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World File Search System薄膜电阻
钼低电阻薄膜电阻
要了解接触电阻的起源，我们对层边界附近的电流分布进行了建模。由于在室温下，NBN的the the the the the the the the the the the the the接触面积的模拟3（a）。建模表明，几乎所有电流都从层的重叠开始时大约10 nm的距离转移到MO。因此，MO接触垫的电阻有助于总电阻。根据图从图中的图中获得的𝑅2（a），多余的电阻为1.3 - 1.5正方形。在我们的样品电流和潜在接触中位于侧面（图1A，B，D，E）。因此，我们在接触板中模拟了90°转动的电流流量，如图3（b）。对各个长度的条进行的仿真表明，两个方形的接触垫贡献了2.7𝑅（图。3（d））比𝑅0的实验值大，可以通过建模的结构和实际样品之间的相应性不确定来解释。
水分对结构依赖性影响ZnO薄膜电阻切换行为
依赖于金属绝绝构成结构设备中电阻开关现象的两末端回忆设备最近引起了人们对实现下一代记忆和神经形态架构的极大关注。[1-4]的身体机制取决于电化学效应和纳米离子工艺涉及金属原子溶解在电芯片中溶解的金属溶解的金属活性电极，并导致金属群体在互联网中的转变，以使得Metal the Is condrative the Is the Is the Is the Is the Metallix the Mentals Ondallic the Mentals the Mentals contallic contallix contallix contallix contallix contallix contallix contallix的迁移。[5,6]先前的报道表明，电阻开关机制受外在影响的强烈影响，例如存在可以扩散并吸附在绝缘基质中的水分。[7,8,17,18,9-16]在术语中，水分对电阻切换细胞功能的影响被观察到取决于所涉及材料的特定化学/结构特性。[7]在金属氧化物中，半导体ZnO被广泛利用为用于实现电子设备的活性材料。由于其特殊的光子，机械和电子特性以及生物相容性和环保性特征，ZnO也被认为是广泛应用的有前途的候选人，包括现场效应晶体管，压电电透射器，光伏，传感器，传感器和照片检测器。[19-24]也，对ZnO的兴趣与具有多种形态的可能性有关，包括纳米线，纳米棒，纳米生物和纳米片。[25,26]在此框架中，在包括纳米线/纳米棒在内的ZnO纳米结构中观察到了电阻性开关现象，[27-29]纳米岛[30]，以及在具有不同沉积技术的广泛薄膜中。[31,32,41,33-40]，在电阻开关设备领域，由于其高透明度可见光，[37-39]也充分利用了其辐射硬度，因此非常感兴趣地致力于ZnO。[42]
ATC 电阻器和终端：工程指南
限制电阻膜的温度需要具有高热导率的绝缘基板。其他理想特性包括微波频率下与温度无关的（在合理范围内）介电常数、物理强度、对薄膜电阻材料的良好粘附性、对微电子组装中使用的湿气和加工化学品的抗性。在美国，多年来，氧化铍 (BeO) 一直是满足这些要求的首选基板——尽管 BeO 粉尘和粉末已知具有危险性并且需要特殊的处理和处置技术。然而，国际社会反对使用 BeO，因此近年来，替代材料氮化铝 (AlN) 的使用越来越多。表 1 比较了 AlN 和 BeO 的典型特性；99% 氧化铝的数据仅供参考。
输出端口隔离度更高的毫米波宽带波导功率分配器
摘要 — 我们提出了一种新型紧凑型宽带波导 T 结功率分配器，特别适用于毫米波和太赫兹频率。它将基于基板的元件整合到波导结构中，以提供输出端口的隔离和匹配。内部端口引入在基板上形成为 E 探针的 T 结的顶点。这有助于将反射能量从输出端口有效地耦合到与 E 探针集成在同一基板上并通过薄膜技术制造的新型薄膜电阻终端。设计、模拟和制造了适用于 150-220 GHz 频带的功率分配器，以实验验证理论和模拟性能。结果表明，模拟和测量结果具有极好的一致性，对于三端口设备，输入和输出端口的回波损耗显著为 20 dB，输出端口之间的隔离度优于 17 dB。此外，测量的插入损耗小于 0.3 dB，幅度和相位不平衡分别为 0.15 dB 和 0°。此外，分压器对内置吸收负载的电阻材料的尺寸和薄层电阻具有出色的耐受性，使该设备成为毫米波和太赫兹系统（特别是射电天文接收器）非常实用的组件。