摘要。在本文中,我们提出了一项活动,以介绍公钥加密PHY的概念,并使服务前的STEM教师探索基本信息学以及Mathemati Cal概念和方法。我们遵循教义工程方法中的教学情况理论(在数学教育研究中广泛使用),以使用图形设计和分析有关不对称加密的教学情况。遵循教学工程的阶段,在对内容的初步分析,教学环境的限制和构成之后,我们对情况进行了构思和分析,并特别关注环境(学生可以与学生互动)以及对教学变量的选择。我们讨论了他们对参与者详细说明加密信息所需的解决问题策略的影响。我们实施了我们的情况并收集了定性数据。然后,我们分析了后验参与者使用的不同策略。A后验分析与先验分析的比较显示了活动的学习潜力。要详细阐述不同的解决问题的策略,参与者需要探索和理解数学,信息学和两个学科的前沿中的几种概念和方法,并在不同的符号簿之间移动。
Mansour Aouassa、Saud Algarni、Ibrahim Althobaiti、Luc Favre、Isabelle Berbezier。通过固态脱湿绝缘体上硅生长的硅纳米晶体的高灵敏度 MIS 结构,可用于太阳能电池和光电探测器应用。《材料科学杂志:电子材料》,2022 年,33 (24),第 19376-19384 页。�10.1007/s10854-022-08774-w�。�hal-03988811�
标准IWP设备•篮子控件•500kV锋利的电击环•测试带和盾牌•密封的玻璃纤维夹具组装•两人,36'x 72''(914 x 1829 mm)篮子•1,000 lb(454 mm)容量(454 mm)容量充电器•工厂安装•侧架,绝缘的臂臂选项•765kV•单人或定制篮•液压发音•900-1,200 lb(408-544 kg)旋转篮•45°JIB电源
在狭窄的间隙半导体或半学中,当带隙能量小于电子孔结合能时,电子和孔之间的有吸引力的库仑力可以诱导激发剂绝缘体(EI)基态。图1A中说明了规范相图。EI相在半导体相(E G> 0)和半阶段(E G <0)之间出现。相对向EI状态的相变是电子孔对的Bose-Einstein凝结。如图1b所示,电子和孔之间的有吸引力的库仑力在EI阶段在费米水平上产生带隙。1960年代的开创性理论(Mott,1961; Jerome等,1967; Zittartz,1967; Halperin and Rice,1968)之后进行了更详细的理论著作,揭示了BCS-BEC交叉从半导体侧到相图(Bronold and Fehske,2006; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronord; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; Bronold; 2008; Phan等人,2010年)。尽管有理论成就,但对EIS的实验研究仅限于诸如TM(SE,TE)之类的少数材料(Neuenschwander and Wachter,1990; Bucher等,1991; Wachter等,2004)。ei的性质(se,te)并非部分原因是由于其磁性。Tise 2表现出电荷密度波(Disalvo等,1976)。通过角度分辨光发射光谱(ARPES)研究了电荷密度波的起源(Pillo等,2000; Rossnagel等,2002; Qian等,2007; Zhao等,2007)。虽然在早期
根据文献和我们的经验,由于多个绝缘缺陷而产生的电弧是锂离子电池起火的重要原因 [1, 2]。其结果是电池的部分或全部短路,而传统的全系统保护装置(电池管理系统 (BMS) 和保险丝)却不起作用。在这种情况下,与 [3] 有关热失控是否从单个电池蔓延到其他电池的研究不同 [4],多个电池可能同时进入热失控状态。风险是短路回路中的所有蓄电池同时热失控,火势非常迅速,可燃气体大量产生,能量释放。我们的研究工作的一部分是表征蓄电池内部保护装置的最大断路功率 [5]。这项工作表明,内置电池保护装置无法在这种情况下断路电流。因此,必须在所有情况下实施有效的绝缘策略。在本文中,我们研究了创建正确隔离的电池系统需要考虑的各种概念。
