一种制备具有手性形态的稳定无机纳米粒子的稳健且可重复的方法可能是这些材料实际应用的关键。本文介绍了一种制备四重扭曲金纳米棒的优化手性生长方法,其中使用氨基酸半胱氨酸作为不对称诱导剂。在半胱氨酸作为手性诱导剂、抗坏血酸作为还原剂的情况下,反复还原 HAuCl 4 后发现在单晶纳米棒表面形成了四个倾斜的脊。通过对晶体结构进行详细的电子显微镜分析,提出不对称性是由于初始纳米棒上形成了突起(倾斜脊)形式的手性面,最终导致扭曲的形状。半胱氨酸的作用是协助对映选择性面演化,密度泛函理论模拟的表面能支持了这一观点,表面能随着手性分子的吸附而改变。因此,R 型和 S 型手性结构(小面、梯田或扭结)的发展将不相等,从而消除了 Au NR 的镜像对称性,进而导致具有高等离子体光学活性的明显手性形态。
产品描述 BondLynx BLD-201 是一种有机小分子双二氮杂环丙烷交联剂,可在聚合物链之间形成强碳碳键,包括低表面能聚合物,如聚乙烯和聚丙烯。BondLynx BLD-201 是一种多用途产品,旨在粘合抗粘聚合物、增强材料强度、通过分子稳定防止降解,并通过使表面接受涂料、染料和其他粘合剂来增加功能。
(或溶剂混合物),可进一步加工成可印刷或可涂覆的油墨。这些悬浮液的行为通常用 Derjaguin-Landau-Verwey-Overbeek (DLVO) 理论描述,[3] 这意味着悬浮液中纳米片的浓度有一个上限,超过该上限悬浮液就会变得不稳定。[4] 尽管如此,高浓度悬浮液(油墨)对于形成渗透粒子网络是必要的,[5] 并且满足高通量印刷和涂层方法的流变学要求(例如高粘度)。无论浓度如何,悬浮液在热力学上都是不稳定的,并且粒子倾向于通过聚集来降低其表面能。[6] 为了降低沉降速度,必须最小化溶剂和 2D 材料之间的表面能差异,[3] 这使得分散介质的选择限制为少数溶剂,而这些溶剂的溶解度范围可能不适合后续加工。在传统的油墨配方中,为了解决上述问题,将二维材料悬浮液加工成可印刷或可涂覆的油墨,需要使用表面活性剂、粘合剂和流变改性剂等添加剂。[7–10] 例如,需要高浓度的聚合物粘合剂(如70 mg mL-1乙酸丁酸纤维素)来将石墨烯油墨的粘度提高到适合丝网印刷的水平。[11] 由于典型的添加剂会对电子性能产生不利影响(例如,
在异质催化剂表面上的化学反应表现出与流体相产物多种途径的基本反应的复杂网络,有时会导致由封闭循环反应途径组成的表面反应环。尽管稳态下的常规催化剂在催化环周围的任一方向上表现出零净通量,但通过微动力学建模评估了三种表面回路的环路周转频率,以评估由两个或更多表面能态之间催化表面振荡的反应环行为。对于经历了表面能的施加振荡(即程序)的动态异质催化剂,显示三种物种的表面反应环在环路周围表现出非零的分子净流,而环更离心频率的程度随施加的频率和平方波振荡的应用频率和扩增而变化。另外,一些动态表面反应仅在两个表面物种之间表现出振荡,或者始终导致一个物种覆盖的表面。对于三个不同电子状态的动态表面程序观察到了更复杂的行为,而施加状态的TEM Poral顺序控制了三分子表面环内分子流动的方向。催化环有可能限制总体催化反应速率并在可编程催化剂中使用能量,而某些应用可能有目的地施加非零的环路转离频率,以改善表面反应控制。
•进行了2D材料(例如石墨烯和MOS 2)的CVD生长。•使用拉曼,SEM,AFM,TOF-SIMS,TEM,XPS表征优化了薄膜生长。•使用断裂力学的测量的粘附特性(硅 - 环氧,石墨烯 - 赛,MOS 2 -Sapphire)。•通过DCB骨折实验获得了石墨烯sapphire的正常和剪切相互作用。•对Abaqus进行了有限元模拟,以开发2D材料的传输图。•通过机械分层和表面能辅助过程实现了MOS 2的大面积转移。
随着催化剂和表征工具制备的发育,当前的焦点已涉及催化剂的表面特征,例如角,边缘和相关缺陷位点,这些缺陷位点被认为可以确定观察到的活动/选择性。5,6以催化剂的活性晶体表面为例,由于存在更多的悬浮键,具有高指数的某些晶体表面具有较高的表面能,因此它们形成开放的表面结构并表现出较高的催化活性。7,8毫无疑问,所有不完美的晶体材料都不可避免地存在缺陷,当它们出现在晶体表面上时,它们可以显着调节表面的电子结构,从而带来其物理化学特性的变化。因此,
均匀的粒子网格已经以这种方式生成,但是该技术将基材限制为浅层凹坑,很容易被不同的沉积厚度破坏。详细介绍了扩展ELD和包含其他底物结构的替代固态易碎趋势。通过我们小组与硅纳米线的合作(SINWS),25 - 27,可以观察到金属薄的lms很容易在圆柱纳米线的顶部形成颗粒。这被怀疑是由于Sinw表面几何形状对金属薄LM表面能的影响。假设调整SINW参数将导致对纳米线顶上金属颗粒形成的高度控制。尽管纳米线结构上的金属颗粒通常是在反向过程中生长的,但通过将颗粒沉积在表面上,然后蚀刻或生长
一个核心假设是,具有最大负自由能且不受整体成分约束的反应将首先发生在界面处(反应 1),因为成核势垒在很大程度上取决于反应能量(方程 1)。但是,如果两个相具有高度的结构相似性,则可以假设成核相的表面能贡献将很低(例如拓扑化学),并且还会导致较低的成核势垒 ∆ G †(反应 2)。21 (c) 左侧表示简单串行反应途径的示意反应坐标图。实际固态反应由多个并行步骤进行,可以用反应网络更好地建模,如右图所示。经参考文献许可转载。26
图S2:A,长INSB-SN部分的SEM图像。观察到NW远离SN沉积方向的小弯曲。这可以归因于材料的不同热膨胀系数,也可以归因于界面中的残余应变。6,7 B,鳗鱼elemental sn,sb和NWS的INSB/INAS部分。在INSB表面上可以理解连续的SN壳,而它作为INAS茎上的离散岛沉积。c,从(b)中标记为in,sn和sb边缘标记的(b)中标记的区域提取的鳗鱼光谱。d,INAS和INSB之间的交点区域的底部曲率。SN通常在该区域不存在。这可能是由于弯曲区域中的高表面能,或者当SN沉积时可能会被遮盖。比例尺为:(a)100 nm,(b)100 nm,(d)20 nm。
作者进行了HEA阵列形成机制。在存在或不存在液体金属纳米反应器的情况下进行了hea颗粒的合成(图1(b),(c))。基于由减少表面能驱动的液体金属的合并性能,构建了动态反应环境,因此将前体转化为合金。相比之下,前体由在每个预定义的孤立区域中产生多个纳米颗粒的纯金属盐组成。为了进一步详细说明液体金属的作用,作者还进行了理论计算,表明GA与底物的键合最弱,并且含GA的系统具有最高的扩散率。这些对实现融合的颗粒运动有益。探索高渗透合金阵列的潜在光学应用,作者在广泛的频谱中展示了全息成像。