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NEA-GAAS的光发射特性
我们已经研究了通过重复热预处理和负电子亲和力（NEA）激活周期制备的GAAS表面的光发射特性。表明，光发射效率随预处理序列发生了巨大变化。我们已经用两个具有不同量子效率的GAAS样品讨论了光发射特性，并发现量子效率随预处理序列的变化与量子效率的绝对值无关。此结果表明电子的发电和传递和发射是独立的过程。我们还讨论了新型的NEA激活方法，该方法有望改善光发射特性。I.引言碱金属在半导体表面上的吸附是从科学和实践的角度来看的重要系统，并且多年来已经对许多人进行了研究。例如，当电子亲和力的GaAS半导体大约为4 eV，因为大量条件会通过CS的交替供应和O 2（或NF 3）的交替激活，其表面的真空水平位于大量导带以下，并且该条件定义为负电子亲和力（NEA）。当光子能量在GAAS带隙能（E G = 1.4 eV）附近的激发灯照亮表面时，Valence Electron会激发到最小的传导带，并可以轻松逃脱到真空中。NEA-GAA具有很大的优势，例如自旋极化，低发射率，短束和高量子效率（QE）电子束，并且NEA-GAAS表面已被用作1970年代1的加速器的光（1）。碱金属在GAAS表面上的吸附已被广泛应用于各种场，但尚未详细阐明其吸附结构和光发射机制。将光发射过程的定性或现象学解释提出为Spicer的三个步骤模型2），并且吸附结构由多种模型（例如Hetero Junction，cluster或偶极模型3,4）预测。很难用碱金属和氧原子的几个单层观察到实际的NEA结构，因为在真空中，热环境和残留气体很容易降解NEA-GAAS表面。这些结构变化降低了NEA-GAAS光电的性能。最后，我们将简要提出新型的NEA激活方法。有可能改善光发性属性。
增强的定向光发射辅助...
增强的定向光发射，由圆形腔 / stella的谐振bloch表面波辅助。 Boarino，L。； De Leo，N。； Munzert，P。; descrovi，e ..- in：ACS光子学。- ISSN 2330-4022。-6：8（2019），pp。2073-2082。[10.1021/acsphotonics.9b00570]
势垒附近的纳秒光发射...
时间分辨电子显微镜引起了人们的极大兴趣，可用于研究空间分辨率低于光学衍射极限的超快分子、表面和体积动力学[1–8]。为了实现最佳成像条件，需要精确控制自由电子的发射和传播，这些控制现在也推动了电子-物质相互作用实验[9–14]和显微镜设计[15–18]的进步。对于任何电子显微镜，由于稳定性、相干性以及空间、时间和光谱分辨率之间的权衡，电子发射器和发射机制的选择限制了可实现的成像条件。包含大量电子的短脉冲可用于减少显微镜的曝光时间，并且是生成不可逆动力学的单次图像所必需的，这需要每个脉冲多达 10 9 个电子，但库仑相互作用会展宽大电流脉冲的空间和能量分布，增加像差并降低分辨率[5]。在较长的脉冲中，这些效应会被抑制，大量电子可以在纳秒脉冲包络内传播，同时仍能保持研究相变、反应动力学和蛋白质折叠等过程所需的时间分辨率[19–22]。此外，纳秒脉冲非常适合依赖快速电子门控的仪器，如多通透射电子显微镜[23–25]。这些脉冲可以通过使用光束消隐器及时过滤电子束来产生，也可以通过短激光脉冲触发发射[26]。消隐器通常与连续电子源集成在一起，可以模糊或位移电子束[27]。或者，激光触发需要对电子源进行光学访问，但会引入不同的自由度来控制光发射脉冲的电流、时间持续时间和能量扩展。
光发射光谱传感器终点检测解决方案
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PBTE的光发射中的光子散射（111 ...
