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World File Search System脉冲宽度
用于纳米级垂直自旋转移力矩磁隧道结作为磁传感器的调节电路
摘要 — 本文展示了一种使用垂直自旋转移力矩磁隧道结的新型磁传感器。传感元件呈圆柱形，直径为 50 纳米，据我们所知，是迄今为止报道的最小的磁传感器之一。本文介绍了传感元件和相关信号处理电子设备的工作原理，它们提供与外部磁场成比例的信号。详细介绍了实验结果，并将其与最先进的商用集成磁传感器以及基于磁隧道结的具有可比尺寸的已发布的磁阻传感器进行了比较。所开发的传感器的测量灵敏度为 1.28 V/T，动态范围达到 80 mT。测得的噪声水平为 21.8 µT/√Hz。描述并比较了所提出的传感器的两种不同工作原理，一种基于时间数字转换器，另一种基于脉冲宽度调制信号。这两种方法都只需要标准的微电子元件，适用于将传感元件与其调节电子设备单片集成。需要对传感元件以及调节电子器件进行后续改进，以进一步降低噪声水平。传感元件及其调节电子器件与磁性随机存取存储器制造中已经使用的制造工艺兼容。这为大规模生产开辟了道路，并满足了消费电子、汽车、工业传感、物理实验或医疗设备等各种市场的需求。
丘脑底核神经元局部场诱发电位中深部脑刺激伪影的噪声消除
本研究介绍了一种噪声消除技术，用于 MER 机器通过丘脑底核深部脑刺激/或刺激器 (STN-DBS) 在局部场电位 (LFP) 中进行电刺激获取的丘脑底核 (STN) 神经元微电极信号。我们提出了一种新方法，用于消除由不同于典型 LFP (低频电位) 信号的脉冲发生器触发的诱导刺激伪影。该方法经过处理和准确性测试，并计算用于体外状态的执行。结果表明，该方法可以很好地抑制刺激伪影。并且还在帕金森病 (PD) 受试者 (患者) 的体内状态下进行了测试。它用于处理从 PD 手术中收集的 LFP 信号，以初步探索 STN、DBS 参数 (刺激强度、刺激电压、频率和幅度脉冲宽度) 内 beta 波段同步变化的定量依赖性。研究结果表明，DBS 过程可以克服过度的β频率（30Hz）活动，并且随着 DBS 电流在 1-3V 范围内增加，刺激频率在 60-120Hz 范围内增加，减少程度也随之增加。该方法为探索诱导电刺激对帕金森脑活动的即时效果提供了科学研究和技术支持，并可作为未来技术的研究工具。
钛宝石激光器与光纤激光器的比较
尽管泵浦技术已经变得更小，但许多钛宝石系统需要单独的泵浦系统（或更大的集成泵浦系统，通常在 532nm 下运行），因此这些系统通常不是很紧凑。如果它们紧凑，功率往往会相应较低。钛宝石系统在 800nm 下以峰值效率运行，功率通常在这里引用。它们具有一系列可运行的波长，具体取决于制造商。标准范围是 650-1040nm，有时会扩展到 1100-1300 或仅从 680nm 或 700nm 开始。系统通过光学器件（通常是端镜和棱镜/标准具设置）的移动进行调整，以使特定波长穿过增益介质。功率输出在光谱调谐曲线上并不相同（代表性曲线如下所示）。掺镱光纤激光器（例如 Chromacity 1040）的工作原理是使用泵浦二极管（通常为 980nm）激发掺镱光纤，该光纤具有掺杂芯，可充当激光增益介质。然后将输出限制在激光器的小芯内。在许多传统应用领域，光纤激光器因其众多优势而开始取代钛宝石系统。在 Chromacity 1040 系统中，在系统内部创建了一个锁模腔，一侧是光纤，另一侧是输出耦合镜。然后使用透射光栅（工厂设置）压缩或拉伸来自此的输出，以使客户能够在 100fs 和 1.5ps 脉冲宽度之间进行选择。由于此定制选项，Chromacity 1040 具有自由空间输出（不是光纤）。
周期性疫苗接种在SEIRS季节模型中的影响
