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使用 SF 6 和 CHF 3 气体的工艺 Muhammad Hidayat Mohd Noor 1 , Nafarizal Nayan 1,2 * 1 电气和电子工程学院 (FKEE), Universiti Tun Hussein Onn Malaysia, 86400, Batu Pahat, Johor, MALAYSIA 2 微电子和纳米技术 - Shamsuddin 研究中心 (MiNT-SRC), Universiti Tun Hussein Onn Malaysia, 86400, Batu Pahat, Johor, MALAYSIA *通讯作者指定 DOI：https://doi.org/10.30880/eeee.2022.03.02.010 2022 年 6 月 27 日收稿； 2022 年 7 月 24 日接受； 2022 年 10 月 31 日在线提供摘要：反应离子刻蚀 (RIE) 是一种用于微加工的刻蚀技术，也是干法刻蚀的方法之一，与湿法刻蚀相比具有不同的特性。RIE 中的反应等离子体的化学过程用于去除晶圆上沉积的材料。RIE 蚀刻机有几个可变因素，例如射频功率、压力、气体流速和蚀刻时间，这些因素对应于其蚀刻深度和蚀刻速率的输出参数。需要进行大量实验才能找到 RIE 的最佳设置，从而为输出蚀刻速率建立理想的条件。在本研究中，使用供给 RIE 系统的 SF 6 和 CHF 3 工艺气体对 Si 和 SiO 2 晶圆进行蚀刻。使用 Dektak XT Bruker 表面轮廓仪研究了蚀刻深度和蚀刻速率，并使用 3D 映射模式表征了蚀刻后的 Si 和 SiO 2 的表面粗糙度。结果显示了不同射频功率、时间和流速对蚀刻深度和速率的影响，从而可以选择最佳参数。关键词：反应离子蚀刻、RIE、等离子蚀刻、硅、二氧化硅
EEEE 反应离子蚀刻 (RIE) 工艺的优化...
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