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World File Search System金亨宽
纽金集团
前瞻性陈述符合经修订的 1933 年证券法第 27A 条和经修订的 1934 年证券交易法第 21E 条的规定，在本年度报告表 10-K 中有所提及，包括与管理层对新产品推出的期望、我们某些组件、原材料和成品来源的充分性以及我们利用某些库存的能力有关的陈述。为此，本文中包含的任何非历史事实陈述均可视为前瞻性陈述。在不限制前述内容的情况下，“相信”、“预期”、“计划”、“期望”、“寻求”、“估计”等词语和类似表达旨在识别前瞻性陈述。这些前瞻性陈述旨在提供我们对未来事件的当前期望或预测；基于当前的估计、预测、信念和假设；并非对未来业绩的保证。实际事件或结果可能与前瞻性陈述中描述的结果存在重大差异。有许多重要因素，包括竞争、招聘和对关键员工的依赖、天气对农业和粮食生产的影响、持续的 COVID-19 疫情对我们业务的影响、俄罗斯入侵乌克兰和相关制裁造成的全球业务中断、经营成果、流动性、财务状况和股票价格、通货膨胀、供应链、收购的识别和整合、研发风险、专利和商业秘密保护、政府监管、与完成 3M 交易相关的风险以及第 1A 项中详述的其他风险。本 10-K 表中的风险因素以及公司不时提交给美国证券交易委员会 (SEC) 的报告中的风险因素，可能导致 Neogen Corporation 的结果与此类前瞻性陈述所示的结果存在重大差异。
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前瞻性陈述符合经修订的 1933 年证券法第 27A 条和经修订的 1934 年证券交易法第 21E 条的规定，在本年度报告表 10-K 中有所提及，包括与管理层对新产品推出的期望、我们某些组件、原材料和成品来源的充分性以及我们利用某些库存的能力有关的陈述。为此，本文中包含的任何非历史事实陈述均可视为前瞻性陈述。在不限制前述内容的情况下，“相信”、“预期”、“计划”、“期望”、“寻求”、“估计”等词语和类似表达旨在识别前瞻性陈述。这些前瞻性陈述旨在提供我们对未来事件的当前期望或预测；基于当前的估计、预测、信念和假设；并非对未来业绩的保证。实际事件或结果可能与前瞻性陈述中描述的结果存在重大差异。有许多重要因素，包括竞争、招聘和对关键员工的依赖、天气对农业和粮食生产的影响、持续的 COVID-19 疫情对我们业务的影响、俄罗斯入侵乌克兰和相关制裁造成的全球业务中断、经营成果、流动性、财务状况和股票价格、通货膨胀、供应链、收购的识别和整合、研发风险、专利和商业秘密保护、政府监管、与完成 3M 交易相关的风险以及第 1A 项中详述的其他风险。本 10-K 表中的风险因素以及公司不时提交给美国证券交易委员会 (SEC) 的报告中的风险因素，可能导致 Neogen Corporation 的结果与此类前瞻性陈述所示的结果存在重大差异。
纽金集团
前瞻性陈述符合经修订的 1933 年证券法第 27A 条和经修订的 1934 年证券交易法第 21E 条的规定，在本年度报告表 10-K 中有所提及，包括与管理层对新产品推出的期望、我们某些组件、原材料和成品来源的充分性以及我们利用某些库存的能力有关的陈述。为此，本文中包含的任何非历史事实陈述均可视为前瞻性陈述。在不限制前述内容的情况下，“相信”、“预期”、“计划”、“期望”、“寻求”、“估计”等词语和类似表达旨在识别前瞻性陈述。这些前瞻性陈述旨在提供我们对未来事件的当前期望或预测；基于当前的估计、预测、信念和假设；并非对未来业绩的保证。实际事件或结果可能与前瞻性陈述中描述的结果存在重大差异。有许多重要因素，包括竞争、招聘和对关键员工的依赖、天气对农业和粮食生产的影响、持续的 COVID-19 疫情对我们业务的影响、俄罗斯入侵乌克兰和相关制裁造成的全球业务中断、经营成果、流动性、财务状况和股票价格、通货膨胀、供应链、收购的识别和整合、研发风险、专利和商业秘密保护、政府监管、与完成 3M 交易相关的风险以及第 1A 项中详述的其他风险。本 10-K 表中的风险因素以及公司不时提交给美国证券交易委员会 (SEC) 的报告中的风险因素，可能导致 Neogen Corporation 的结果与此类前瞻性陈述所示的结果存在重大差异。
金港MA
• IEEE Conference on Computer Vision and Pattern Recognition (CVPR) 2019–2022, 2024 • IEEE International Conference on Computer Vision (ICCV) 2019, 2021 • European Conference on Computer Vision (ECCV) 2020, 2022 • AAAI Conference on Artificial Intelligence (AAAI) 2020–2022 • Neural Information Processing Systems (NeurIPS) 2020, 2021 • IEEE International Conference on Multimedia and Expo (ICME) 2019 • ACM SIGGRAPH 2013–2020, 2022, 2023 • ACM SIGGRAPH Asia 2013–2019, 2021, 2022 • Eurographics 2010, 2013–2018, 2020 • Pacific Graphics 2011, 2013, 2014, 2018 • Computer Graphics International (CGI) 2012 • CAD/Graphics 2013 • Asian Conference on Computer Vision (ACCV) 2016 • IEEE VR 2018•图形上的ACM交易•图像处理上的IEEE交易•IEEE可视化和计算机图形的IEEE交易•IEEE计算机图形和应用程序