拓扑绝缘体是凝聚态物理学中很有前途的材料,因为它们具有特殊的自旋结构,可以产生非常高的自旋到电荷电流相互转换,这对于新兴的低能耗自旋电子学器件具有重要意义。本研究的目的是探索一类有前途的拓扑材料,这些材料具有高可调性等独特特性——半赫斯勒。我们专注于 PdYBi 和 PtYBi 薄膜的外延生长,这些薄膜是在一系列互连的 UHV 装置上生长和表征的,这使我们能够获得一整套原位表面表征,例如电子衍射、扫描隧道显微镜和角度分辨光电子能谱。使用标准 x 射线衍射和扫描透射电子显微镜进行非原位结构表征,用于控制薄膜中的晶体质量和化学有序性。进行了角分辨光电子能谱分析,结果显示布里渊区点附近存在线性状态。此外,我们使用设计了几何形状的片上器件进行热自旋传输测量,以控制热传播,以测试我们化合物的潜在相互转换效率,发现 PdYBi 和 PtYBi 在不同厚度下的自旋塞贝克系数值都大于铂。这一观察结果为使用半赫斯勒开发高效自旋相互转换材料开辟了道路。
1 洛林大学,CNRS,LEMTA,F-54000 南锡,法国 2 圣戈班巴黎研究中心,39 quai Lucien Lefranc,F-93303 奥贝维利埃,法国 3 巴黎高等矿业学院,92 Rue Sergent Blandan,54042 南锡,法国 摘要 本文介绍了一种简单的热表征方法,记为 CFM,用于测量高温(即高达 600°C)下绝缘材料的表观热导率。CFM 方法是一种稳态相对测量方法,需要校准。实验装置的校准是使用已知热导率的硅酸钙板进行的。在 100 至 600°C 之间对低密度可压缩纤维毡和高密度硅酸钙板进行了热导率测量。低密度纤维毡的保护热板 (GHP) 法和高密度硅酸钙板的平行热线 (PHW) 法所得值与实验值高度一致。通过测量不同表观密度的低密度纤维毡的表观热导率,结合简单的传导-辐射模型,可以估算出平均特定消光系数,该值与透射/反射测量得出的值高度一致。
微纳杂化气凝胶的另一个重要特征是其高吸附效率。这些材料有可能从空气、水和工业废水中捕获和去除各种污染物,如重金属、染料和有机化合物 [8]。气凝胶的大表面积加上多孔结构为污染物的吸附提供了丰富的位点,使其在环境清洁应用中非常有效。特别是废物衍生的气凝胶对有害物质表现出极好的吸附能力,有助于可持续的污染控制解决方案。将功能基团纳入气凝胶结构可以进一步增强吸附,从而能够选择性地去除特定污染物并提高材料的整体效率。
测量电路(终端之间的绝缘测量L(+) / L( - )和PE / KE)端子L(+)和L( - )连接到要监视的电源。损坏的电线检测在操作过程中不断有效,如果两个端子都没有通过电源与低电阻连接,则会生成错误消息。此外,必须通过单独的线将两个端子PE和KE连接到保护导体系统。如果中断一条线,此处也会给出一个错误消息(请参阅“连接故障的操作”部分)。如果主测量电路被激活(端子HM打开),则在L(+) / L( - )和PE / KE之间应用具有交替极性的主动测量电压,以测量绝缘电阻。在呈正极性的测量阶段,“ HM” LED闪烁具有长相期的频率,并且具有较短的同相的负极性。当主测量电路通过端子HM-G的桥梁关闭时,“ HM” LED熄灭。测量是悬挂的,并且不再需要测量电压到达测量电路,因此,如果将另一个绝缘监视器的网络耦合到网络中,则不会发生干扰。正值和负测量阶段的长度取决于旋转开关“ CE/µF”的设置,被监视网络的实际泄漏电容以及DC网络的实际泄漏电容,取决于可能的电源电压波动的水平和持续时间。因此,在不同的主电源条件下给出了正确的快速测量。在每个测量阶段结束时确定并分析当前的绝缘电阻。如果有特别不利的条件和重大干扰,则可以在必要时稳定和延迟测量分析。LED链显示了确定的电阻,并根据相应的响应值设置的前响应“大众”和警报“ AL”开关的输出继电器。如果响应阈值已降低,则根据绝缘故障位置的LED“大众”或“ Al”光:“+”,“” - “或“+”和“ - 对于交流断层或对称绝缘断层。
本研究报告了聚合物上硅 (SOP) 的制造。它描述了将直径为 200 毫米的硅薄膜从绝缘体上硅 (SOI) 衬底转移到柔性聚合物的过程。单晶硅膜的厚度小于 200 纳米,转移是通过使用粘合聚合物将 SOI 晶片粘合到临时硅载体上来实现的。研究了转移的各种参数:堆叠的粘附性、粘合温度、临时载体和 Si 膜厚度。通过机械研磨和化学蚀刻去除衬底和 SOI 埋层氧化物。将 Si 薄膜固定在柔性胶带上,然后卸下临时载体。成功获得了由柔性聚合物 (230 µm) 上 20 至 205 nm 的薄 Si 膜组成的 SOP。可以转移直径为 200 毫米的全晶片或图案化晶片。关键词:纳米材料、单晶、硅、键合 1. 简介