在这项工作中，我们提出了一个新的Kagome化合物家族，R V 6 GE 6（r =稀土原子），以容纳如此强大的拓扑绝缘体阶段。此阶段的特征是反向散射的弹性表面状态，其由由于带反转而产生的散装绝缘间隙保护。希尔伯特空间中频带结构的拓扑不变性使我们能够识别不同类别的间隙带结构，并确认在r v 6 ge 6中通过从头开始计算的费米能量附近的频段存在z 2的拓扑不变。我们的调查确立了R V 6 GE 6作为Kagome化合物中强大的拓扑绝缘子家族，进一步扩大了这种异国情调的晶格几何形状中的拓扑可能性。值得注意的是，费米能量附近的电子结构以钒kagome晶格平面为主导，这为从琐碎的带中孤立地研究Kagome物理学提供了令人兴奋的机会。此外，在R V 6 GE 6中观察拓扑绝缘体阶段，其中钒价状态在D轨道中，创造了一个前所未有的机会，通过在钒层中的掺杂液中引入拓扑状态，并引入了钒站点，并引入了不合规的d -electrons。
![arxiv：2309.16548v2 [cond-mat.mes-hall] 2024年4月1日](/simg/c\cc51862991d185713f2541402d882e1ef81a7721.webp)
arxiv：2309.16548v2 [cond-mat.mes-hall] 2024年4月1日
近期的显着实验已经观察到零场的分数量子异常霍尔（FQAH）效应，并且在扭曲的半导体双层t mote 2中的异常高温度，因此是第一个真实的分数分数Chern绝缘子。令人着迷的观察结果，例如观察到分数霍尔效应的扭曲角度的不存在整数大厅效应，但确实无法解释。实验相图作为扭角的函数仍有待确定。通过综合数值研究，包括纠缠光谱，我们表明，在整个扭曲角范围θ≤4°整个竞争状态的能量及其能量差距上，带对竞争状态的能量及其能量差异具有很大的定性和定量作用。这为对众多相关的Moir'E超级晶格以及对这些引人入胜的系统的相图的理解而进行了现实研究奠定了基础。
石墨烯，一种具有卓越电子特性的材料Modou B. Ndiaye，Anthony Geha，Yago Aguado
石墨烯是二维，即单层原子，蜂窝半金属由碳独特组成，由1.42Å长的共价键一起固定在一起。结构，它是在六角形晶格中组织的，其中每个碳原子都与其最近的三个邻居粘合。总体上，二维晶格是绝缘子，但是石墨烯是一个例外，它是半金属的。将石墨烯层组合在一起，我们得到了石墨，例如在铅笔中发现的一种非常常见的材料，它是热和电的良好导体，但其在Resarch和Industry中的潜力是石墨烯的形式。的确，石墨烯在许多领域都表现出了显着的特性，许多人认为，通过创建石墨烯超级电容器，它将带来电子革命。通过利用
Mn -rich MNSB2TE4：在45–50 k
量子异常霍尔效应（QAHE）提供了量化的电导和无损传输，而无需外部磁场。[1]为此目的[2-4]将铁磁性与拓扑绝缘子结合起来的想法促进了材料科学。[5,6]这导致了QAHE在Cr-和V掺杂（BI，SB）2 TE 3 [7-11]中的实验发现，并在霍尔电阻率上进行了预先量化的量化值，以至于均为每百万个次数。[12–15] V或Cr替代的稳定3 +构型通过耦合过渡金属原子的磁矩来实现铁磁性，从而实现铁磁性。因此，通过垂直磁化 - 在拓扑表面状态的狄拉克点上的间隙开口，时间反转对称性被损坏。[2-5]该差距具有预先量化的电导率的手性边缘状态。但是，
实验系统，用于连续监测架空电源线和变电站绝缘
摘要。本文介绍了一种系统，用于根据安装在塔和绝缘体上的传感器来监视高架电源线和变电站的绝缘条件。传感器在电容耦合上与绝缘结构一起工作，并在绝缘子附近注册电气放电的外观和生长。传感器的数据具有预定频率（从1分钟或更长时间）是将蜂窝通信传输到操作服务计算机（智能手机），并显示为更改屏幕上的图形。在本文中，提出了系统的运行和功能图，并在实验室和现场条件下使用了110 kV线的实验室和现场条件中的制成产品样品进行了描述的测试和实验结果。现场实验的结果显示了与传统诊断设备相比，监测绝缘材料的优势。
组合的2Ω/3Ω方法用于测量...
本研究的重点是建立和验证一种方法，以准确测量非常导电薄膜的平面内电导率，例如单晶金属或半导体，2D和纳米结构材料。通过整合2Ω和3Ω测量值，该方法对绝缘叠层器的浅表热边界电阻不敏感，从而可以精确地估计在子材料或多层堆栈顶部生长的导电膜的平面热膜内热性能。该提出的技术用于分析硅在绝缘子堆栈中的导热率，其顶层由340 nm厚的单晶硅硅组成。测量是在250至325 K的温度范围内进行的。结果证实了该方法正确评估硅膜的热导率降低的能力与大量值相比，这表明了其对导电薄膜导电性表征的可靠性。
磁性绝缘体和超导体的有限大小异质结构的拓扑特性
二维（2D）板和一维（1D）纳米替伯苯格几何形状的磁性拓扑绝缘子（MTIS）和超导体（SCS）的异质结构已预计宿主分别为宿主，手给了Mathiral Majoragana（Maginala Majorana Edge States（CMESS）和Majorana Boundana Boundate（Majorana Boundate）。我们研究了这种MTI/SC异质结构的拓扑特性，随着几何形状从宽平板变为准1D纳米替比系统的变化，并随着化学电位，磁掺杂和诱导的超导配对电位的函数。为此，我们构建了有效的对称性受限的低能汉密尔顿人，以解决真实空间的结构。对于具有有限宽度和长度的纳米替物几何形状，我们观察到以CMES，MBS和共存的CMES和MBS为特征的不同相，因为化学电位，磁性掺杂和 /或宽度是不同的。
确定与inxga1 -xn中金属 - 胰蛋白过渡相对应的临界依赖组合物（0.06⩽X⩽0.135）层
在X GA 1 x N合金中的低温电导率（0.06 6 x 6 0.135）被分析是inimium成分（x）的函数。尽管我们的X GA 1 x N合金位于金属 - 绝缘体过渡的金属侧，但Kubo-Greenwood和Born方法都无法描述X GA 1 x N合金中的运输特性。此外，所有X GA 1 x N合金中的所有内容都在其电导率较低的Ioeffe -Regel制度下方进行。在缩放理论的框架中讨论了观察到的行为。随着依赖性组成的减少，观察到热活化能的降低。对于金属 - 绝缘子的跃迁，在x Ga 1 x N合金中获得临界依赖组成为x c = 0.0543。2009 Elsevier B.V.保留所有权利。
