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旋转时空调制：拓扑阶段和时空Haldane模型
拓扑光子学最近已成为一个非常通用的框架，用于设计对反向散射和变形免疫的单向边缘波导，以及具有极端非注册波浪现象的其他平台。在文献中广泛讨论了时间不变晶体的拓扑分类，但对时间变化材料形成的时空晶体的研究仍然在很大程度上没有探索。在这里，我们将拓扑带理论的方法扩展到由“包含”形成的光子晶体，这些光子晶体受到时空旋转波调制的影响，该调制模仿了物理旋转运动。通过诉诸于包含物的电磁反应的近似非均匀有效描述，这表明它们具有二异构性反应，破坏了时间反向对称性，并可能引起非平凡的拓扑结构。，我们提出了在时空调制光子晶体中实现Haldane模型的实现。
光电设备
液晶显示屏（LCD）是平板显示器或其他电子调制的光学设备，它使用液晶与极化器结合的光调节性能。液晶不会直接发出光，而是使用背光或反射器来产生颜色或单色的图像。LCD可用于显示任意图像（如通用计算机显示）或具有低信息内容的固定图像，可以显示或隐藏，例如预设单词，数字和七个段显示器，如数字时钟。他们使用相同的基本技术，除了任意图像是由小像素的矩阵制作的，而其他显示器具有较大的元素。LCD可以根据偏振器的排列通常在（正）或OFF（负）上。例如，带有背光的字符正面LCD在背景的背景上具有黑色字母，并且字符负LCD具有黑色背景，字母的字母与背光相同。光学滤镜被添加到蓝色LCD上的白色，以使它们具有特征性的外观。
探索脑-人工智能接口中 c-VEP 解码的人工神经网络模型
摘要 — 对话式脑人工智能接口 (BAI) 是一种新型脑机接口 (BCI)，它使用人工智能 (AI) 帮助有严重语言障碍的人进行交流。它通过先进的 AI 对话代理将用户的广泛意图转化为连贯的、特定于上下文的响应。BAI 中意图翻译的一个关键方面是解码代码调制的视觉诱发电位 (c-VEP) 信号。本研究评估了五种不同的人工神经网络 (ANN) 架构，用于解码 BAI 系统中基于 c-VEP 的 EEG 信号，强调了轻量级、浅层 ANN 模型和使用来自其他参与者的数据进行预训练策略以增强分类性能的有效性。这些结果为 ANN 模型在解码基于 c-VEP 的 EEG 信号中的应用提供了宝贵的见解，并可能使其他基于 c-VEP 的 BCI 系统受益。索引术语 — 脑-人工智能接口 (BAI)、c-VEP、EEG、chatgpt、人工神经网络 (ANN)。
![arxiv：2502.07964v1 [cs.lg] 2025年2月11日](/simg/2\2a81479cb8bc2c44343e5c807b0422b62bbba07e.webp)
arxiv：2502.07964v1 [cs.lg] 2025年2月11日
近年来，表面声波（锯）已成为一种新型技术，用于在凝结物质系统中产生准粒子传输和带调节。锯子通过压电和应变场与相邻材料相互作用，沿波传播的方向拖动载体。大多数关于大声效应效应的研究都集中在载体的集体方向运动上，该方向产生了稳定的电势差，而动态空间电荷调制的振荡成分对于探测仍然具有挑战性。在这项工作中，我们报告了石墨烯中振荡大声效应的连贯检测。这是通过在跨胶质传感器发出的电磁波的时空电荷振荡的相干整流来实现的。我们系统地研究了整流信号的频率和门依赖性，并定量探测由锯驱动的载体重新分布动力学。观察振荡的大声电效应可直接访问通过传输实验引起的锯引起的动态空间电荷调制。
肠道轴调节能量的新机制
通过电气调整，电动频率波的振幅的主动操纵是下一代THZ成像的关键，对于解锁战略应用至关重要，从无线通信到量子技术。在这里，我们基于电源门控单层石墨烯演示了高性能THZ振幅调节剂。通过仔细控制四分之一波长腔结构中的间隔厚度，通过优化电场耦合来实现1.5 - 6 THZ范围内的宽带调制，最大调制深度在2 THz左右。拉曼表征通过石墨烯的电解质门控为0.39 eV的费米级调整。然后开发和测试具有独立控制亚毫米区域的测试2 2调节器阵列，像素之间没有串扰。报告的结果突出了电解石墨烯对有效THZ调制的潜力。单芯片设计可与其他电子组件相结合，并易于集成，使其成为THZ空间光调节器和自适应光学组件的有前途的平台。
