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人工智能将影响我们生活的各个方面。它在半导体制造中也发挥着越来越重要的作用。今年 5 月,在比利时安特卫普举行的由 imec 主办的 ITF World 大会上,NVIDIA 总裁、首席执行官兼董事会成员黄仁勋介绍了 NVIDIA 如何与台积电、ASML、应用材料 (AMAT)、D2S、IMS Nano Fabri- cation 和新思科技等公司合作,将人工智能引入芯片制造。黄仁勋表示:“第一波人工智能专注于计算机视觉和语音识别,已经实现了超越人类的能力,并在机器人、自动驾驶汽车和制造业开辟了数万亿美元的商机。先进的芯片制造需要一千多个步骤,要生产出生物分子大小的特征。要制造具有数千万亿个特征的芯片,每个步骤都必须近乎完美才能产生任何输出。每个阶段都会执行复杂的计算科学,以计算要图案化的特征并进行缺陷检测以进行在线工艺控制。芯片制造是 NVIDIA 加速计算和 AI 的理想应用。”黄仁勋表示,D2S 和 IMS Nano Fabrication 使用电子束构建掩模写入器,以在掩模上创建光刻胶图案。“Nvidia GPU 进行图案渲染和掩模工艺校正,”他说。台积电和 KLA 使用 EUV 和 DUV 照明进行掩模检查。“NVIDIA GPU 处理经典物理建模,
两种最常见的微芯片架构类型是专用集成电路 (ASIC) 和现场可编程门阵列 (FPGA)。ASIC 是量身定制的,专为特定目的而设计和优化,具有优化该应用的性能和效率的优势。GPU 是一个常见的例子。另一方面,FPGA 则更为通用,它牺牲了对任何一种应用的优化,以在更广泛的应用中获得更大的规模经济。正如“现场可编程”所暗示的那样,FPGA 更适合需要不断更新算法的应用,例如无线通信和驾驶辅助系统。2 在国防领域,FPGA 常见于声纳和雷达等应用的信号处理板上。3 然而,这种明确的区别在实践中往往很模糊,因为 FPGA 越来越多地针对人工智能 (AI) 或 5G 等更具体的应用进行量身定制,并且这两种芯片架构在复杂性和精密性方面都涵盖了广泛的产品。
依靠各种研究方法和分析技术,该报告提供了空间行业的全面概述。这种方法有一定的局限性,尤其是在利用公开可用的数据源和中级研究方面。SpaceTech Analytics对本文介绍的二级数据的质量概不负责;但是,我们会尽力通过使用不同的分析技术和交叉检查数据来消除上述风险。请注意,我们没有故意将某些公司排除在分析之外。也不是由于遇到的数据过滤方法或遇到的困难而引起的。实际上,其不包含的主要原因是可用来源中的不完整或丢失的信息。
随着各国急于实现政府现代化,政府 IT 部门正在全球范围内扩张。本研究根据全球商业活动和创新潜力对 3,130 多家政府科技企业和 1,970 多家投资者进行了分析。英国和澳大利亚在各自地区拥有最多的政府科技公司,尽管美国仍然是该领域的领导者。根据其数字化转型计划,许多国家已经推进了政府科技议程。
如今,太空相关技术的发展速度非常快。运载火箭、卫星、推进器、制造和其他公司每季度都会涌现。太空技术领域的大公司每周都会分享他们的创新和突破。一些国家已经计划了他们的火星殖民项目,其他国家则对月球科学站有着清晰的愿景。太空旅游终于成为可能,而且越来越容易实现。从这个意义上讲,本报告旨在对上市的太空技术公司进行深入审查。
图表 9 : SiC 产业链及代表企业 ............................................................................................................................. 6 图表 10 : 导电型碳化硅衬底 ................................................................................................................................. 6 图表 11 : 半绝缘型碳化硅衬底 ............................................................................................................................. 6 图表 12 : WolfSpeed 公司导电碳化硅衬底演进过程 ........................................................................................... 7 图表 13 : SiC 衬底制作工艺流程 ........................................................................................................................... 8 图表 14 : PVT 法生长碳化硅晶体示意图 ............................................................................................................. 8 图表 15 : 用于制备碳化硅的籽晶 ......................................................................................................................... 8 图表 16 : CMP 过程示意图 ................................................................................................................................... 10 图表 17 : CVD 法制备碳化硅外延工艺流程 ........................................................................................................11 图表 18 : SiC 功率器件种类 ............................................................................................................................... 12 图表 19 : SiC-SBD 与 Si-SBD 比较 ..................................................................................................................... 13 图表 20 : SiC-SBD 正向特性 ............................................................................................................................... 13 图表 21 : SiC-SBD 温度及电流依赖性低 ........................................................................................................... 13 图表 22 : SiC-SBD 具有优异的 TRR 特性 ........................................................................................................... 13 图表 23 : SiC MOSFET 与 Si IGBT 开关损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 24 : SiC MOSFET 与 Si IGBT 导通损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 25 : SiC MOSFET 体二极管动态特性 ......................................................................................................... 14 图表 26 : N 沟道 SiC IGBT 制备技术图 ............................................................................................................. 