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摘要 —TDFA 波段（2 µ m 波段）已被视为下一代光通信和计算的有前途的光学窗口。吸收调制是基本的可重构操作之一，对于大规模光子集成电路至关重要。然而，在 TDFA 波段探索吸收调制的努力很少。在这项工作中，基于绝缘体上硅 (SOI) 平台设计和制造了用于 TDFA 波段波长的可变光衰减器 (VOA)。通过将 200 µ m 的短 PIN 结长度嵌入波导，制造的 VOA 在 2.2 V 时表现出 40.49 dB 的高调制深度，并具有由等离子体色散效应引起的快速响应时间 (10 ns)。结合法布里-珀罗腔效应和硅的等离子体色散效应，衰减器可实现超过 50 dB 的最大衰减。这些结果促进了2μm波段硅光子集成的发展，并有望促进光子衰减器在串扰抑制、光调制和光通道均衡方面的应用。
TDFA 波段硅光可变衰减器
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