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铝 (Al) 薄膜的电气特性
铝 (Al) 是地壳中最丰富的金属，是继氧 (O 2 ) 和硅 (Si) 之后第三大丰富元素。它呈银白色，具有高电导率和热导率，熔点为 660 0 C。铝已广泛应用于各种领域。在基底上蒸镀的铝膜是非球面镜最常用的表面涂层，因为铝在可见光区是良好的光反射器，在中红外和远红外 (IR) 区是出色的反射器 [1]。此外，铝在微电子技术中广泛用作欧姆接触、肖特基势垒接触、栅极电极以及互连线 [2]。铝还用于制造薄膜晶体管 (TFT)、光电探测器、太阳能电池和许多其他设备 [3]。在太阳能电池的制造中，铝被广泛用作背接触，因为它易于沉积、表面电阻低，并且能够引入背面场效应 (BSF)，从而最大限度地降低器件背面的载流子复合率 [4,5]。在薄膜太阳能电池中，铝接触的高反射特性被利用作为光捕获解决方案，其中低能光子将被倾斜反射回吸收层。这增加了光（光子）在器件中的光路长度，从而增加了吸收率
通过双晶结构和纳米孪生实现超强且高柔韧性的 TiAl 金属间化合物
TiAl金属间化合物可通过形变诱导相变显著提高材料性能，但对TiAl金属间化合物塑性变形机制尚缺乏足够的认识。本文以双晶结构TiAl合金中的γ − TiAl和α 2 − Ti 3 Al为对象，在纳米尺度上研究了TiAl金属间化合物的位错滑移和孪生变形机制。利用应用扫描电子显微镜(SEM)和电子背散射衍射对变形内部组织进行表征和分析，采用Schmidt因子µ分析技术计算滑移能垒，研究了临界剪应力下γ − TiAl和α 2 − Ti 3 Al相的孪生变形机制以及γ − TiAl和α 2 − Ti 3 Al相的位错滑移动力学。两种双晶结构 γ − TiAl 和 α 2 − Ti 3 Al 的 TiAl 金属间化合物所需的临界剪应力分别为 92 和 108 MPa，孪生萌生时锥形 < a > 和基底 < a > 滑移所需的临界剪应力次之。孪生萌生时锥形 < c + a > 滑移所需的临界剪应力最高，且两者在数值上相等
氨基硅烯 (HSiNH2
摘要：氨基硅烯分子（HSiNH 2 ，X 1 A ′） 是不饱和氮硅烯的最简单代表，它是在单次碰撞条件下通过气相基元反应形成的，反应涉及硅基自由基（SiH）和氨（NH 3 ）。反应由硅基自由基无势垒加成到氮的非键合电子对上引发，形成 HSiNH 3 碰撞复合物，然后通过从氮原子中失去氢原子，单分子分解为氨基硅烯（HSiNH 2 ）。与等价氨基亚甲基卡宾 (HCNH 2 , X 1 A ′ ) 相比，通过用硅取代单个碳原子，对等价甲亚胺 (H 2 CNH) − 氨基亚甲基 (HNCH 2 ) 和氨基硅烯 (HSiNH 2 ) − 硅亚胺 (H 2 SiNH) 异构体对的稳定性和化学键产生了重大影响；例如，卡宾与硅烯的热力学稳定性逆转了 220 kJ mol − 1。因此，发现第十四主族元素硅的等价性与原子碳几乎没有相似性，不仅对反应性而且对热化学和化学键也表现出显着影响。
具有高稳定性、CMOS 兼容掺杂剂的低接触电阻 WSe2 p 型晶体管
摘要：高接触电阻一直是开发高性能过渡金属二硫属化物 (TMD) 基 p 型晶体管的瓶颈。我们报道了简并掺杂的少层 WSe 2 晶体管，其接触电阻低至 0.23 ± 0.07 k Ω·μ m/接触，其使用氯化铂 (IV) (PtCl 4 ) 作为 p 型掺杂剂，该掺杂剂由与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 制造工艺兼容的离子组成。栅极长度为 200 nm 的顶栅器件表现出良好的开关行为，这意味着掺杂剂扩散到栅极堆栈中并不显著。这些器件在空气中放置 86 天后未进行任何封装，同时在 78 K 温度下保持简并掺杂状态，且压力低于 10 − 5 Torr，突显了掺杂剂的稳定性。所提出的方法阐明了对具有减薄肖特基势垒宽度的晶体管进行图案掺杂以获得低接触电阻器件的高稳定性方法的可用性。关键词：二硒化钨、电荷转移掺杂、场效应晶体管、二维材料、高稳定性
NB / AL-NI / NBTIN 连接件的制造...
