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World File Search System诺贝尔物理学奖
高温超导性：罕见还是无处不在？
摘要1987年的诺贝尔物理学奖庆祝了发现超导铜氧化物（陶瓷），其过渡温度高于30开尔文系列。1987年标志着“高t c”超导性的开始，这是一个多元化的铜氧化物家族，它以“固有”的高t c超导性发现而无需外部压力，应变或野外调节。在接下来的几十年中，研究了一类广泛的基于氧化物的分层超导体，包括但不限于ti-，bi-，ru-，co-基于NI-基于NI的氧化物。然而，在没有铜的其他氧化物中，从未在另一种氧化物中观察到“内在”高t c超导性。因此，铜在电子配对机制中的不可思议的唯一性在凝结物理学上是一个长期存在的谜团。“高t c非常规超导性是铜的特有的吗？”在这里，我建议并证明（1）超导性在元素元素表中很常见； （2）一个模型，以增加一般分层系统中超导性（T C）的能量尺度。因此，逻辑含义是“高t c超导性无处不在”。按照这个命题，我们在分层的氧化镍中进行了第一次演示，观察到高t c超导性无需外部调制。查询：3943 6303
GG索引 用SmartLab的锂离子电池材料表征 nanopix-we 使用2D- ... 评估结晶聚合物材料 能量色散X射线荧光光谱仪
1。简介石墨及其工业用途的发现可以追溯到16世纪，即在第1届工业革命之前的200多年，该革命是从18世纪中期到19世纪中期。石墨的第一次工业用途是用作铅笔铅和降压材料。现在用于包括核能在内的各种高科技领域。每年生产超过120万吨石墨，未来需求的上升趋势。石墨廉价且分布在世界范围内。根据可验证的资料来源，存在数百年来满足需求的储备。现有的石墨供应几乎是有限的。一旦将石墨的碎屑剥落，它就会成为一种令人着迷的材料，称为“石墨烯”，这是一个令人惊叹的发现，直到2004年才发生。石墨烯比铁钢强1000倍，其电导率和导热性的10倍以上是金属，并且是当今已知的最薄，最轻巧的功能。2010年，诺贝尔物理学奖因其发现而获得。创新的材料和产品可以使用石墨烯在各种领域创建。因此，世界各地的研究机构和公司几乎将石墨烯的实际应用中的研究和开发进行。在发现以来的几年中，已经开发了电子产品，声学产品，声学产品，每日商品，轮胎，高尔夫球，运动服和鞋子，从而利用石墨烯来提高冲击强度，电导率特征等。
法国国立科学研究院的量子技术专题...
量子物理基础是在上个世纪初发现的。它们现在成为开发颠覆性量子技术的概念和工具。这些发现使研究人员能够理解物质、光及其相互作用的规律。在探索量子基础和应用的过程中，法国研究人员获得了三项诺贝尔物理学奖，过去 25 年里有四枚 CNRS 金牌被授予该领域*。过去几十年取得的非凡实验进展使人们能够观察量子物体 - 光子、原子或离子 - 我们已经学会了单独和集体控制它们。这意味着科学家可以使用量子态叠加和纠缠的概念来准备和操纵这些物体。这些发展开辟了广泛的应用范围，使当今的量子技术成为最有前途和竞争力最强的领域之一，而 CNRS 在这一领域拥有不可否认的资产可供利用。其中包括遍布法国的实验室网络、结合基础研究、创新和技术转让的多学科方法，以及该组织工作无可置疑的卓越性。这种卓越水平基于量子科学和技术领域极其强大的基础研究，其质量使其成为全球参考。法国国家科学研究院的跨学科方法现在使应用程序在潜在用例中得以实际实施，特别是通过结合学术研究、初创企业和主要工业集团的真正生态系统。
超临界场中的相对论等离子体物理
