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nesoi -dgres -aegean-欧盟群岛的清洁能源
问：该项目对当地公民有何影响？当地专业人员参与其中吗？A：该项目通过减少能源贫困来影响公民。地方政府将参与市政光伏的安装。可能有必要租用房屋以将其设置在那里 - 这是当地社区涉及的一点。在Onouses和Psarras上，通过这些岛上混合动力站的电力质量和可用性的提高有望减轻由于将岛屿连接到Chios或发电的故障连接到岛屿的海底电缆损坏而导致的断电。在项目的建设阶段，预计当地专业人士和工匠以及当地企业的材料供应将有就业机会。最后，该项目的实施将为这些岛屿和学术领域的这些岛屿带来更多可见性。
SWS 6804建模土壤，水和生态系统过程
本课程与土壤水和生态系统科学计划中的学生学习成果有关：越来越多地使用动态模型来解释经验数据。说明性模型将作为基本建模宗旨的介绍，例如状态/流动关系，质量/能量平衡，稳定性和吸引子以及预期结果。本课程允许学生进行1）概念化研究问题并探索可测量变量之间的关系以开发研究假设2）讨论数据（例如，学生的研究数据）如何专门用于开发和改进模型3）发现构建动态模型是可获得的，即使重点是实验室和现场工作，也可以将动态模型集成到研究项目中。一起，这些技能构成了土壤水和生态系统科学中批判性思维和定量科学的发展和应用的支柱。
在FDSOI 28 nm和BICMOS 55 nm
摘要 - 本文的上下文是低功率应用：RF能量收集。在本文中，我们比较了用两种不同的技术实现的两个迪克森电压直流的性能：FDSOI 28 nm和BICMOS 55 nm。两种技术中二极管的I-V特性的测量表明，与BICMOS相比，FDSOI显示出较小的阈值电压和泄漏电流较小。也通过测量结果确定，用FDSOI实现的直接效力的效率优于使用BICMOS获得的直径的效率。此外，研究了后门极化（BGP）在FDSOI中的影响，并提出了新型的动态BGP。在FDSOI中实现了44％的功率转化效率（PCE），而BICMO中观察到37％的PCE。
芯片CMOS S＆H电压传感器的比较研究：SOI与散装
摘要 - 本文评估了两个芯片样品和持有（S＆H）电压传感器的性能，可用于功率完整性测量，目的是比较硅启用器（SOI）和散装CMOS技术。使用优化的参数和兼容的设备在180 nm 5 V AMS-bulk和XFAB-SOI过程中设计和模拟了两个传感器。分析的基本变量是功耗，泄漏电流，回弹率（SR）和瞬态输出电压，正在处理，电压和温度变化。与散装技术相比，SOI的功耗较低（平均为2.2兆瓦）和泄漏供应电流（在27○C时为9.5 PA），对过程变化的敏感性较高（额外的回转率最高为88％，而在80○C时为39％），对温度变化的弹性更高（在输出Voltage中的6％）和更大的占用区域（6％）和较大的占用区域。SOI传感器旨在制造并用于评估注入的连续波和瞬态干扰以及由于功率分布网络上的内部活动而引起的电压弹性。索引项 - 整合电路，电压传感器，SOI，PVT，功率完整性
植物和土壤科学 - 课程
土壤4363环境土壤科学先决条件：生物1114或（Biol 1113和Biol 1111）和土壤2124。描述：土壤科学概念的重新强调对于理解土壤生态调节剂功能领域内的过程至关重要；关于土壤作为森林，牧场/牧场，农业，城市和郊区以及湿地生态系统的作用的讨论；土壤过程对全球环境问题的影响；土壤是废物的最终接受者；土壤过程对地下水和地表水质的影响。与Envr 4363相同的课程。先前提供为AGRN 4363的课程。不得与土壤5363的学位学分一起使用。学分：3个联系时间：讲座：3联系：3级：本科日程类型：讲座部/学校：植物和土壤科学
FDSOI 技术中关键路径老化的活动感知预测
摘要 — 现代 CMOS 技术（例如 FDSOI）受到严重老化效应的影响，这种老化效应不仅取决于与纳米级技术相关的物理问题，还取决于电路环境及其运行时活动。因此，很难为关键路径估计建立可靠的先验保护带，通常会导致较大的延迟损失（从而导致性能损失）或过短的工作寿命。在本文中，我们提出了一种使用机器学习技术的方法来获得近关键路径老化的可靠预测。从一组有限的测量和模拟数据开始，我们的框架能够根据物理参数、环境条件和电路活动准确估计关键路径延迟随时间下降的情况。此外，还应用相应的回归模型来获得动态老化感知的操作性能点选择策略。
从重金属中隔离土壤微生物种群
摘要：当存在有毒水平时，许多金属对生命至关重要，对人类，动物，植物和微生物有害。土壤中重金属的发生主要归因于工业，采矿和农业活动。这项研究的重点是将土壤微生物种群与重金属污染的土壤中分离，并确定重金属对从金属行业地点收集的细菌种群的最低抑制浓度（MIC）。土壤中的重金属污染构成了重大的环境挑战。研究中确定的微生物群落包括两组：重金属耐药和敏感人群。抗性微生物分离株包括假单胞菌，芽孢杆菌，小杆菌和微球菌等物种。在土壤培养基中评估了分离株的MIC，以评估镉（CD），铬（CR），镍（Ni）和铅（Pb）等金属。孤立的重金属细菌可能有效，可用于重金属污染土壤的生物修复。关键字： - 被污染的土壤，重金属，生物修复，土壤微生物。
使用 3D 量子 TCAD 模拟解释在 1.4 K 下获取的 28 nm FD-SOI 量子点传输数据
摘要 — 采用标准制造技术制造的纳米级 CMOS 量子点器件在低温下的可靠运行对于量子计算应用至关重要。我们研究了使用意法半导体标准制造工艺在极低温度下制造的超薄体和埋氧 (UTBB) 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 量子点器件的行为。使用 Nanoacademic Technologies 最近开发的 3D 量子技术计算机辅助设计 (QTCAD) 软件模拟和分析了量子点器件的性能，实现了低至 1.4 K 的收敛。在本文中，我们介绍了这项工作的初步模拟结果，并将其与从同一器件的测量中收集的实际实验数据进行了比较。关键词-FD-SOI CMOS、硅量子点、量子计算、3D TCAD 模拟、低温
一种可调且多功能的 28nm FD-SOI 交叉输出电路，用于通过 eNVM 突触进行低功耗模拟 SNN 推理
关键词；UTBB 28nm FD-SOI、模拟 SNN、模拟 eNVM、eNVM 集成。2. 简介基于新兴非易失性存储器 (eNVM) 交叉开关的脉冲神经网络 (SNN) 是一种很有前途的内存计算组件，在边缘低功耗人工智能方面表现出卓越的能力。然而，eNVM 突触阵列与 28nm 超薄体和埋氧全耗尽绝缘体上硅 (UTBB-FDSOI) 技术节点的共同集成仍然是一个挑战。在模拟脉冲神经网络 (SNN) 中，输入神经元通过一电阻一晶体管 (1T1R) 突触与输出神经元互连，计算是通过突触权重将电压尖峰转换为电流来完成的 [1]。神经元将尖峰积累到预定义的阈值，然后产生输出尖峰。神经元区分和容纳大量突触和输入脉冲的能力与神经元放电阈值的电压摆幅直接相关。这主要取决于膜电容、突触电荷的净数量和低功率神经元的阈值 [2]。