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World File Search System读存储器
太空级并行持久性 SRAM 存储器
非易失性 − √ √ √ 写入性能 √ − − √ 读取性能 √ − − √ 耐久性 √ − − √ 功率 − − − √ MRAM 是一种真正的随机存取存储器；允许在内存中随机进行读取和写入。MRAM 非常适合必须存储和检索数据而不会产生较大延迟的应用程序。它提供低延迟、低功耗、无限耐久性、高性能和可扩展的内存技术。AS30xxB16 采用小尺寸 48 球 FBGA（10 毫米 x 10 毫米）封装，支持 16Mb、32Mb 和 32Mb 密度。此封装与类似的低功耗易失性和非易失性产品兼容。AS30xxB16 提供工业扩展（-40°C 至 125°C）工作温度范围。每个单元在发送给客户之前都要经过 48 小时的老化。
基于单个晶体管的高密度 SOT-MRAM 存储器阵列
Rana Alhalabi 1、Etienne Nowak 1、Ioan-lucian Prejbeanu 2 和 Gregory Di Pendina 2 1 CEA LETI，Minatec campus，17 Rue des martyrs，38054 Grenoble，法国 2 Univ. Grenoble Alpes，CEA，CNRS，Grenoble INP*，INAC，SPINTEC，F-38000 Grenoble，法国 摘要 — 自旋轨道扭矩磁性 RAM (SOT-MRAM) 方法代表了一种通过分离读取和写入路径来克服自旋转移扭矩 (STT) 存储器限制的新方法。由于每个位单元有两个晶体管，因此它对于不需要非常高密度的高速应用尤其有用。本文介绍了一种基于单个晶体管和单向二极管的高密度 SOT-MRAM 存储器阵列。这种方法有三个优点。 32kb 存储器阵列的晶体管数量减少了 45%，与传统 SOT 位单元相比，单元密度提高了 20%。此外，读取操作所需的控制更少，最终可实现高耐久性、高速度和高密度。关键挑战在于在感测裕度和读取能量之间进行调整。
航天级并行持久性 SRAM 存储器
非易失性 − √ √ √ 写入性能 √ − − √ 读取性能 √ − − √ 耐久性 √ − − √ 功率 − − − √ MRAM 是一种真正的随机存取存储器；允许在内存中随机进行读取和写入。MRAM 非常适合必须存储和检索数据而不会产生较大延迟的应用程序。它提供低延迟、低功耗、高耐久性、高性能和可扩展的内存技术。AS3xxx332 采用小尺寸（15mm x 17mm）142 球 BGA 封装。在 1、2、4Gb 密度下，该设备使用一个芯片选择 E#。在此配置中，形成一个 1、2、4Gb 的连续地址空间。在 8Gb 配置中，该封装有两个 4 个芯片组，每个芯片组可单独选择，但不能同时选择。每个芯片组可使用 E1# 和 E2# 选择。在 8Gb 配置中，不得同时选择 E1# 和 E2#，因为两个组共享相同的 I/O 引脚。AS3xxx332 提供工业扩展（-40°C 至 125°C）工作温度范围：这是以结温测量的。
PPI：患者的脑信号预读 -
自动癫痫发作检测对于癫痫诊断和治疗非常重要。用于癫痫检测的一种新兴方法，即立体电脑摄影（SEEG），可以提供详细的立体脑电波信息。但是，在临床场景中对SEEG进行建模将面临挑战，例如不同患者之间的巨大领域变化和不同大脑区域之间的急剧模式演变。在这项研究中，我们提出了一个基于P的基于P的模型，以解决这些挑战，以应对这些挑战。首先，我们设计了两个新型的自我监督任务，可以从丰富的Seeg数据中提取丰富的信息，同时保留从不同大脑区域记录的大脑信号之间的独特特征。然后提出了两种技术，通道背景减法和大脑区域增强，以有效解决域移位问题。广泛的实验表明，PPI在两个公共数据集和我们收集的一个现实世界中的临床数据集上的表现优于SOTA基准，这证明了PPI的有效性和实用性。最后，可视化分析说明了两种域概括技术的合理性。
TSIA2-英语 - 艺术 - 读样品...- accuplacer
