机构名称：
¥ 2.0
研究了嵌入光学微腔的二维材料中两个激子之间的量子纠缠。计算了耦合到单个腔模的两个量子比特的 Jaynes-Cummings 类哈密顿量的能量本征态。通过计算每个本征态中两个量子比特之间的并发度，估算了这些状态之间的量子纠缠。根据我们的计算结果，如果系统在低温下仅通过发射腔光子进行衰变，则存在一个最大纠缠本征态，从而避免衰变。我们证明了这种状态的存在导致了一个违反直觉的结论：对于系统的某些初始状态，腔泄漏的事实实际上会导致平均光子寿命时间尺度上的平均并发度增加。通过对三量子比特模型的简单分析，我们证明了量子比特数的增加可以提高纠缠保持的概率。此外，我们计算了应变石墨烯单层中一对激子之间的并发随时间的变化。
两个激子之间的量子纠缠
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