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World File Search System金属点
摩尔多瓦技术大学爱德华大学莫妮科
这本书是我在摩尔多瓦技术大学国家材料研究中心研究和测试中的20年的结果，该大学的多孔半导体领域具有控制形态，并影响其特性。这本书基于作者以及主管和其他研究人员自2002年左右发表的大量论文和其他出版物。当然还包括与许多其他小组的结果进行比较。本书致力于与电化学蚀刻制造的多孔III-V和II-VI半导体化合物的制造和比较表征有关的问题。如今，半导体化合物的阳极化代表了一种成本效益的自上而下方法。 为了扩展应用的面积，提议将电化学蚀刻和脉冲的电化学沉积方法结合起来，以进行微纳米电视制造。 将在本书中详细讨论形态的多功能性和多孔半导体化合物的应用。 可以提及：电化学是以受控方式对半导体化合物的孔隙化的成本效益方法；半导体化合物中的毛孔类型；半导体化合物中孔的自我排序；多层多孔结构，调节孔隙度；根据提议的“跳跃电沉积”，通过脉冲电镀的脉冲电镀均匀沉积金属点的单层。自组织阵列的应用，包括金属功能化的孔。 奖学金如今，半导体化合物的阳极化代表了一种成本效益的自上而下方法。为了扩展应用的面积，提议将电化学蚀刻和脉冲的电化学沉积方法结合起来，以进行微纳米电视制造。将在本书中详细讨论形态的多功能性和多孔半导体化合物的应用。可以提及：电化学是以受控方式对半导体化合物的孔隙化的成本效益方法；半导体化合物中的毛孔类型；半导体化合物中孔的自我排序；多层多孔结构，调节孔隙度；根据提议的“跳跃电沉积”，通过脉冲电镀的脉冲电镀均匀沉积金属点的单层。自组织阵列的应用，包括金属功能化的孔。奖学金所给出的许多结果来自与Kornelius Nielsch教授的合作，在德国汉堡大学的亚历山大·冯·洪堡基金会（Alexander von Humboldt Foundation）向作者提供的研究奖学金（2012- 2014年）（2012-2014）和金属材料研究所（IMW），Leibniz Marchany and Mavristern（如果Dres）（IFW DRES）（IFW DRES），该研究所（IFW） 2018）。
使用耦合量子点实现基于硬件的可调量子随机数生成
摘要 — 随机数在游戏和赌博、模拟、传统和量子密码学以及随机计算等非传统计算方案中是一种宝贵的商品。我们建议使用耦合量子点对上单个移动电荷的位置测量来生成随机位。量子力学通过 Born 规则提供测量结果的真正随机性。可以使用对同一双量子点 (DQD) 系统进行一系列重复测量来生成随机位串。只需调整局部状态之间的失谐，就可以根据需要消除或调整任何偏向“0”测量值或“1”测量值的偏差。设备可调性提供了多功能性，使该量子随机数生成器 (QRNG) 能够支持不需要偏差或需要可调偏差的应用。我们讨论了该 QRNG 的金属点实现以及分子实现。基本量子力学原理用于研究随机位串生成的功耗和时间考虑因素。DQD 具有较小的尺寸，在金属实现中，可用于需要低温操作的情况（如量子计算的情况）。对于室温应用，可以使用分子 DQD。