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要了解接触电阻的起源，我们对层边界附近的电流分布进行了建模。由于在室温下，NBN的the the the the the the the the the the the the the接触面积的模拟3（a）。建模表明，几乎所有电流都从层的重叠开始时大约10 nm的距离转移到MO。因此，MO接触垫的电阻有助于总电阻。根据图从图中的图中获得的𝑅2（a），多余的电阻为1.3 - 1.5正方形。在我们的样品电流和潜在接触中位于侧面（图1A，B，D，E）。因此，我们在接触板中模拟了90°转动的电流流量，如图3（b）。对各个长度的条进行的仿真表明，两个方形的接触垫贡献了2.7𝑅（图。3（d））比𝑅0的实验值大，可以通过建模的结构和实际样品之间的相应性不确定来解释。
钼低电阻薄膜电阻
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