自从the骨脉搏放大的发明是在2018年被诺贝尔物理学奖所认可的，因此可用的激光强度持续增加。Combined with advances in our understanding of the kinetics of relativistic plasma, studies of laser–plasma interactions are entering a new regime where the physics of relativistic plasmas is strongly affected by strong-field quantum electrodynamics (QED) processes, including hard photon emission and electron–positron ( e – e þ ) pair production.繁殖过程和相对论的集体粒子动力学的这种耦合可能会导致新的等离子体物理现象，例如从近吸真空中产生致密的E – e – e – e – e – e – e – e – e s plasma，完全通过QED过程吸收了完全的激光能量，或通过QED过程来吸收Q，或者通过超相对性电子束的停止，可以渗透过毛孔，这可能会渗透到毛孔上，这是一位毛孔的质量，这是一位毛孔的质量，这是一定的质量，这是一定的质量，这是一位毛孔的质量。 光。除了具有根本的兴趣外，至关重要的是，研究这种新的制度是了解下一代超高强度激光器 - 肌电实验及其所产生的应用，例如高能量离子，电子，电子，正电子和光子源，用于基本物理学，医学放射治疗和下一代放射射线照相术的基础物理学研究，以及用于居家园的下一代安全和居民安全和行业。
量子器件的分子束外延生长
“界面就是器件”。2000 年诺贝尔物理学奖获得者赫伯特·克勒默的宣言精辟地概括了界面在电子器件功能和性能中发挥的核心作用。[1] 对于基于低维或拓扑量子材料的器件来说，这句话更是如此，因为它们的性质通常对表面和界面周围的几个原子层敏感。[2-5] 如此精密的“量子器件”需要能够以良好可控的方式实现原子级清洁、突变和平整界面的制造技术。这显然超出了低真空、环境空气或溶液环境下的传统制造工艺的范围。分子束外延 (MBE) 是一种可以提供最佳界面条件和可控性的制备方法，采用超高真空 (UHV) 环境、高纯度蒸发源、缓慢的生长速度和可精细调节的生长参数。[6] 标准 MBE 技术通常用于生长薄膜和垂直异质结构。一些平面纳米结构也可以通过 MBE 制备，[7,8] 但其控制效果不如传统光刻或电子束光刻那么好。通过 MBE 生长的“干净”样品必须经历“肮脏”的制造过程才能制成器件。这些过程中产生的不受控的表面和界面会显著改变器件的性能，尤其是由表面/界面敏感的量子材料制成的器件。人们非常希望通过分子束外延直接生长由量子材料组成的极其脆弱的器件，然后将其封装在超高真空环境中，以保留其原有性能。在过去的几年中，在平面纳米结构和器件的直接分子束外延生长技术方面取得了令人鼓舞的实验进展，[9-18] 这在很大程度上得益于
经济和金融事务
1981 年 5 月，在一次以“用计算机模拟物理”为主题的会议上，1965 年诺贝尔物理学奖获得者费曼解释并设想数字计算机不适合模拟量子系统的行为，例如参见 Preskill 2021 [26]。在这四十年中，计算资源的计算能力一直遵循所谓的摩尔定律 [23] 不断增长，该定律指出，在成本不变的情况下，计算机计算能力大约每两年翻一番。当硬件设计师努力应对摩尔定律的消亡时，一种全新类型机器的原型——量子计算机——已经问世。这些设备利用量子力学的特性，特别是叠加和纠缠现象来加速某些类别的计算。尽管实际量子计算机的规模相对有限，但我们现在可以看到新一代量子算法，它只需要非常有限的资源和对错误的鲁棒性。这就催生了所谓的嘈杂中型量子计算机 (NISQ) 时代。一组很有前途的算法和方法至少克服了 NISQ 时代的一些限制，它们是所谓的混合量子经典算法或变分量子算法。一般来说，这些量子算法具有在量子硬件上运行的自由参数和其他可调部分，但它们 (部分) 使用经典计算进行控制，因此使用术语混合。与图形处理单元 (GPU) 等其他专用硬件相比，在这种情况下，量子处理单元 (QPU) 被视为一种计算资源，可以利用它来执行算法的某些部分，从而受益于潜在的加速或资源效率。在这里，我们考虑了与中央银行活动和整个银行业最相关的三个应用：
