摘要:由于硅在自然界的普遍性和其特殊的性质,它是各行各业中最受欢迎的材料之一。目前,冶金硅是通过石英的碳热还原获得的,然后对其进行氢氯化和多重氯化以获得太阳能硅。这篇小型综述简要分析了通过电解熔盐获得硅的替代方法。综述涵盖了决定熔盐成分选择的因素、通过电解熔盐获得的典型硅沉淀物、对将电解硅用于微电子的可能性的评估、在锂离子电流源成分中使用电解硅的代表性测试结果以及将电解硅用于太阳能转换的代表性测试结果。本文最后指出了实际实施电解生产硅的方法、开发用于能源分配和微电子应用的新设备和材料需要解决的任务。
图2。(a)使用基于有机的(MEOH-DMSO)电解浴的循环伏安图在ITO底物上以10 mV.s-1的扫描速率记录。(b)选定的循环伏安法扫描后,Ni 3(HITP)2个沉积物的SEM图像。(C) The chronoamperograms (normalized current density) and the corresponding cumulative deposition charge density for potentiostatic anodic deposition methods by using the continuous (dark colored line) and square pulsed (light colored line) methods (with t on = 1 min, V on = 0.8 V; and t off = 1 min, V off = open circuit voltage).(d)Ni 3(HITP)2个沉积物的相应SEM图像通过电位连续(深色轮廓)和脉冲沉积(浅色轮廓)获得。
库汉技术大学材料综合与加工高级技术的国家主要实验室https://orcid.org/0009-0009-0008-1431-7443
聚苯胺纳米颗粒的电沉积作为超级电容器应用的高性能电极Radhika S. Desai 1,Vinayak S. Jadhav 1,Divya D LAD 1,Pramod S. Patil 2,3和Dhanaji S. Dalavi 1,Dhanaji S. Dalavi 1,*抽象导电聚合物的大量关注能量存储材料,以吸引能量存储材料。在这项研究中,我们提出了一种直接且无结合的方法,用于在钢基材上进行聚苯胺(PANI)膜的电沉积。通过优化沉积时间,我们成功合成了Pani纳米颗粒,从而导致了独特的形态和电化学特性。全面的结构和物理化学表征表明,在最佳沉积时间制备的Pani 15薄膜在1 M硫酸(H₂SO₄)电解质中以10 mV s -1的扫描速率显示出632.56 F G -1的显着特异性电容。这项研究展示了一种实用的方法,用于设计和合成高级电极材料,为增强储能应用中的性能铺平了道路。我们的发现强调了电沉积PANI膜作为超级电容器和其他相关技术的有效材料的潜力。
摘要 机械稳定性和化学稳定性不良是限制超疏水涂层广泛工业应用的重要因素之一。本研究采用混合电沉积法合成了Ni-P@Ni分级纳米结构涂层作为稳定涂层。研究了所制备样品的润湿性、耐腐蚀性、机械稳定性和化学稳定性。研究结果表明,在Ni纳米锥表面涂覆非晶态Ni-P涂层可提高耐腐蚀性,同时增强机械稳定性和化学稳定性。此过程将腐蚀电流密度从1.02降低到0.0076 µA.cm -2 。电化学阻抗谱 (EIS) 结果也显示,涂覆Ni-P涂层后R dl 增加。此外,通过在200 cm机械稳定性测试后创建Ni-P涂层并在3.5%NaCl电解质中浸泡8天,可以保持疏水状态。这项研究介绍了一种创建稳定超疏水涂层的新方法。