15 图表 27 : SiC 行业发展阶段曲线 ....................................................................................................................... 16 图表 28 : SiC 市场规模现状及预测 ................................................................................................................... 17 图表 29 : 新能源汽车包含功率器件分布情况 .................................................................................................. 18 图表 30 : 对车载和非车载的器件要求 .............................................................................................................. 18 图表 31 : 车载 OBC 发展趋势 ............................................................................................................................. 19 图表 32 : 硅基材料功率器件的工作极限 ........................................................................................................... 19 图表 33 : 全球新能源汽车碳化硅 IGBT 市场规模 ............................................................................................ 19 图表 34 : 全球新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 35 : 中国新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 36 : 2020 年全球新能源乘用车车企销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 37 : 2020 年全球新能源乘用车车型销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 38 : 光伏碳化硅器件优越性 ....................................................................................................................... 22 图表 39 : 全球光伏需求预测 ............................................................................................................................... 22 图表 40 : 全球光伏碳化硅 IGBT 市场规模 ........................................................................................................ 23 图表 41 : 全球光伏 IGBT 市场规模 .................................................................................................................... 23 图表 42 : 2015-2021 年中国累计充电桩数量 ..................................................................................................... 24 图表 43 : 2015-2020 年中国车桩比例 ................................................................................................................. 24 图表 44 : 中国新能源汽车充电桩市场规模及预测 ............................................................................................ 25 图表 45 : 全球充电桩碳化硅器件市场规模 ....................................................................................................... 25 图表 46 : 全球轨道交通碳化硅市场规模及预测 ............................................................................................... 26 图表 47 : 2020 年全球轨道交通运营里程 TOP10 .............................................................................................. 26 图表 48 : 轨道交通碳化硅器件占比预测 ........................................................................................................... 27 图表 49 : 全球轨道交通碳化硅技术采用情况 ................................................................................................... 27 图表 50 : 2015-2025 年中国 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 28 图表 51 : 2015-2021 年中国 UPS 器件类型情况 ................................................................................................ 28 图表 52 : 2011-2020 年全球 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 29 图表 53 : 2019-2025 年全球 UPS 碳化硅器件市场规模 .................................................................................... 29 图表 54 : 国外碳化硅衬底技术进展 ................................................................................................................... 30 图表 55 : 碳化硅衬底尺寸市场占比演变 ........................................................................................................... 30
资料来源:•基准矿业情报,“北美可以建立电池供应链吗?” (2022年11月17日)https://source.benchmarkminerals.com/article/can-north-america-build-a-bater-a-battery-supply-chain•基准测试矿业智能,“超过300台新矿山需要300多个新矿山,以满足2035”的电池需求https://source.benchmarkminerals.com/article/more-than-300-new-inew-inew-mines-required-to-meet-battery-demand-demand-by-2035
