机构名称：
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在狭窄的间隙半导体或半学中，当带隙能量小于电子孔结合能时，电子和孔之间的有吸引力的库仑力可以诱导激发剂绝缘体（EI）基态。图1A中说明了规范相图。EI相在半导体相（E G> 0）和半阶段（E G <0）之间出现。相对向EI状态的相变是电子孔对的Bose-Einstein凝结。如图1b所示，电子和孔之间的有吸引力的库仑力在EI阶段在费米水平上产生带隙。1960年代的开创性理论（Mott，1961; Jerome等，1967; Zittartz，1967; Halperin and Rice，1968）之后进行了更详细的理论著作，揭示了BCS-BEC交叉从半导体侧到相图（Bronold and Fehske，2006; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronord; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; 2008; Phan等人，2010年）。尽管有理论成就，但对EIS的实验研究仅限于诸如TM（SE，TE）之类的少数材料（Neuenschwander and Wachter，1990; Bucher等，1991; Wachter等，2004）。ei的性质（se，te）并非部分原因是由于其磁性。Tise 2表现出电荷密度波（Disalvo等，1976）。通过角度分辨光发射光谱（ARPES）研究了电荷密度波的起源（Pillo等，2000； Rossnagel等，2002； Qian等，2007； Zhao等，2007）。虽然在早期
激子绝缘子候选ta2nise5和相关...
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