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剥离 ZrSe 3 中激子的强各向异性应变可调性 Hao Li、Gabriel Sanchez-Santolino、Sergio Puebla、Riccardo Frisenda、Abdullah M. Al-Enizi、Ayman Nafady、Roberto D'Agosta *、Andres Castellanos-Gomezgi * Hao Liebla、Dr. Sergio Puebla。里卡多·弗里森达 (Riccardo Frisenda) 博士Andres Castellanos-Gomez 材料科学工厂。马德里马德里科学研究所 (ICMM-CSIC)，马德里，E-28049，西班牙。电子邮件：Andres.castellanos@csic.es Gabriel Sanchez-Santolino GFMC，马德里康普顿斯大学材料物理系和多学科研究所，28040马德里，西班牙 1，沙特阿拉伯教授。 Roberto D'Agosta 纳米生物光谱组和欧洲理论光谱设施 (ETSF)、聚合物和先进材料系：物理、化学和技术、巴斯克大学 UPV/EHU、Avenida Toulouse 72、E-2018 西班牙巴斯蒂安，FUEU，圣塞巴斯蒂安科学中心，Plaza Euskadi 5，E-48009 毕尔巴鄂，西班牙电子邮件：roberto.dagosta@ehu.es 关键词：三硒化锆 (ZrSe 3 )、2D 材料、应变工程、各向异性、带隙 我们研究单轴应变对 Zr-Seco 带结构的影响，其中半导体以 3 结构各向异性为标志。利用改进的三点弯曲试验装置，使薄 ZrSe 3 薄片沿不同的晶体取向受到单轴应变，并通过微反射光谱监测应变对其光学特性的影响。获得的光谱显示出在单轴拉伸时发生蓝移的激子特征。这种转变在很大程度上取决于施加应变的方向。当薄片沿 b 轴受拉时，激子峰偏移约 60-95 meV/%，而沿 a 轴，偏移仅达到约 0-15 meV/%。采用从头算方法研究了沿不同晶体方向施加单轴应变对ZrSe 3 的能带结构和反射光谱的影响，结果与实验结果高度一致。 1. 简介
1 激子的强各向异性应变可调性...
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