据我们所知，本手稿是第一个全面的多体光发射框架，其中包括相干的三体电子 - 光子 - photon-Phonon散射，以预测来自单晶光子座的体积光电子的跨性能分布和平均横向能量（MT）。需要开发这种理论的需求源于缺乏研究，这些研究提供了对管理从单晶发出的光电子横向动量分布的基本基本过程的完整理解。例如，基于密度功能性电子质量的密度官能理论计算的初始谓词表明，PBTE的（111）表面会产生非常小的MTE（≤15meV），而我们的实验产生的MTES比这些预测大十到二十倍，并且还表现出比较低的光学发射阈值比预测较低的预测。本手稿中介绍的AB从头算框架正确地从我们的PBTE（111）中的测量值和在预测阈值下方观察到的光学范围中从我们的测量中重现了MTE的大小。我们的结果表明，在大部分材料和相干的多体电子散射过程中，两种光兴奋的状态都在忽略的初始预测中，它们在PBTE的光发射中起着非常重要的作用（111）。最后，从所吸取的教训中，我们建议一项程序，以快速计算对下一代超快电动局部应用的潜在单晶光阴极和X射线自由电子激光器的应用，这将使在凝聚力问题研究中实现可显着的进步。
氧修饰Crcl3表面的同步辐射光发射光谱
科学技术学院的卡梅利诺大学，通过麦当娜·德尔·普里索（Madonna Delle Priso）9，62032卡梅利诺（Camerino），MC，意大利。e-mail: roberto.gunnella@unicam.it B Department of Physical and Chemical Sciences (DSFC), University of L'Aquila Studies, Via Vetoio 10, 67100 L'Aquila, Italy C Institute of Structure of the Matter-Cnr (ISM-CNR), S.S. 14, km 163.5, 34149 Trieste, Italy d faculty of applied physics and数学和高级材料中心，Gdansk技术大学，UL。narutowicza 11/12，80-233 GDANSK，波兰，波兰和物理系科学技术部拉合尔大学拉合尔大学，巴基斯坦Jauharabad校园，巴基斯坦F CN-Spin us l'aquila，Via Vetoio 10，67100 l'aquila via vetoio l'aquila，意大利vetoio 10，67100 l'aquila，意大利g iffn-ifnyaly g infn-g infn-sez。Perugia，通过意大利Pascoli Perugia†电子补充信息（ESI）。参见doi：https：//doi.org/ 10.1039/d2cp04586a
来自重复slab带结构计算的角度分辨光发射光谱的计算方法
在光发射的一步模型中报告了一种用于角度分辨光发射光谱（ARPES）计算的多功能方法。初始状态是使用投影仪调节波（PAW）方法从重复slab计算获得的。arpes最终状态是通过将正能量的重复标记特征状态与满足时间转移的低能量电子衍射边界条件相匹配的。匹配方程的非物理解（不尊重频道保护）被丢弃。该方法应用于石墨烯的表面正常光发射，这是光子能量从阈值到100 eV的函数。将结果与独立执行的多个散射计算进行了比较，并获得了非常良好的一致性，前提是使用从爪子伪载体重建的全电子波来计算光发射矩阵元素。但是，如果直接使用了伪瓦，则通过数量级，σ-和π频带发射之间的相对强度是错误的。石墨烯ARPES强度具有强大的光子能依赖性，包括共振。来自π带的正常发射光谱在31 eV的光子能量下显示了迄今未报告的尖锐共振。共振是由于二维间互间跃迁引起的，并突出了最多的矩阵元素效应的重要性，而不是最终状态平面波近似。
聚焦离子束铣削卤化物钙钛矿器件横截面的光发射
Baba , A.、Bai , D.、Sadoh , T.、Kenjo , A.、Nakashima , H.、Mori , H. 和 Tsurushima , T. (1997)。硅晶体中辐射诱导缺陷和非晶化的行为。物理研究中的核仪器和方法。 B 部分：光束与材料和原子的相互作用，121（1 – 4），299 – 301。，Li，X.，Qi，J.，Yu，D.，Li，J.和Gao，P.（2018）。从原子尺度洞察甲基铵碘化铅钙钛矿的结构不稳定性及其分解途径。自然通讯, 9 (1), 4807。陈绍军, 张颖, 张鑫, 赵建, 赵哲, 苏鑫, 华哲, 张建, 曹建, 和冯建军 (2020)。有机-无机杂化钙钛矿通过中间超结构的一般分解途径及其抑制机制。先进材料, 32 (29), 2001107。Cortecchia, D., Lew, K. C., So, J.-K., Bruno, A., & Soci, C. (2017)。