GC(50)/4 - IAEA 2005 年度报告
“挪威诺贝尔委员会决定，2005 年度诺贝尔和平奖将由国际原子能机构 (IAEA) 及其总干事穆罕默德·巴拉迪平分，以表彰他们为防止核能用于军事目的和确保以最安全的方式将核能用于和平目的所做的努力。” “在核武器威胁再次加剧之际，挪威诺贝尔委员会强调，必须通过最广泛的国际合作来应对这一威胁。这一原则今天在国际原子能机构及其总干事的工作中得到了最清晰的体现。在核不扩散机制中，国际原子能机构负责控制核能不被滥用于军事目的，而总干事则毫无畏惧地倡导采取新措施来加强该机制。在裁军努力陷入僵局、核武器有可能扩散到国家和恐怖组织手中、核能再次发挥越来越重要的作用之际，国际原子能机构的工作具有不可估量的重要性。”“阿尔弗雷德·诺贝尔在遗嘱中写道，除其他标准外，和平奖还应授予为“废除或裁减常备军”做出最大贡献的人。挪威诺贝尔委员会在最近几十年的评奖标准中，一直致力于为“废除或裁减常备军”而斗争。
简历 - 美国国家标准与技术研究所
William R. Ott 博士是美国国家标准与技术研究所 (NIST) 物理测量实验室副主任，该机构是一家拥有 2 亿美元资产的组织，拥有约 560 名全职员工和 500 名客座科学家和临时员工。该实验室因其出色的研究和技术服务而受到全世界的认可。实验室工作人员几乎赢得了所有重大技术奖项，包括三项诺贝尔物理学奖。Ott 博士曾担任美国国家标准局 (现为 NIST) 辐射物理部主任、NIST 电子和光学物理部主任、NIST 原子、分子和光学物理中心副主任以及 NIST 物理实验室副主任。1977-78 年，他曾任杜塞尔多夫大学亚历山大·冯·洪堡研究员，现为美国光学学会、美国物理学会和华盛顿科学院院士。他的个人研究领域包括电子原子碰撞、等离子体光谱、紫外线辐射技术和光学计量学。他率先使用等离子体放电作为近紫外和真空紫外光谱区域的辐射标准，并与美国宇航局资助的首席研究员合作，对太空实验进行辐射校准，从首次天空实验室太阳辐射测量到哈勃太空望远镜。他发表了 69 篇技术论文和报告，发表了多次演讲，并参与组织会议和研讨会。2000 年至 2011 年，他倡导物理实验室开发生物物理、定量医学成像和纳米医学应用的测量方法和标准。他能说流利的德语，具备意大利语的工作知识，是一位出色的钢琴家，喜欢打网球和跑步锻炼。30 多年来，他一直是教堂的活跃成员。
晶体管 75 周年——过去、现在和未来
早期的晶体管：75 年前，出生在三大洲的三位贝尔实验室研究人员发明了晶体管——美国的约翰·巴丁 (美国麦迪逊)、欧洲的威廉·肖克利 (英国利物浦) 和亚洲的沃尔特·布拉顿 (中国厦门)。另一位工程师约翰·皮尔斯建议使用“晶体管”这个名称，因为它将这种新设备与已经熟悉的术语联系起来：跨导、电阻器等。当索尼在 1957 年推出一款使用德州仪器晶体管和标准 9V 电池的衬衫口袋大小的晶体管收音机并继续销售 600 万台时，晶体管就成为家喻户晓的词。IBM 于 1958 年推出第一台量产的晶体管计算机。从 Ge 到 Si 再到异质集成：早期的晶体管是用锗制成的。1960 年左右，硅成为首选的半导体，因为其较大的带隙大大降低了晶体管的漏电流，尤其是在晶体管热的时候。虽然硅晶片现在已成为衬底材料，但在 IC 生产过程中，Ge 已以 Si x Ge 1-x 合金薄膜的形式回归，这些薄膜被添加到 Si 衬底上。SiGe 在高级 MOSFET 中起着越来越重要的作用，可以提高电子和空穴的迁移率并带来其他好处。光学、磁性和铁电材料也已集成到 Si 技术中。Si 或 SiC 衬底上的宽带隙半导体 GaN 用于制造高压晶体管。晶体管密度如何不断增长：TI 的 Jack Kilby 因“在集成电路发明中的作用”而获得 2000 年诺贝尔物理学奖。仙童半导体公司的 Robert Noyce 被认为是另一位主要贡献者，他的
