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我们提出了一种新的形式主义和有效的计算框架，以研究第一原理的绝缘体和半导体中的自我捕获的激子（Stes）。使用多体伯特盐方程与扰动理论结合使用，我们能够在扰动方案中获得模式和动量分辨的激子耦合矩阵元素，并明确求解电子（孔）的真实空间定位，以及晶状体变形。此外，这种方法使我们能够计算Ste势能表面并评估Ste形成能量并变化。我们使用二维磁性半导体铬铬和宽间隙绝缘子Beo证明了我们的方法，后者具有深色激子，并预测其stokes spriances and Cooherent phonon的产生，我们希望我们能引发未来的实验，例如未来的光发光和瞬时吸收研究。
从头算自被捕的激子
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