可编程电子诱导的颜色路由器阵列
摘要颜色路由器（CRS）的开发意识到了二分法成分的分裂，这有助于调节光子动量，该光子动量充当了频率和空间域上光学信息技术的信息载体。然而，具有光刺激的CRS由于光学衍射极限而缺乏在深度下波长尺度上的光子动量的主动控制。在这里，我们在实验上证明了通过电子诱导的CR在深度下波长尺度上进行二分光光子动量的主动操纵，在该CRS辐射模式中，通过将电子撞击位置转向单个纳米ante单位中的60 nm内，可以操纵CRS辐射模式。此外，设计和实现了基于CR数组的可编程调制的加密显示设备。这种方法具有增强的安全性，大信息能力和高级量表的高级集成，可以在量子设备和量子信息技术中的光子设备和新兴区域中找到应用。
TDFA 波段硅光可变衰减器
摘要 —TDFA 波段（2 µ m 波段）已被视为下一代光通信和计算的有前途的光学窗口。吸收调制是基本的可重构操作之一，对于大规模光子集成电路至关重要。然而，在 TDFA 波段探索吸收调制的努力很少。在这项工作中，基于绝缘体上硅 (SOI) 平台设计和制造了用于 TDFA 波段波长的可变光衰减器 (VOA)。通过将 200 µ m 的短 PIN 结长度嵌入波导，制造的 VOA 在 2.2 V 时表现出 40.49 dB 的高调制深度，并具有由等离子体色散效应引起的快速响应时间 (10 ns)。结合法布里-珀罗腔效应和硅的等离子体色散效应，衰减器可实现超过 50 dB 的最大衰减。这些结果促进了2μm波段硅光子集成的发展，并有望促进光子衰减器在串扰抑制、光调制和光通道均衡方面的应用。
强 THz 脉冲驱动的胶体 CdSe/CdS 核/壳量子点中的超快电吸收切换
快速发展的现代光通信系统需要小型电光器件，其光学特性需要能够大幅度快速变化。这种纳米级器件可以用作数据存储或片上数据链路的光互连。[1] 在过去的几十年中，基于量子阱结构的电吸收 (EA) 调制器已被提出在高速光网络中发挥特别有前景的作用。[2,3] 利用量子限制斯塔克效应 (QCSE)，这些材料的光学特性可以通过沿限制轴的外部电场进行调制，即通过倾斜势阱。由于这种“倾斜”的价带和导带，相关的最低能量电子和空穴波函数将定位在势阱的相对侧，从而导致带隙附近的吸收光谱发生变化。这种场诱导调制的典型特征是波函数之间的重叠积分降低，相关光学跃迁的振荡器强度降低，以及跃迁能量降低，这表现为吸收带边缘红移。[4–6]
电解质门控石墨烯Terahertz振幅调节器
通过电气调整，电动频率波的振幅的主动操纵是下一代THZ成像的关键，对于解锁战略应用至关重要，从无线通信到量子技术。在这里，我们基于电源门控单层石墨烯演示了高性能THZ振幅调节剂。通过仔细控制四分之一波长腔结构中的间隔厚度，通过优化电场耦合来实现1.5 - 6 THZ范围内的宽带调制，最大调制深度在2 THz左右。拉曼表征通过石墨烯的电解质门控为0.39 eV的费米级调整。然后开发和测试具有独立控制亚毫米区域的测试2 2调节器阵列，像素之间没有串扰。报告的结果突出了电解石墨烯对有效THZ调制的潜力。单芯片设计可与其他电子组件相结合，并易于集成，使其成为THZ空间光调节器和自适应光学组件的有前途的平台。
宽带顺序负载调制平衡...
摘要：介绍了顺序负载调制平衡放大器（SLMBA）的基本理论，分析了其有源负载调制的工作原理。为了进一步提高SLMBA的性能，提出了一种有别于传统耦合器设计的耦合器与功率放大器（PA）联合设计的方法。该耦合器-PA联合设计方法根据SLMBA的回退点和饱和点，可以使耦合器和三通PA的工作状态更接近实际情况，提高了SLMBA的整体性能。然后通过预设的输出功率回退（OBO）10 dB确定控制PA与平衡PA的最大输出功率比，通过平衡PA的负载调制阻抗走线确定相位补偿线。为了验证所提方法，设计了工作在1.5～2.7 GHz（57%相对带宽）的SLMBA。版图仿真结果表明该器件饱和输出功率达到40.7～43.7 dBm，小信号增益为9.7～12.4 dB，饱和点和10 dB OBO点的漏极效率分别为52.7%～73.7%和44.9%～59.2%。