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此外,当 TMO 充电至更高电压时,晶格氧可以参与阴离子氧化还原以补偿电荷。[15,16] 因此,氧化还原反应会在首次充电时贡献额外的容量。由于晶格结构内的氧损失,相关容量在接下来的循环中通常可逆性要低得多。[17-19] 此外,过渡金属离子可以在晶格氧氧化还原反应过程中迁移到钠离子层,导致层状 TMO 的结构变形。[20,21] 因此,高能量密度 SIB 正极设计需要了解层状 TMO 中的氧阴离子氧化还原活性,以更好地设计正极材料,提高氧化还原活性的可逆性,从而稳定循环性能。层状钠 TMO 的晶格氧氧化还原活性已通过多种原位或非原位技术进行了表征,例如拉曼光谱、X 射线光电子光谱和 X 射线吸收光谱。[22 – 24] 结果通常揭示有关充电或放电时表面氧局部电子态变化的信息。[18,25,26] 此外,了解本体(晶格)氧氧化还原活性对于解释相关的晶格结构变化和电化学过程的可逆性至关重要。