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摘要：在航空航天高辐射环境中使用的静态随机记忆（SRAM）细胞已经非常容易受到单事件效应的影响（请参阅）。因此，使用辐射硬化设计（RHBD）概念提出了一个用于软误差恢复的12T SRAM硬化电路（RHB-12T单元）。为了验证RHB-12T的性能，由28 nm CMOS过程模拟了所提出的细胞，并将其与其他硬化的细胞（Quatro-10t，We-Quatro-12t，Rhm-12t，Rhm-12t，Rhd-12t，Rhd-12t和RSP-14T进行比较）。仿真结果表明，RHB-12T单元不仅可以从其敏感节点引起的单事件障碍中恢复，而且还可以从由其存储节点对引起的单事件多节点误击中。所提出的单元格与Quatro-10t /We-Quatro-12t /rsp-14t和1.31×/1.11.11×/1.18×/1.37×更短的写入延迟相比，比We-Quatro-12t sspsssss Spsssssss Spssss Spsssss Spssss Spssss Spssss Spsssss Spssss Spsssss Spsssss Spsssss Spssss Spsssss较短。它还显示出比Quatro-10t /Rhm-12t /Rhd-12t和1.12×/1.04×/1.09×比RHM-12T /RHM-12T /RHD-12T /RSP-14T更高的1.35×/1.11×/1.04×读取稳定性和更高的读取稳定性。所有这些改进都是以稍大的面积和功耗的成本来实现的。
航空应用的高可靠性12T SRAM辐射型电池
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