机构名称：
¥ 1.0
•进行了2D材料（例如石墨烯和MOS 2）的CVD生长。•使用拉曼，SEM，AFM，TOF-SIMS，TEM，XPS表征优化了薄膜生长。•使用断裂力学的测量的粘附特性（硅 - 环氧，石墨烯 - 赛，MOS 2 -Sapphire）。•通过DCB骨折实验获得了石墨烯sapphire的正常和剪切相互作用。•对Abaqus进行了有限元模拟，以开发2D材料的传输图。•通过机械分层和表面能辅助过程实现了MOS 2的大面积转移。
Sivasakthya Mohan
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