我们研究了三种不同的疫苗接种策略（易感性感染 - 被侵害 - 敏感的）季节性强制模型，这些模型是（i）连续疫苗接种； （ii）定期短期局部疫苗接种，以及（iii）定期脉冲宽度运动。考虑第一个策略，我们获得了基本繁殖数量的表达，并推断出确保无病平衡（DFE）溶液稳定性所需的最低疫苗接种率。在第二个策略中，将短持续时间脉冲添加到恒定的基线疫苗接种率中。根据季节性强迫阶段施加脉冲。通过在透射率曲线弯曲时定位强化免疫来获得最佳结果。因此，易感个体的44.4％的疫苗接种率足以确保DFE。对于第三次疫苗接种建议，除了振幅外，脉冲的时间宽度延长。我们获得了疫苗接种率与运动持续时间之间的非线性关系。我们的模拟表明，基线速率以及脉搏持续时间可以大大提高疫苗接种运动的效力。这些发现与我们的分析表达一致。多年来，我们展示了疫苗接种参数与受感染个体的累积数量之间的关系，并显示了免疫运动年度有关控制感染扩散的相关性。关于模型的动态行为，我们的模拟表明混乱和周期性的解决方案以及双稳定区域取决于疫苗接种参数范围。
ACPL-M43T-500E - Ciiva
注释：1.电流传输比（百分比）定义为输出集电极电流 I O 与正向 LED 输入电流 I F 之比乘以 100。2.设备被视为双端设备：引脚 1 和 3 短接在一起，引脚 4、5 和 6 短接在一起。3.根据 UL 1577，每个光耦合器都通过施加绝缘测试电压 4800 V RMS 持续 1 秒进行验证测试。4.逻辑高电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲 V CM 上升沿上的最大可容忍（正）dV CM /dt，以确保输出将保持在逻辑高状态（即，V O > 2.0 V）。逻辑低电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲信号 V CM 下降沿上的最大可容忍（负）dV CM /dt，以确保输出将保持在逻辑低状态（即，V O < 0.8 V）。5.1.9 k 负载代表 1.6 mA 的 1 TTL 单位负载和 5.6 k 上拉电阻。6.交流输出电压比其中频值低 3 dB 的频率。7.建议使用连接在引脚 4 和 6 之间的 0.1 μF 旁路电容。8.对于任何给定设备，脉冲宽度失真 (PWD) 定义为 |t PHL - t PLH |。9.相同测试条件下任意两个部件之间的 t PLH 和 t PHL 之间的差异。
新闻稿：印度政府专利局已授予印度理工学院印多尔分校一项内存设计专利。
印度专利局已授予印多尔理工学院“PN 调谐差分 8T 静态随机存取存储器 (SRAM) 单元”专利。本发明一般涉及集成电路，更具体地说涉及超低功耗 SRAM。为了降低存储器单元阵列的功耗，电源电压缩放是最优选的方式。电源电压缩放使操作能够在亚阈值范围内进行，其中电路的功耗最小。这是通过选择低于所用金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 器件的阈值电压的电源电压来实现的。通过 VLSI 设计进行电源电压缩放会受到诸如静态噪声容限 (SNM) 的明显损失、电流波动、限制可能连接到单个位线的单元数量等限制。本发明减少了读取干扰并提高了 SRAM 单元的写入能力，从而在超低功耗操作中更有效地操作 SRAM 单元。本发明还增强了 SRAM 单元在亚阈值区域内对工艺电压温度变化的免疫力。这是通过切断反馈并限制通过真实存储节点到地的电流来实现的，从而提高了 8T SRAM 单元的写入能力和写入速度，允许设置公共写入脉冲宽度，从而提高写入速度。读取操作期间对真实存储节点没有直接干扰，从而降低了芯片间或芯片内变化导致的故障概率。这种新型 SRAM 单元将使设计人员能够构建强大的内存阵列。
SG1525A/SG2525A/SG3525A SG1527A/SG2527A/SG3527A
SG1525A/1527A 系列脉冲宽度调制器集成电路旨在提供更高性能和更少外部部件数量，可用于实现所有类型的开关电源。片上 +5.1 伏参考电压被调整至 ±1% 初始精度，误差放大器的输入共模范围包括参考电压，无需外部电位器和分压电阻。振荡器的同步输入允许多个单元一起从属，或将单个单元同步到外部系统时钟。CT 引脚和放电引脚之间的单个电阻提供广泛的死区时间调整范围。这些设备还具有内置软启动电路，只需外部定时电容器即可。关断引脚控制软启动电路和输出级，提供瞬时关断和软启动循环以实现缓慢开启。这些功能还由欠压锁定控制，当输入电压低于正常运行所需的电压时，欠压锁定可使输出保持关闭状态，并使软启动电容器放电。这些 PWM 电路的另一个独特功能是比较器后面的锁存器。一旦 PWM 脉冲因任何原因终止，输出将在整个周期内保持关闭状态。锁存器会在每个时钟脉冲时重置。输出级采用图腾柱设计，能够提供或吸收超过 200mA 的电流。SG1525A 输出级采用 NOR 逻辑，在关闭状态下输出低电平。SG1527A 采用 OR 逻辑，在关闭时输出高电平。
