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在电机驱动应用中使用 GaN HEMT 降低系统成本
Alfred Hesener 是 Navitas Semiconductor 公司工业和消费应用高级总监，该公司位于美国加利福尼亚州托伦斯，位于德国慕尼黑。他目前的工作重点是利用宽带隙半导体推动工业电源转换和电动机应用领域的发展。曾任英飞凌科技工业产品部应用工程和产品定义主管，以及飞兆半导体区域营销和应用工程主管。他拥有达姆施塔特工业大学微电子学硕士学位。
PCN-2024-099-A-EN.pdf
英飞凌科技股份公司邮政地址 D-81726 München 互联网 www.infineon.com 总部 Am Campeon 1-15, D-85579 Neubiberg 电话 +49 (0)89 234-0 监事会主席 Dr. Herbert Diess 管理委员会 Jochen Hanebeck (首席执行官)、Elke Reichart、Dr.斯文·施耐德 (Sven Schneider)、安德烈亚斯·乌尔施茨 (Andreas Urschitz) 博士Rutger Wijburg 注册办事处 Neubiberg 商业登记处慕尼黑地方法院 HRB 126492
采用高压超结 MOSFET 的线性模式运行
现代高压功率 MOSFET 的发展催生了超快开关和超低电阻器件。最新的英飞凌 CoolMOS™ 第 7 代技术在 600 V 至 950 V 的电压等级范围内提供无可争议的一流 R DS(on)。英飞凌的技术领先地位不仅使新的更小封装（如 ThinPAK 5x6 或 SOT-223）成为可能，而且还使现有封装中 R DS(on) 值小得多的 CoolMOS™ 产品成为可能。仅在十年前生产的类似功率半导体需要至少三倍的面积才能实现相同的性能。换句话说，前几代功率 MOSFET 的 R DS(on) 至少是现代 CoolMOS™ 第 7 代芯片（具有相同的芯片面积）的三倍。然而，SJ MOSFET 技术向超快开关发展的进步也带来了某些缺点。尽管现代高压 SJ MOSFET 因其开关模式 (SM) 操作而受到赞赏，但它们也存在一些不适合某些应用的局限性。有两个特点值得注意：首先，最新的 HV SJ MOSFET 的安全工作区 (SOA) 图变窄了。面积减小的原因是，对于给定的通道上电阻 (R DS(on) )，当今最先进的功率 MOSFET 使用的硅片面积要小得多。不幸的是，这也意味着特定 R DS(on) 的功率处理能力 (P tot ) 会降低，因为热阻值 (R th 和 Z th ) 会随着芯片面积的减小而增加。这可以用以下公式来解释：
2023 年年度报告 - 投资者关系
在过去的财年，我们进一步扩大了合作伙伴关系，例如，与 Onsemi 和 ROHM 公司建立了长期的碳化硅供应商合作伙伴关系。我们还为与宝钢和英飞凌分别就高质量硅钢和微控制器达成的新合作协议感到自豪，这些协议可用于进一步提高电动汽车的效率和系统成本。此外，我们在 2023 年 4 月推出了 EMR4 集成式电子轴驱动器的变体。它完全不使用稀土，这只是上一财年的众多技术创新之一。2023 年夏天，我们还宣布进入独立售后市场。
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在线行业研讨会 微电子智能生产 2023 年 9 月 19 日，上午 10:00-11:10 EEST +2 *
IPCEI 微电子计划是微电子领域最大的泛欧洲计划。它为来自欧洲各地的大学、研究机构、行业代表、初创企业和工程专业学生提供了重要机会，帮助他们应对原本无法解决的技术、市场和社会挑战。英飞凌奥地利公司与恩智浦和 AT&S 一起参与了 IPCEI 微电子计划在奥地利的这一战略努力。我们称之为“未来使命”。您也可以加入我们的未来使命，并从众多机会中受益！如需了解有关我们的未来使命和 IPCEI 微电子计划的更多信息，请访问 www.infineon.com/ipceimeaustria