（1）《帝国书籍仓库》是镇上两个最好的书店之一，位于纳比加尼（Nabiganj），这是一个时尚的街道，是迷宫般的小巷和古老的旧勃拉姆普尔（Brahmpur）古老的杂物街区之前的现代性堡垒。（2）虽然离大学只有几英里的路程，但学生和老师的追随者比大学和联盟书店更大，距离校园仅几分钟路程。（3）帝国书籍仓库由两个兄弟（Yashwant and Balwant）经营，几乎都是英语文盲，但两者（尽管它们繁荣的圆度）如此充满活力和企业家精神，以至于显然没有任何区别。（4）他们拥有镇上最好的库存，对客户非常有帮助。（5）如果商店中没有一本书，他们要求客户本人在适当的订单表上写下其名称。
浏览和解读经济机会地图：
那么这一切意味着什么呢？如果一个县的“超出预期”（蓝色），那么该行业的机构数量就比我们的经济模型预测的多。这可能表明以下情况之一：该行业超出我们的预期，在这个县发展良好，该行业正在充当服务于邻近县的更大的区域性行业，或者该行业对于当地市场来说过度开发并面临萎缩的风险。只有运用您对该地方的实地了解后才能确定真实的情况。同样，黄色县表示机构数量比我们的模型预测的少。这可能表明以下情况之一：该行业正面临阻碍发展的当地障碍，该县的需求正在从另一个县的同一行业中抽离，或者该县尚未意识到该行业的增长潜力。
LED 驱动控制专用电路TM1636
在有按键按下时，读键数据如下： SG1 SG2 SG3 SG4 SG5 SG6 SG7 SG8 K1 1110_1111 0110_1111 1010_1111 0010_1111 1100_1111 0100_1111 1000_1111 0000_1111 K2 1111_0111 0111_0111 1011_0111 0011_0111 1101_0111 0101_0111 1001_0111 0001_0111 在无按键按下时，读键数据为： 1111_1111 ； 七、 接口说明 微处理器的数据通过两线总线接口和 TM1636 通信，在输入数据时当 SCLK 是高电 平时， DIO 上的信号必须保持不变；只有 SCLK 上的时钟信号为低电平时， DIO 上的信号 才能改变。数据输入的开始条件是 SCLK 为高电平时， DIO 由高变低；结束条件是 SCLK 为高时， DIO 由低电平变为高电平。 TM1636 的数据传输带有应答信号 ACK ，在传输数据的过程中，在时钟线的第九个 时钟芯片内部会产生一个应答信号 ACK 将 DIO 管脚拉低。 指令数据传输过程如下图（读按键数据时序）：
使用 TiOx 作为电阻层的电阻存储器的制造
图 3 ReRAM 特性的电极依赖性：(a) 50×50 μm 2 ，(b) 200×200 μm 2 。 5.结论我们利用 TiO x 作为电阻变化层制作了 ReRAM，并评估了其特性。在本次创建的条件下，没有观察到复位操作。这被认为是因为在复位操作过程中，由于氧气的释放，灯丝没有断裂。比较电极尺寸，50×50 μm2 的较小元件与 200×200 μm2 的元件相比，可获得更优异的特性。这被认为表明了氧化退火过程中的尺寸依赖性。 6.参考文献 [1] A. Hardtdegen 等，IEEE Transactions on Electron Devices，第 65 卷，第 8 期，第 3229-3236 页 (2018) [2] Takeo Ninomiya，基于氧化物材料设计和可靠性建模的电阻式存储器量产，名古屋大学研究生院博士论文 (2016) [3] D.Carta 等，ACS Appl. Mater. Interfaces，第 19605-19611 页 (2016) [4] D. Acharyya 等，微电子可靠性。54，第 541-560 页 (2014)。
适用于太空应用的英飞凌抗辐射存储器解决方案
Xilinx Virtex V5、Kintex US 以及 Microchip RTG4 和 RTPolarFire FPGA 的 RadHard 72M 和 144M QDRII+ SRAM 设备均可免费获得内存控制器。QDR-II+ SRAM 控制器管理基于 DDR 的源同步时序架构的复杂时序细节，并确保 FPGA 和 QDRII+ SRAM 内存之间的可靠数据传输。如果需要更高级别的辐射抗扰度来减轻单粒子干扰，控制器嵌入式 ECC (SECDEC) 也可作为 RTL 选项提供。请联系 hirel-memory@infineon.com 获取 RTL 代码和测试台的副本。