多维钙钛矿薄膜中自组织异质相的阴极发光。材料化学, 29 (23), 10088 – 10094。Dar, MI、Jacopin, G.、Hezam, M.、Arora, N.、Zakeeruddin, SM、Deveaud, B.、Nazeeruddin, MK 和 Grätzel, M. (2016)。 CH3NH3PbI3-xBr x 钙钛矿单晶中的不对称阴极发光发射。 ACS Photonics, 3 (6), 947 – 952。Divitini, G., Cacovich, S., Matteocci, F., Cinà, L., Di Carlo, A., & Ducati, C. (2016)。原位观察钙钛矿太阳能电池的热致降解。自然能量, 1 (2), 15012。http://dx.doi.org/10.1037/0021-843X.111.1.15012 Drouin, D., Couture, R., Joly, D., Tastet, X., Aimez, V., & Gauvin, R. (2007)。 CASINO V2.42 — 为扫描电子显微镜和微分析用户提供快速且易于使用的建模工具。扫描, 29 (3), 92 – 101。Ferrer Orri, J.;莱内曼，J.；普雷斯塔特，E.；约翰斯通，DN； Tappy，N.LightSpy。 2021. Giannuzzi, LA、Geurts, R. 和 Ringnalda, J. (2005)。 2 keV Ga + FIB 铣削可减少硅中的非晶损伤。显微镜和微分析，11（S02），828-829。离子偏析对混合卤化物钙钛矿薄膜局部光学特性的影响。纳米快报, 16 (2), 1485 – 1490。Hidalgo, J., Castro-Mendez, A., & Correa-Baena, J. (2019)。钙钛矿太阳能电池的成像和映射表征工具。先进能源材料, 9 (30), 1900444。Huh, Y., Hong, K. J., & Shin, K. S. (2013)。聚焦离子束铣削在金属和电子材料中引起的非晶化。显微镜和微分析，19 (S5)，33 – 37。Jeangros, Q., Duchamp, M., Werner, J., Kruth, M., Dunin-Borkowski, RE, Niesen, B., Ballif, C., & Hessler-Wyser, A. (2016)。原位 TEM 分析
调整具有应变耦合效果的Si Micropillar量子点发光设备阵列的光发射
使用光学信号摘要来实现应变信号的传感是触觉传感器的有希望的应用。但是，大多数研究现在都集中在Piezophotronic LED阵列上，这些LED阵列很难纳入基于SI的半导体行业。由于SI间接带隙引起的基于SI的设备的光电性能不佳，因此使用SI构造高密度发光设备一直是一件具有挑战性的。在这里，设计和制造了由P-SI微柱组成的基于SI的量子点发光装置（QLED）阵列，并研究了SI中应变偶联效应对基于SI基QLEDS的电致发光性能的机制。QD的引入很容易提供有效且可调节的光发射，并满足不同实际应用的要求。QLED的发射强度取决于注入的电流密度，并且可以通过应变耦合效应调节载体的运输过程。基于SI的光子设备与压力传感的组合可能会对电子皮肤和人类机器界面的领域产生重大影响。更重要的是，这项技术与主要基于SI的半导体行业完全兼容。因此，它在实现大规模的光子设备并扩展其应用程序场的整合方面表现出了希望。
无铅的1D混合钙壶的原子薄片具有可调的白色光发射，来自自被捕的激子
材料可以理解为parter骨钙钛矿AMX 3不同晶体学方向的切口（a =小有机或无机阳离子，例如CS +或CH 3 NH 3 +; m = M = divalent Metal，如Pb 2 +或Sn 2 +或Sn 2 +; x +; x = cl，br或i）。这是通过使用较大的有机阳离子（例如烷基烷基或芳基铵离子）来实现的。[2]所产生的2D结构可以被视为一个被两个有机屏障的无机层的理想量子孔。可以通过改变无机层的厚度[3]来调节此类量子井的光学性质，并结合材料的无机和有机合并的自由度，提供了丰富的化学，结构性，结构性的可爱性。[4]这些材料可以故意选择构建块，以设计2D材料的设计。已建立的2D材料为基础研究和应用提供了一个极好的平台，包括诸如极性物理现象，[5]超导性，[6]和电荷密度波[7]以及水的纯化，[8]光发射diodes，[9] Photovoltaics，[9] PhotoVoltaics，[10]和Sensing and Sensing and Sensing。[11]这个宽范围内在地渗透了分层钙钛矿和2D材料的组合将提供结合许多特性的高级多功能结构。