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亲爱的编辑，铁电隧道FET（FETFET）是关于新型低功率电子设备的越来越重要的研究主题[1，2]，因为铁电气材料的负电容效应有助于提高潜在的通道并增加TFET中的状态电流。铁电疗法显示辐射性能对辐射的辐射硬性能，这对于基于这种苛刻环境中使用的这种材料的设备很有帮助[3，4]。单事件传播（集合）效应是由空间或陆地辐射环境中的高能量颗粒引起的，这可能会导致软错误的可能性，甚至可能导致航天器中的灾难性事故[5，6]。对重离子打击下FETFET的辐射效应的搜索对于评估这些设备在太空环境中的潜在误差非常重要。为了提高设备的性能，我们提出了一种新的硅在绝缘子双门栅极FETFET（SOI DG-FETFET）中，并使用Si：HFO 2铁电栅极介电。使用Synopsys Sentaurus Tech-Nology Computer Adided Design（TCAD）Simulator [7]研究了SOI DG-FETFET中的单事件传播效应[7]。设备结构和仿真设置。
硅在绝缘子中的单事件传播效应...
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