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Manas Ranjan Singh，博士 - 硅谷科技学院
[7] Bathrinath, S.、Saravanasankar, S.、Mahapatra, SS、Manas Ranjan Singh . 和 Ponnambalam, SG (2016)。一种改进的元启发式方法，用于解决相同的并行处理器调度问题。机械工程师学会会刊，B 部分：工程制造杂志，230(6)，1114-1126，索引：SCI。
Saroj Kanta Misra，博士- 硅谷科技学院
4. SK Srivastava, SK Misra, AK Sahu, N. Lakhimpur 作物规划降雨概率分析, 印度阿萨姆邦土壤研究杂志 26(2): 162-165, 1998. 5. SK Srivastava, SK Misra, AK Sahu 等, 孙德尔本斯蒸发皿蒸发量与气候参数相关性案例研究, IE杂志 (印度), 第 81 卷, 55-58, 2000 年 12 月. 6. SK Srivastava, SK Misra, AK Sahu 等, 根据贾巴尔普尔的计量数据估算蒸发皿蒸发量, 印度阿萨姆邦土壤研究杂志29(3), 224-228, 2001。 7. Golak Bihari Panda，Saroj Kanta Misra，三维射影空间和四面体 Desmic 系统中的直射群，国际几何杂志，卷。 3，第 1 期，48 – 52，2014 年。 8. Golak Bihari Panda，Saroj Kanta Misra，与四面体 Desmic 系统相关的共极系统，奥里萨邦数学会杂志，第 32 卷，26-31，2013 年 7 月。
Lopamudra Mitra，博士 - 硅谷科技学院
期刊与会议 + 期刊: + 1. Lopamudra Mitra、Ullash Kumar Rout “与太阳能光伏模块接口的新型高增益直流-直流转换器的性能分析” 原创
Manoranjan Behera，博士 - 硅谷科技学院
通过光学吸收、发射和 t 来研究聚乙烯吡咯烷酮和富勒烯流体之间的相互作用。基础和应用技术会议”，2010 年 12 月 9-11 日，Jadavpur Universi 5，第 92 页。
Saroj Kanta Misra，博士- 硅谷科技学院
组合数学，核科学研究委员会，1988 年 12 月 19 日 - 1989 年 1 月 6 日，孟买大学。xiii) 四元数和四面体的共轭系统（演讲），拉马努金百年（国际）会议，1987 年 12 月 15-18 日，安纳马莱大学，TN。专业协会成员：
Sanghamitra Das，博士 - 硅谷科技学院
使用 TCAD 的应变 Si/SiGe 通道 p-MOSFET。收录于：Nath V.（编辑）国际微电子、计算与通信系统会议论文集。电气工程讲义，第 453 卷，第 181-188 页，Springer，新加坡，2018 年。18. Sanghamitra Das、TP Dash、S. Dey 和 CK Maiti，“陷阱效应
Sudhansu Kumar Pati 博士- 硅谷科技学院
栅极金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管 (DG MOS-HFET)”，超晶格和微结构 - ELSEVIER Publishers，第 55 卷，第 8-15 页，2013 年。ISSN：0749-6036，DOI：10.1016/j.spmi.2012.12.002（SCI 影响因子 2.12）3. Sudhansu Kumar Pati、KalyanKoley、ArkaDutta、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“一种提取具有 NQS 效应的非对称 DG MOSFET 的 RF 参数的新方法”，半导体杂志- IOP Publishers，第 55 卷34，第 2 期，第 1-5 页，2013 年 11 月。ISSN：1674-4926，DOI：10.1088/1674-4926/34/11/114002（SCI - 影响因子 1.18）4. Sudhansu Kumar Pati、KalyanKoley、ArkaDutta、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“体和氧化物厚度变化对下重叠 DG- MOSFET 模拟和 RF 性能的影响研究”，Microelectronics Reliability-Elsevier Publishers，Vol. 54，第 6-7 期，第 1137-1142 页，2014 年。ISSN：0026-2714，DOI：10.1016/j.microrel.2014.02.008 5. HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、Godwin Raj、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“欠重叠和栅极长度对 AlInN/GaN 欠重叠 MOSFET 器件性能的影响”，半导体杂志，IOP Science publishers，第 54 卷。 33, No. 12, 2012 年，第 1-7 页。ISSN：1674-4926，DOI：10.1088/1674- 4926/33/12/124001（SCI-影响因子 1.18） 6. HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、Godwin Raj、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“研究 III-V 异质结构欠重叠 DG MOSFET 中栅极错位、栅极偏置和欠重叠长度导致的不对称效应”，Physica E：低维系统和纳米结构，Elsevier，Vol. 46，第 61-67 页，2012 年。ISSN：1386-9477，DOI：10.1016/j.physe.2012.09.011（SCI 影响因子 3.57） 7. HemantPardeshi、Godwin Raj、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“III-V 异质结构与硅底搭接双栅极 MOSFET 的比较评估”，半导体，Springer，第 46 卷。 46，第 10 期，2012 年，第 1299–1303 页。ISSN：1090-6479，DOI：10.1134/S1063782612100119（SCI - 影响因子 0.641） 8. Godwin Raj、HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“基于物理的 AlGaN/GaN HEMT 器件电荷和漏极电流模型”，Journal of Electron Devices，Vol. 14，第 1155-1160 页，2012 年。ISSN：1682-3427 9. Godwin Raj、HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“基于极化的电荷密度漏极电流和纳米级 AlInGaN/AlN/GaN HEMT 器件的小信号模型”，超晶格和微结构，Elsevier，Vol. 54，第 188-203 页，2013 年。ISSN：0749-6036，DOI：10.1016/j.spmi.2012.11.020（SCI 影响因子 2.12） 10. HemantPardeshi、Godwin Raj、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“势垒厚度对 AlInN/GaN 下重叠 DG MOSFET 器件性能的影响”，超晶格与微结构，Elsevier，第 60 卷，第 47-59 页，2013 年。ISSN：0749-6036，DOI：10.1016/j.spmi.2013.04.015（SCI 影响因子 2.12）
Saroj Rout，博士 - 硅谷科技学院
他是波士顿微技术公司的联合创始人兼副总裁，该公司是一家由美国国家科学基金会 (NSF) 资助的大波士顿地区半导体初创公司，成立于 2014 年。 他是美国国家科学基金会 (NSF) 资助的小企业创新研究 (SBIR) 第一阶段的首席研究员。 1998 年至 2000 年，他在美国爱荷华州立大学担任研究助理，从事低压 CMOS 模拟电路设计工作。 2007 年至 2016 年，他在美国塔夫茨大学从事有源超材料研究。