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PHI 2.6™电池
重要说明：断路器，断开连接和保险丝应在电源存储和生成安装的几个点中使用，以有效地隔离和保护系统的所有组件，以保护该系统免受故障，短路，极性逆转或整体系统中任何组件的故障。保险丝，断路器，接线评级和值应由既定标准确定，并由认证的电工，许可安装程序和区域法规当局进行评估。尽管每个PHI 2.6™电池都包含80安培的断路器和带电路的内部BMS，可以保护锂铁磷酸锂电池免受过度充电，过度递减和过度负载安培，但PHI 2.6™电池必须始终使用充电控制器和适当的phi 2.6开放式设置和其他pv serpaige和其他pv pv voltage安装。PHI 2.6™电池管理系统（BMS）和内部断路器不会保护PHI电池免受这些极端电现象的影响。未能遵守安装协议将使保修无效。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
设计聚合物电介质中结构单元的定制组合用于高温电容储能
许多新兴应用中的主流介电储能技术，如可再生能源、电气化交通和先进推进系统，通常需要在恶劣的温度条件下运行。然而，在当前的聚合物介电材料和应用中，优异的电容性能和热稳定性往往是互相排斥的。在这里，我们报告了一种定制结构单元以设计高温聚合物电介质的策略。预测了由不同结构单元组合而成的聚酰亚胺衍生聚合物库，并合成了 12 种代表性聚合物用于直接实验研究。这项研究为实现在高温下具有高能量存储能力的坚固稳定的电介质所必需的决定性结构因素提供了重要的见解。我们还发现，当带隙超过临界点时，高温绝缘性能的边际效用会递减，这与这些聚合物中相邻共轭平面之间的二面角密切相关。通过实验测试优化和预测的结构，观察到在高达 250°C 的温度下能量存储增加。我们讨论了将该策略普遍应用于其他聚合物电介质以进一步提高性能的可能性。
黑洞奇点附近的量子群体
史瓦西黑洞内部包含将其与类空奇点分隔开的测地线边界。任何跨越测地线边界向奇点迁移的信息都会因因果关系而不可挽回地丢失。如果史瓦西奇点吸收信息，则相应的演化将被视为悖论，因为它违反了信息处理的神圣规则 [1] 。人们通常认为时空涨落会变形其测地线边界附近的史瓦西几何，从而产生一致的量子演化。虽然这种动力学正则化机制的细节尚不清楚，但它们对于黑洞量子信息处理的整体方面（例如黑洞信息悖论 [2 – 4] ）非常重要。在本文中，我们表明史瓦西奇点毗邻渐近静默时空区域，即无论初始场配置如何都会抑制空间量子关联的区域。更重要的是，它们适应所谓的 Zeno 边界，该边界标记了由测地线边界终止的超曲面堆栈，具有以下属性：在堆栈中填充量子信息的概率测度朝着奇点单调递减，并在测地线边界处消失。因此，量子事件无法探测测地线边界，量子信息也无法迁移
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
2024-2025 膳食计划协议
a. 2024 年秋季学期从 2024 年 8 月 23 日星期五到 2024 年 12 月 13 日星期五 b. 2025 年春季学期从 2025 年 1 月 3 日星期五到 2025 年 5 月 2 日星期五 c. 膳食计划不能在假期、其他休息时间、大学活动或餐饮场所关闭期间使用。有关营业时间的最新信息位于 http://www.apu.edu/diningservices/。 2. 膳食计划包括基于计划的特定每周刷卡配额和/或弹性美元递减余额。 3. 膳食刷卡可在周日至周六使用，不会结转到下一周，如果未使用则不可退款。您的膳食计划与您的学生证相关联。计划 AE 的膳食刷卡将从每周的周日开始。膳食刷卡内容因场所而异，但不包括 Shalom Café 和 The Market。弹性美元将作为递减余额扣除。根据所选计划，学生每周可以获得一定数量的餐食。4. Flex Dollars 可从秋季延续到春季学期（仅当学生使用相同或更高级的计划时），但将在学年结束时（2025 年 5 月 2 日）到期 5. 膳食计划下的购买无需纳税。6. 居住在 Adams、Trinity 或 Engstrom Halls 的居民必须至少拥有 Cougar Plan C 并签署膳食计划协议。任何未签署膳食计划的宿舍居民将自动加入 Cougar Plan C。7. 居住在 Shire H court 的居民必须至少拥有 Cougar Plan D 并签署膳食计划协议。任何未签署膳食计划的 Shire H 居民将自动加入 Cougar Plan D。8. 膳食计划仅适用于当前就读的 APU 学生。 9. 膳食计划不可转让，仅供膳食计划购买者使用有效的实体或虚拟身份证使用。任何由持卡人以外的人使用的身份证将被餐厅收银员没收并交到一卡通办公室。持卡人可以联系一卡通办公室领取卡片。屡次违反本协议可能会导致进一步的行动。如果膳食计划购买者以外的任何人使用不是他们自己的虚拟身份证，校园安全和学生事务部将收到通知并采取进一步行动。10. 客人膳食每学期可使用 2 次，并附有计划 AD。学生必须通知
![arXiv:2309.02406v1 [eess.SY] 2023 年 9 月 5 日](/simg/e\ee8d74a0109961cc7dcb68f48e49c01727864a0c.webp)
arXiv:2309.02406v1 [eess.SY] 2023 年 9 月 5 日
带有储能装置的并网混合可再生能源系统可以减少可再生能源供应的间歇性。然而，新兴的储能技术需要改进才能与锂离子电池竞争并降低能源成本。当将参数视为独立变量时，由于能源系统模型的非线性，确定和优化这些技术最有价值的改进路径具有挑战性。为了克服这个问题，提出了一种新的基于投资的优化方法。该方法涉及混合可再生能源系统的线性优化和随后的投资优化，考虑到每笔投资的改进递减。将基于投资的优化应用于热能、泵送热能、熔盐和绝热压缩空气储能技术的结果表明，提高放电效率对所有技术来说都是最有价值的。第二重要的参数是放电容量和储能容量的成本，最不重要的参数是充电容量成本和充电效率。该研究为每种技术在各种运行条件下提供了详细的改进途径，帮助开发商进行资源配置。总体而言，基于投资的优化方法和结果有助于增强新兴储能技术的竞争力，并减少可再生能源系统对电池的依赖。
周边层对拉伸力学性能的影响...
增材制造已成为全球经济的重要组成部分，它彻底改变了制造工艺、增强了机械部件并解决了提高生产率等当前行业挑战。本研究探讨了 3D 打印 Onyx 的抗拉强度和刚度，重点研究了打印周边层的影响。结果表明，增加周边层可通过加厚外壁和改善应力分布来提高抗拉强度。实验表明，2 到 15 层之间的改进不超过 20%，并且周边层对韧性没有影响。此外，一旦有足够的周边层，内部填充模式和密度会在整体强度中发挥更重要的作用。两层通常足以确保凝聚力、最大限度地减少变形并防止微裂纹扩展。Onyx 的尼龙基质和碳纤维通过缓解周边层和内层之间的过渡区的应力集中进一步提高了耐久性。然而，超过某一点后，增加层数带来的收益就会递减，主要是增加材料消耗，而强度却没有显著提高。这些发现支持未来研究剪切强度和抗冲击性等附加性能，同时平衡性能、材料使用和可持续性。