我们讨论了超导体-绝缘体-超导体 (SIS) 结的材料加工极限，这些结的能隙足够高，可以实现 THz 异差混频器检测。这项工作的重点是器件结构，该结构具有 Nb 作为基层、由薄 Al 邻近层的等离子体氮化形成的隧道势垒以及 NbTiN 作为对电极材料。这些 SIS 结通常表现出 3.5 mV 的总间隙电压，对于电阻 - 面积乘积 RNA = 20 pm'，亚间隙与正常状态电阻比 Rsg / RN = 15。开发该工艺的目的是将结集成到混频器天线结构中，该结构将 NbTili 用作接地平面和线路层。针对 Al 层等离子体氮化期间应用的条件，解决了 RNA 产品的运行间可重复性和控制。通过控制直流浮动电位、N 2 压力和曝光时间来研究铝的射频等离子体氮化。处理在接近室温下进行，以减少变量数量。金属膜层中的应力保持在低压缩范围内。最近的接收器结果将在本次研讨会上发表的另一项工作中讨论。[1]
Src 激酶构象失活的全原子自适应偏置路径优化：αC 螺旋和活化环协同运动中的开关静电网络
我们采用一种通过精心选择的约化变量空间来优化构象途径的方法，以增进我们对蛋白质构象平衡的理解。自适应偏置路径优化策略利用约化变量空间中路径区域的无限制增强采样来确定两个稳定终态之间的宽路径。应用于 Src 酪氨酸激酶催化结构域的失活转变揭示了对这种研究透彻的构象平衡的新见解。通过识别沿路径的运动和结构特征获得的机制描述包括支持转变的切换静电网络的细节。沿路径的自由能垒来自螺旋 α C 的旋转，它与活化环 (A 环) 以及 C 叶远端区域的运动紧密相关。约化变量的路径轮廓清楚地显示了高度相关的运动。网络中残基之间的静电相互作用交换是这些相互依赖运动的关键。此外，全原子模型在定义路径时提高的分辨率显示出 A 环运动的多个组成部分，并且 A 环的不同部分在整个路径的长度上做出贡献。
用于贫电解质超稳定锂硫电池的单原子催化材料
摘要：高能量容量的锂硫电池是先进储能领域的有希望的候选材料。然而，它们的应用受到可溶性多硫化物的穿梭和缓慢的转化动力学的阻碍，倍率性能差，循环寿命短。在此，单原子材料被设计用来加速锂硫电池的多硫化物转化。结构中的氮位点不仅可以锚定多硫化物以减轻穿梭效应，而且还可以实现单原子铁的高负载。密度泛函理论计算表明，单原子位点降低了电化学反应的能垒，从而提高了电池的倍率和循环性能。纽扣电池表现出令人印象深刻的能量存储性能，包括0.1 C 时1379 mAh g −1 的高可逆容量和5 C 时704 mAh g −1 的高倍率容量。电解质剂量/能量密度之比低至5.5 g Ah 1 −。它表现出优异的循环性能，即使在 0.2 C 下循环 200 次后容量保持率仍可达 90%。关键词：单原子材料、锂硫电池、快速多硫化物动力学、贫电解质、长循环寿命
MoF6 在羟基化催化剂上吸附的第一性原理研究...
人们对二维过渡金属二硫属化物产生了浓厚的兴趣，这引发了大量使用可扩展气相方法（如化学气相沉积 (CVD) 和原子层沉积 (ALD)）对其合成进行实验研究。ALD 通常允许较低的沉积温度，并且化学前体的成核需要与表面功能团发生反应。研究 ALD 建模的常用第一性原理方法是计算拟议反应途径的活化能。在这项工作中，我们使用密度泛函理论 (DFT) 计算了部分电荷密度、局部态密度 (LDoS)、Bader 电荷分析、吸附能和电荷密度差，以研究 MoF 6 在三种氧化物表面（包括 Al 2 O 3 、HfO 2 和 MgO）的成核。我们的研究结果表明，羟基 (OH) 有助于降低 MoF 6 前半周期内的反应势垒并促进前体在氧化物基底上的化学吸附。这一发现得到了氧化物表面高离子性 MF x（M = 金属，x = 1、2、3）键形成的支持。通过比较有羟基和无羟基的表面，我们强调了表面化学的重要性。
30 GHz 下 AlN/GaN/AlN HEMT 的大信号响应
功率放大器 (PA) 技术对于国防和商业领域毫米波 (mm-wave) 通信系统的未来至关重要。这些毫米波频率下的大气衰减很高，因此需要能够抵消这种影响的高功率 PA。氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN HEMT) 凭借其宽带隙和高电子速度，已成为在毫米波频率下提供高功率的主要竞争者。为了改进传统的 GaN HEMT 异质结构，我们之前在氮化铝 (AlN) 平台 [1] 上引入了 HEMT，使用 AlN/GaN/AlN 异质结构。二元 AlN 的最大化带隙可防止缓冲器漏电流并增加 HEMT 击穿电压，同时还提供更高的热导率以增强通道温度管理。此外，GaN 增加的极化偏移允许高度缩放的顶部势垒，同时仍能诱导高密度二维电子气 (2DEG)。我们最近展示了 RF AlN/GaN/AlN HEMT 中高达 2 MV/cm 的高击穿电压 [2]，以及这些 HEMT 在 6 GHz 下的 RF 功率操作，功率附加效率为 55%，输出功率 ( ) 为 2.8 W/mm [3]。在这项工作中，我们展示了 AlN/GaN/AlN HEMT 的首次毫米波频率操作，显示峰值 PAE = 29%，相关 = 2.5 W/mm 和 = 7 dB 在 30 GHz 下。
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我和我的儿子都是棒球迷。我们住在国家首都地区，我们为国民队加油，不可否认，他们上个赛季的表现并不好。我的儿子也喜欢打棒球，我喜欢执教他并看着他成长为一名运动员。作为教练，当孩子们需要提示以确保他们专注于比赛时，我经常会问“谁上场了或者谁在一垒”。当然，当我问“谁在一垒”时，它会让我想起经典的艾伯特和科斯特洛表演，如果你不熟悉这个表演，这里有一个链接 https://www.youtube.com/watch?v=2ve20PVNZ18。在这个喜剧小品中，卢科斯特洛想知道队里球员的名字。巴德艾伯特回答说：“谁在一垒，什么在二垒，我不知道在三垒。”误解源于奇怪的球员名字，再加上对被问到的问题的直接回答，使得这种情况有点幽默。在现实生活中，误解和沟通不畅会造成挫败感，进而引发投诉。作为公正的事实调查者，您的 IG 团队随时准备回答您的问题，并通过我们的四项职能（协助、教育和培训、检查和调查）协助消除误解。请与我们联系，我们将尽最大努力解决您的投诉，并一劳永逸地找出谁是第一。