• V7X 系列提供功率、速度、 • 95X 系列提供功率、速度、 • 964i 高压切换,用于自动精度和分辨率测试系统 • 交流和直流输出电压高达 5KV • 交流/直流输出范围广,高达 • 多导体/多点 • 计算精度和速度 30 kV 交流和 15 kV 直流 • 8 通道高压切换卡(8 个超过行业标准 • 每张卡的计算精度和速度,总共 64 个测试点) • 彩色触摸屏和自动测试超过行业标准 • 可配置电压额定值 - 可用软件 - 电流 3kV、7kV、10kV 和 15kV 的分辨率为 100 pA • 彩色触摸屏和自动测试软件可用
摘要 本文通过对有源区耗尽层的分析,首次得出AlGaN/GaN HEMT中耗尽层过程不同于硅功率器件的结论。基于AlGaN/GaN HEMT这种特殊的破坏原理,提出了一种新的RESURF AlGaN/GaN HEMT结构,以降低表面电场,提高击穿电压。该结构在极化AlGaN层中引入两个不同的负电荷区,通过耗尽2DEG来降低高边缘电场;在近漏极加入正电荷,首次降低了漏极高电场峰值。应用ISE仿真软件,在器件中验证了虚拟栅极效应。