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这本书是我在摩尔多瓦技术大学国家材料研究中心研究和测试中的20年的结果，该大学的多孔半导体领域具有控制形态，并影响其特性。这本书基于作者以及主管和其他研究人员自2002年左右发表的大量论文和其他出版物。当然还包括与许多其他小组的结果进行比较。本书致力于与电化学蚀刻制造的多孔III-V和II-VI半导体化合物的制造和比较表征有关的问题。如今，半导体化合物的阳极化代表了一种成本效益的自上而下方法。 为了扩展应用的面积，提议将电化学蚀刻和脉冲的电化学沉积方法结合起来，以进行微纳米电视制造。 将在本书中详细讨论形态的多功能性和多孔半导体化合物的应用。 可以提及：电化学是以受控方式对半导体化合物的孔隙化的成本效益方法；半导体化合物中的毛孔类型；半导体化合物中孔的自我排序；多层多孔结构，调节孔隙度；根据提议的“跳跃电沉积”，通过脉冲电镀的脉冲电镀均匀沉积金属点的单层。自组织阵列的应用，包括金属功能化的孔。 奖学金如今，半导体化合物的阳极化代表了一种成本效益的自上而下方法。为了扩展应用的面积，提议将电化学蚀刻和脉冲的电化学沉积方法结合起来，以进行微纳米电视制造。将在本书中详细讨论形态的多功能性和多孔半导体化合物的应用。可以提及：电化学是以受控方式对半导体化合物的孔隙化的成本效益方法；半导体化合物中的毛孔类型；半导体化合物中孔的自我排序；多层多孔结构，调节孔隙度；根据提议的“跳跃电沉积”，通过脉冲电镀的脉冲电镀均匀沉积金属点的单层。自组织阵列的应用，包括金属功能化的孔。奖学金所给出的许多结果来自与Kornelius Nielsch教授的合作，在德国汉堡大学的亚历山大·冯·洪堡基金会（Alexander von Humboldt Foundation）向作者提供的研究奖学金（2012- 2014年）（2012-2014）和金属材料研究所（IMW），Leibniz Marchany and Mavristern（如果Dres）（IFW DRES）（IFW DRES），该研究所（IFW） 2018）。
摩尔多瓦技术大学爱德华大学莫妮科
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