经常导致创建由纯属金属或几层纯金属组成的涂料,另一种是纯金属,每种金属都有特殊目的。然而,合金沉积并不少见。用于印刷电路和Fe-Ni的PB-SN合金作为录音行业中的软磁铁,已用于长石灰[7,8]。最近,对微机械系统(MEMS)中用作硬磁体的PT-CO合金非常感兴趣[9,10]。与Ni或CO的W和RE合金的电镀也在近年来获得了高温或高耐磨性耐药性的兴趣[11,12]。比化学或物理蒸气沉积的方法(CVD和PVD)具有多种优势。其中包括低成本,低温施用,厚度的均匀性或成反比设计的nuni形式(即,仅在表面上的特定区域涂层)[13,14]。
使用脉冲电沉积法制造纯镍和纳米复合镍-SI 3 N 4涂层。制造过程的初始条件是当电流密度为4 a.dm -2,占空比为50%,脉冲频率为10 Hz。原子力显微镜(AFM)用于执行评估每个涂层表面的任务。该实验的目标是通过增加每个参数,然后将结果与被认为是基线的条件进行比较,从而更好地了解情况。由于已经进行了观察结果,似乎平均正方形和根平均平均平均平均粗糙度高于其纯镍构成的纳米复合镍涂层的平均粗糙度。平均间距和波浪数量数据表明,在表面上存在偏爱的成核位点的任何位置都增加了。无论位置如何,情况就是这种情况。这些发现得到了以下事实的支持:两个指标都表现出向上的趋势。
高度集成的可拉伸电子产品的发展需要开发可扩展的(亚)微米导体图案。共晶镓铟 (EGaIn) 是一种适用于可拉伸电子产品的导体,因为其液态金属特性使其在变形时具有高电导率。然而,它的高表面能使其以亚微米分辨率进行图案化具有挑战性。在此,我们通过首次报道 EGaIn 的电沉积克服了这一限制。我们使用一种非水基乙腈电解质,该电解质具有高电化学稳定性和化学正交性。电沉积材料可产生低电阻线,在(重复)拉伸至 100% 应变时仍保持稳定。由于电沉积受益于用于图案化基底金属的成熟纳米制造方法的分辨率,因此提出的“自下而上”方法通过在纳米压印预图案化的金种子层上进行电镀,在弹性体基板上实现了 300 nm 半间距的 EGaIn 规则线的创纪录高密度集成。此外,通过填充高纵横比通孔,实现了垂直集成。该功能通过制造全向可拉伸的 3D 电子电路概念化,并展示了用于制造微芯片互连的稳定镶嵌工艺的软电子模拟。总体而言,这项工作提出了一种简单的方法来解决高度集成 (3D) 可拉伸电子产品中的金属化挑战。
直接 3D 打印金属微结构可以实现混合微制造,将传统微制造与增材微制造 (l AM) 相结合。微结构的材料特性,包括电阻率,对于微电子、高频通信和生物医学工程等广泛的应用都具有决定性的重要性。在这项工作中,我们介绍了一种基于局部电沉积的金结构 l AM 室温工艺。我们通过气压调节前体物质供应速率和通过电沉积电位调节反应速率来展示对电沉积过程的控制。我们 3D 打印了复杂的金微尺度结构,并通过开发具有集成四点探针测量功能的混合设备来表征打印金的电阻率。此外,我们基于之前展示的铜 l AM 工艺打印了铜微线,并表征了铜的电阻率。我们证明了金线和铜线的接近体电阻率值分别为 65 n X m(约比体电阻高 2.5 倍)和 19 n X m(仅比体电阻高 10%),且无需后处理。金线的微观结构分析表明,金属沉积物致密且无空隙。最后,我们在预图案化的基板上印刷了金结构,为将增材微制造与现有微制造技术相结合的混合设备铺平了道路。2023 作者。由 Elsevier Ltd. 出版。这是一篇根据 CC BY 许可协议开放获取的文章(http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。
摘要 铊在氰化物和亚硫酸盐镀金溶液中都用作添加剂,用于调节金在目标基材上的沉积方式。镀液中的铊含量对沉积金的性质(包括其微观结构和硬度)有很大影响。因此,特别是在商业工艺应用中,准确、快速、方便地测量镀液中的铊含量至关重要,以确保所制造产品的质量。人们已经研究了含铊的镀金溶液的循环伏安行为,但其铊含量的量化并不令人满意,要么昂贵且耗时,要么在复合基质中不准确。在这里,我们提出了一种专有的电分析铊测量方法,该方法快速且具有出色的准确性和灵敏度,即使在存在常见的镀液分解产物的情况下也是如此。关键词 循环伏安法、电化学沉积、镀金溶液、铊、亚硫酸盐镀液。
