中心 #1:统计过程控制 (SPC)...................................................................................................... 1 中心 #2:制造系统.................................................................................................................... 2 中心 #3:制造专业技能............................................................................................................... 3 中心 #4:制造业供应链....................................................................................................... 4 辐条 #1:机电一体化....................................................................................................................... 5 辐条 #2:自动化编程....................................................................................................................... 6 辐条 #3:机器人技术.................................................................................................................... 7 辐条 #4:3D 建模和增材制造.................................................................................................... 8 辐条 #5:机械加工.................................................................................................................... 9 辐条 #6:数字化制造.................................................................................................................... 10 辐条 #7:微电子装配............................................................................................................. 11 辐条 #8:电气装配............................................................................................................. 12
摘要:在航空航天高辐射环境中使用的静态随机记忆(SRAM)细胞已经非常容易受到单事件效应的影响(请参阅)。因此,使用辐射硬化设计(RHBD)概念提出了一个用于软误差恢复的12T SRAM硬化电路(RHB-12T单元)。为了验证RHB-12T的性能,由28 nm CMOS过程模拟了所提出的细胞,并将其与其他硬化的细胞(Quatro-10t,We-Quatro-12t,Rhm-12t,Rhm-12t,Rhd-12t,Rhd-12t和RSP-14T进行比较)。仿真结果表明,RHB-12T单元不仅可以从其敏感节点引起的单事件障碍中恢复,而且还可以从由其存储节点对引起的单事件多节点误击中。所提出的单元格与Quatro-10t /We-Quatro-12t /rsp-14t和1.31×/1.11.11×/1.18×/1.37×更短的写入延迟相比,比We-Quatro-12t sspsssss Spsssssss Spssss Spsssss Spssss Spssss Spssss Spsssss Spssss Spsssss Spsssss Spsssss Spssss Spsssss较短。它还显示出比Quatro-10t /Rhm-12t /Rhd-12t和1.12×/1.04×/1.09×比RHM-12T /RHM-12T /RHD-12T /RSP-14T更高的1.35×/1.11×/1.04×读取稳定性和更高的读取稳定性。所有这些改进都是以稍大的面积和功耗的成本来实现的。