由于对集成的光电电路的需求日益增长和较高的光学通信带宽,光学解体器在电信行业的全光设备中具有很大的潜力[1]。对数据速率的越来越多的需求激发了对多重技术的需求[2]。可以使用以下技术方法来创建光学反复传动器:Y分支设备[3,4],Mach-Zehnder干涉仪(MZI)[5],燃烧的波导侧壁光栅[6]和多模层干扰(MMI)COUPLERS [7,8]。为了提高数据传输比特率,波长多路复用(WDM)是广泛使用的技术之一[1]。通过减少峰值波长之间的距离,可以利用更多的通道来利用单个光谱带。
石油和天然气行业面临的重大挑战之一是减少与钻井作业相关的碳足迹。本文介绍了一项案例研究,以实施选择性絮凝过程,以优化钻探操作期间的人均流体消耗,高性能水基泥浆(WBM)。在哥伦比亚油田中进行的研究表明,在絮凝过程中聚合物浓度和注射速率的调整如何减少液体稀释的需求,从而减少水和化学消耗,废物产生以及CO 2等效(CO 2 EQ。)排放。这些发现突出了选择性絮凝在增强钻井流体性能并促进可持续性目标方面的有效性。
《原油油轮货油舱防腐替代方法性能标准》(IMO 决议 MSC.289 (87))允许使用“耐腐蚀钢”。这种钢是改良的船用钢,添加了某些化学元素,这些元素被发现具有延缓原油运输船货舱环境中腐蚀速率的有益效果。应钢铁行业的要求,IACS 针对这些耐腐蚀钢制定了 UR W30。UR W30 规定了 IACS 对这些钢的批准、制造、认证和船厂应用的统一方法。除了 UR W30 之外,还制定了统一解释(UI SC 258),以澄清决议 MSC.289 (87) 中的各项规定。(6) UR W31
摘要 - 通过基于DNA的数据存储的最新进展激发,我们研究了一个通信系统,在该系统中,通过并联许多序列传达信息。在此系统中,接收器无法控制对这些序列的访问,并且只能从这些序列中绘制,不知道已绘制了哪些序列。此外,绘制序列易于错误。在本文中,分析了该输入输出关系的合适通道模型,并针对广泛的参数和一般的图形分布计算其信息容量。这概括了无噪声情况和特定图形分布的先前结果。分析可以通过建立对可实现信息速率的理论限制以及提出对解码器实际实现有用的解码技术来指导未来的数据存储实验。
使用 SF 6 和 CHF 3 气体的工艺 Muhammad Hidayat Mohd Noor 1 , Nafarizal Nayan 1,2 * 1 电气和电子工程学院 (FKEE), Universiti Tun Hussein Onn Malaysia, 86400, Batu Pahat, Johor, MALAYSIA 2 微电子和纳米技术 - Shamsuddin 研究中心 (MiNT-SRC), Universiti Tun Hussein Onn Malaysia, 86400, Batu Pahat, Johor, MALAYSIA *通讯作者指定 DOI:https://doi.org/10.30880/eeee.2022.03.02.010 2022 年 6 月 27 日收稿; 2022 年 7 月 24 日接受; 2022 年 10 月 31 日在线提供摘要:反应离子刻蚀 (RIE) 是一种用于微加工的刻蚀技术,也是干法刻蚀的方法之一,与湿法刻蚀相比具有不同的特性。RIE 中的反应等离子体的化学过程用于去除晶圆上沉积的材料。RIE 蚀刻机有几个可变因素,例如射频功率、压力、气体流速和蚀刻时间,这些因素对应于其蚀刻深度和蚀刻速率的输出参数。需要进行大量实验才能找到 RIE 的最佳设置,从而为输出蚀刻速率建立理想的条件。在本研究中,使用供给 RIE 系统的 SF 6 和 CHF 3 工艺气体对 Si 和 SiO 2 晶圆进行蚀刻。使用 Dektak XT Bruker 表面轮廓仪研究了蚀刻深度和蚀刻速率,并使用 3D 映射模式表征了蚀刻后的 Si 和 SiO 2 的表面粗糙度。结果显示了不同射频功率、时间和流速对蚀刻深度和速率的影响,从而可以选择最佳参数。关键词:反应离子蚀刻、RIE、等离子蚀刻、硅、二氧化硅
1。基于所证明的速率的制造速率,每个过程步骤都被外推到一台机器,并基于包含容量因素的过程模型。2。实验室CCM,具有0.20mg/cm 2 78wt%IR/NSTF粉末OER催化剂/电极,0.08mg/cm 2 pt/nstF分散的催化剂/电极,3M 800EW 100 MICRON MEMBRANE。50cm 2单元,80˚C,2A/cm 2。风VRE协议。3。通过50cm 2单元,80˚C,2A/cm 2,3m 800ew 100 micron膜,项目风变可再生能源(VRE)协议评估的项目目标。堆栈中的性能和耐用性里程碑脱离为1.735V和5µV/hr。
4转换过程的公式31 4.1过程表符号。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。32 4.2过程率的典型要素。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。36 4.2.1过程速率的温度依赖性。。。。。。。。。。。。。。37 4.2.2限制物质浓度的过程速率。。。。。。38 4.2.3通过物质浓度抑制过程速率。。。。。。39 4.2.4初级生产的光依赖性。。。。。。。。。。。。。。。41 4.2.5不同食物来源之间的偏好。。。。。。。。。。。。。。。43 4.2.6进程表的示例。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。44 4.3从组成的化学计量衍生。。。。。。。。。。。。。。。。46 4.3.1化学物质符号(给定元素质量分数)的化学计量衍生。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。47 4.3.2从参数化元素质量分数的化学计量衍生。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。52
摘要 - 用于数据密集型应用程序(例如增强和虚拟现实)的集成,低损坏和有效的系统需要芯片集成的光子电路,这些电路具有高级信息和通信技术的巨大潜力,包括6G无线网络以及Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Covil-toctuits。实现这场革命的有前途的平台是谷光子晶体(VPC)。vpcs可以构建拓扑界面,这有助于通过单向边缘模式造成最小损失和反向散射的光支持。界面拓扑界面和这些坚固的边缘模式所经历的拓扑保护程度是一个相对较新的观点,值得探索。对数据密集型数据速率的越来越多的需求
1。基于所证明的速率的制造速率,每个过程步骤都被外推到一台机器,并基于包含容量因素的过程模型。2。实验室CCM,具有0.20mg/cm 2 78wt%IR/NSTF粉末OER催化剂/电极,0.08mg/cm 2 pt/nstF分散的催化剂/电极,3M 800EW 100 MICRON MEMBRANE。50cm 2单元,80˚C,2A/cm 2。风VRE协议。3。通过50cm 2单元,80˚C,2A/cm 2,3m 800ew 100 micron膜,项目风变可再生能源(VRE)协议评估的项目目标。堆栈中的性能和耐用性里程碑脱离为1.735V和5µV/hr。
摘要。在本文中,研究并制定了基于Al和Cuox的能量纳米级粉末材料的电泳沉积的特征和主要细微差别。我们成功证明了在沉积过程中使用悬架非停车超声混合和水平电极放置的优势。显示了在导电拓扑模式上局部沉积局部沉积的可能性。研究了沉积材料的质量对局部形成的能量材料的波燃烧过程行为的影响。这项研究为多目标优化提供了指导,并增加了局部电泳沉积过程的可重复性。结果表明,可以将Alcuox混合物整合到微能系统中,作为具有出色特异性特征和高燃烧速率的材料。