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先天免疫记忆 - 2024 年 11 月 13 日至 15 日
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通过爱因斯坦-波多尔斯基-罗森操纵远程产生的维格纳负性的量化
维格纳负性作为非经典性的著名指标，在连续变量系统的量子计算和模拟中起着至关重要的作用。最近，已经证明爱因斯坦-波多尔斯基-罗森转向是两个远程模式之间产生维格纳负性的先决条件。受现实世界量子网络需求的推动，我们从定量的角度研究了多部分场景中生成的维格纳负性的可共享性。通过建立类似于广义 Co ffiman-Kundu-Wootters 不等式的一夫一妻制关系，我们证明了维格纳负性的量不能在不同模式之间自由分布。此外，对于光子减法（实验实现的主要非高斯运算之一），我们提供了一种量化远程生成的维格纳负性的通用方法。通过这种方法，我们发现高斯可控性和产生的维格纳负性的数量之间没有直接的定量关系。我们的研究结果为利用维格纳负性作为基于非高斯场景的众多量子信息协议的宝贵资源铺平了道路。
摩尔多瓦技术大学爱德华大学莫妮科
这本书是我在摩尔多瓦技术大学国家材料研究中心研究和测试中的20年的结果，该大学的多孔半导体领域具有控制形态，并影响其特性。这本书基于作者以及主管和其他研究人员自2002年左右发表的大量论文和其他出版物。当然还包括与许多其他小组的结果进行比较。本书致力于与电化学蚀刻制造的多孔III-V和II-VI半导体化合物的制造和比较表征有关的问题。如今，半导体化合物的阳极化代表了一种成本效益的自上而下方法。 为了扩展应用的面积，提议将电化学蚀刻和脉冲的电化学沉积方法结合起来，以进行微纳米电视制造。 将在本书中详细讨论形态的多功能性和多孔半导体化合物的应用。 可以提及：电化学是以受控方式对半导体化合物的孔隙化的成本效益方法；半导体化合物中的毛孔类型；半导体化合物中孔的自我排序；多层多孔结构，调节孔隙度；根据提议的“跳跃电沉积”，通过脉冲电镀的脉冲电镀均匀沉积金属点的单层。自组织阵列的应用，包括金属功能化的孔。 奖学金如今，半导体化合物的阳极化代表了一种成本效益的自上而下方法。为了扩展应用的面积，提议将电化学蚀刻和脉冲的电化学沉积方法结合起来，以进行微纳米电视制造。将在本书中详细讨论形态的多功能性和多孔半导体化合物的应用。可以提及：电化学是以受控方式对半导体化合物的孔隙化的成本效益方法；半导体化合物中的毛孔类型；半导体化合物中孔的自我排序；多层多孔结构，调节孔隙度；根据提议的“跳跃电沉积”，通过脉冲电镀的脉冲电镀均匀沉积金属点的单层。自组织阵列的应用，包括金属功能化的孔。奖学金所给出的许多结果来自与Kornelius Nielsch教授的合作，在德国汉堡大学的亚历山大·冯·洪堡基金会（Alexander von Humboldt Foundation）向作者提供的研究奖学金（2012- 2014年）（2012-2014）和金属材料研究所（IMW），Leibniz Marchany and Mavristern（如果Dres）（IFW DRES）（IFW DRES），该研究所（IFW） 2018）。
圣玛丽罗马天主教教区
多米尼克·阿巴特 奥利弗·德里斯科尔 CJ·哈格罗夫 迈克·墨菲 弗兰克·安杰洛尼 克莱尔·邓恩 伯纳黛特·海斯利普 卡罗尔·贝基 吉恩·班格尔 杰克·埃基莫格鲁 蒂姆·海斯利普 凯茜·帕加诺 吉姆·巴特斯比 韦恩·埃勒 迈克·赫尔姆斯 托马斯·里奇 约翰·巴特斯比 凯利·加特兰 吉姆·克里根 威廉·里奇 乔·伯尼 Sr 丹尼斯·格拉斯曼 林恩·杰根森和家人 理查德·斯潘格勒 菲尔·布朗 乔·P·戈尔曼 托马斯·凯恩 玛丽“弗兰妮”斯宾塞 约瑟夫·卡利诺 Sr 特雷莎·戈尔曼 乔·莱文斯 安妮·斯蒂尔斯 辛迪·多尔森 特雷莎·格雷厄姆 玛丽安·利布兰德 吉娜·斯特罗姆 卡罗琳·多尔蒂 约翰·格林二世 埃尔伍德·马茨三世 维罗妮卡“维基”维尔登 吉姆·赫尔利 罗伯特·卡特尔 科琳·麦金斯特里 约翰·克里斯托弗 帕特·沙利文 莱昂·达维萨 玛丽·凯恩 佩吉·斯科特 克里斯塔·莫拉 斯蒂芬·海斯特 鲍勃·克拉夫特 玛吉·托马斯 蒂莫西·巴顿 罗克珊库雷克·特里萨·诺兰·约瑟夫·劳贝 玛吉·德安东尼奥 凯瑟琳·安德伍德 德洛丽丝·劳贝
珀罗干涉仪
摘要：本文报道并实验证明了一种基于微球嵌入法布里-珀罗干涉仪 (FPI) 的高灵敏度、低温度串扰应变传感器。该传感器通过将微球嵌入锥形空芯光纤 (HCF) 中而制成，而光纤的两端由两根标准单模光纤 (SMF) 包围。在 SMF/HCF 界面和微球表面发生的反射导致三光束干涉。通过控制锥形 HCF 的直径和嵌入微球的尺寸可以灵活改变形成的 FPI 的腔长，并且反射光谱的最大消光比 (ER) 大于 11 dB。这种新颖的微球嵌入 FPI 结构显著提高了传统 FPI 在应变测量中的传感性能，可提供 16.2 pm/με 的高应变灵敏度和 1.3 με 的分辨率。此外，还证明了该应变传感器具有0.086 με/ o C的非常低的温度-应变交叉敏感性，大大增强了在精密应变测量领域的应用潜力。