采用 45 nm SOI CMOS 的多模 60 GHz 雷达发射机 SoC
摘要 — 本文介绍了一种毫米波多模式雷达发射机 IC 的架构，该架构支持三种主要雷达波形：1) 连续波 (CW/FMCW)；2) 脉冲；3) 相位调制连续波 (PMCW)，全部来自单个前端。该 IC 采用 45 纳米 CMOS 绝缘硅片 (SOI) 工艺实现，可在 60 GHz 频段运行，集成了宽带三倍频器、两级前置放大器、两个功率混频器和混合信号基带波形生成电路。通过配置功率混频器和相关波形基带电路，可实现多种模式下的发射机雷达运行。这种方法的一个重要优势是，总信号带宽（雷达的一个关键性能指标）仅受脉冲生成中 RF 输出节点的限制。还提出了一种基于电流复用拓扑的新型宽带三倍频器设计技术，用于 LO 生成，输出分数带宽 > 59%。 CW 模式下完整 TX IC 的晶圆上测量结果显示，54 至 67 GHz 的平均输出功率为 12.8 dBm，峰值功率为 14.7 dBm，谐波抑制比 > 27 dB。脉冲模式下的测量显示可编程脉冲宽度为 20 至 140 ps，相当于 > 40 GHz 的雷达信号带宽。本例还演示了 PMCW 模式操作，使用 10 Gb/s PRBS 调制雷达信号。该 IC 功耗为 0.51 W，占用 2.3 × 0.85 mm2 的芯片面积（不包括焊盘）。
ACPL-M43T：带 R2Coupler 隔离和 5 针 SMT 封装的宽工作温度汽车数字光耦合器数据表
注释：1.电流传输比（百分比）定义为输出集电极电流 I O 与正向 LED 输入电流 I F 之比乘以 100。2.建议使用 0.1 F 旁路电容连接引脚 5 和 8。3.1.9 k 负载代表 1.6 mA 的 1 TTL 单位负载和 5.6 k 上拉电阻。4.对于任何给定设备，脉冲宽度失真 (PWD) 定义为 |t PHL – t PLH |。5.相同测试条件下任意两个部件之间的 t PLH 和 t PHL 之间的差异。6.逻辑高电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲 V CM 上升沿上的最大可容忍（正）dV CM /dt，以确保输出将保持在逻辑高状态（即，V O > 2.0 V）。逻辑低电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲信号 V CM 下降沿上的最大可容忍（负）dV CM /dt，以确保输出将保持在逻辑低状态（即，V O < 0.8 V）。7.设备被视为双端设备：引脚 1、2、3 和 4 短接在一起，引脚 5、6、7 和 8 短接在一起。8.根据 UL 1577，每个光耦合器都通过施加绝缘测试电压 > 6000 V RMS 持续 1 秒进行验证测试。
瞬时频率测量接收器...
IFM 接收器的工作原理 当前的 IFM 接收器技术对 RF 频率、RF 幅度和 RF SNR 进行采样；随后的数字处理提取峰值 RF 幅度、与峰值 RF 测量时间同步的 RF 输入频率、TOA 和 RF 包络脉冲宽度。测量结果通过每个时钟周期估算的最小可接受 RF SNR 进行限定。这使接收器能够自动调整以适应输入 SNR 的变化，而无需积分噪声附加阈值。IFM 接收器数字处理和串行 PDW 生成使其成为处理超外差接收器 IF 输出的理想设备。在许多 ELINT 系统中，采用两个 IFM 接收器和一个超外差接收器的并行组合。一个 IFM 接收器提供 2-18GHz 的瞬时单频带覆盖，而超外差接收器使用第二个 IFM 接收器进行 IF 处理，提供对选定信号的高灵敏度精确分析。这种组合同时提供了高截获概率 (HPI) 能力和详细分析能力。IFM 接收器最显著的操作优势也是其最大的缺点：虽然它准确地处理瞬时观察到的最大 RF 输入信号，但它忽略了同时存在的较小功率的 RF 输入。在 IFM 接收器的早期开发中，同时出现低于 20dB 的信号并不罕见