宽屏面板进军商务航空领域
有人可能会说这是意料之外的，而且似乎很少有人对此消息感到震惊。Garmin 是一家航空电子设备和集成驾驶舱的主要供应商，其产品范围从轻型运动飞机到轻型商务喷气机，它向新领域发起了进攻：“大型”飞机市场（起飞重量超过 12,500 磅的飞机）从轻型喷气机部分的高端向上延伸，因此必须根据第 25 部分进行认证。由于认证规则被认为比第 23 部分（该公司此前专注于航空领域）更为严格，Garmin 的新款 G5000 将在 2012 年获得认证并投入使用后，完成 Garmin 在航空领域各个领域的扩张。如果 2012 年看起来特别雄心勃勃或突然，那么值得注意的是，该公司表示已经完成了开发和认证的一半。 Garmin 高管承认，该公司不会停止开拓新市场——第 25 部分市场既是新市场，又具有潜在的利润空间。经过二十年的努力，这家 GPS 打造的公司已成为第 23 部分飞机通用航空电子设备领域的主导者，现在正将其业务范围扩大到长期由两大航空电子设备巨头主导的领域：罗克韦尔柯林斯，很久以前就退出了活塞单引擎和双引擎飞机的生产；以及霍尼韦尔，它已经与 Garmin 在第 23 部分市场（直至 LSA 领域）展开正面竞争。行业观察家和行业传闻将 Garmin 称为
超维计算的自适应模型位宽
摘要 — 受大脑启发的超维 (HD) 计算是一种模拟高维空间中神经元活动的新型计算范式。HD 计算的第一步是将每个数据点映射到高维空间（例如 10,000）。这带来了几个问题。例如，数据量可能会激增，所有后续操作都需要在 D = 10,000 维中并行执行。先前的工作通过模型量化缓解了这个问题。然后可以将 HV 存储在比原始数据更小的空间中，并且可以使用较低位宽的操作来节省能源。然而，先前的工作将所有样本量化为相同的位宽。我们提出了 AdaptBit-HD，一种用于加速 HD 计算的自适应模型位宽架构。当可以使用更少的位来找到正确的类时，AdaptBit-HD 一次一位地对量化模型的位进行操作以节省能源。借助 AdaptBit-HD，我们可以在必要时利用所有位来实现高精度，并在设计对输出有信心时终止较低位的执行，从而实现高能效。我们还为 AdaptBit-HD 设计了一个端到端 FPGA 加速器。与 16 位模型相比，AdaptBit-HD 的能效提高了 14 倍；与二进制模型相比，AdaptBit-HD 的精度提高了 1.1%，与 16 位模型的精度相当。这表明 AdaptBit-HD 能够实现全精度模型的精度，同时具有二进制模型的能效。
及基于GaN的DC-DC宽输入电压范围降压转换器...
摘要 — 本文旨在比较具有宽输入电压范围的 DC/DC 拓扑。研究还解释了 GaN E-HEMT 晶体管的实现如何影响转换器的整体效率。本文介绍了选择最有效拓扑的过程，以将电池存储电压（9 V – 36 V）稳定在 24 V 水平，从而能够在自动电动汽车等广泛应用中使用超级电容器储能。为了选择最合适的拓扑，进行了模拟和实验室研究。选择了两种最有前途的拓扑在实验模型中进行验证。每个转换器都以两种版本构建：使用 Si 和 GaN E-HEMT 晶体管。本文介绍了实验研究结果，包括精确的功率损耗测量和热分析。还检查了转换器开关频率增加时的性能。
等离子体诱导充电效果的宽范围检测器...
近年来，半导体过程技术的演变继续缩小大型集成电路中的临界维度[1-3]。高级芬费逻辑过程已经变得更加复杂，可以在多功能和更强大的SI芯片中实现更紧密的晶体管。反应性离子蚀刻步骤通过等离子体增强[4-5]在高级纳米级过程中不可避免地实现高纵横比结构，这对于高包装密度电路至关重要[6]。对于超过45nm的CMOS技术节点，晶体管门从带有二氧化硅的常规聚硅门变为高K金属栅极堆栈[7-8]。这种变化不仅使设备更容易受到血浆诱导的损害的影响，而且可能导致对高K介电层的潜在潜在损害[9]。在最先进的FinFET制造过程中，不可避免地会产生较高的等离子诱导充电事件的RF等离子体步骤，例如蚀刻，沉积和清洁过程，这会产生较高的频率[10]。可能会在金属结构上进行正充电和负电荷。随着这些电荷经过预先存在的金属线和触点制成的导电路径，通过电路的脆弱部分进行了不良放电，尤其是通过晶体管栅极介电介电出现可能会带来重大的可靠性问题。例如，在干燥的蚀刻步骤中，散射在反应表面上撞击离子和溅射材料会导致散装鳍中更多的缺陷[11-12]。为了避免等离子充电事件导致电路不可逆转的损害，给出了限制金属结构尺寸的设计规则。减轻PID的另一个例子包括使用保护二极管，这可能会使血浆充电电流从敏感电路中移开[13]。引入原位蒸汽产生（ISSG）氧化门报道，据报道提高其对血浆损伤的耐受性[14]。此外，还发现修剪腔室和修饰PECVD-TI沉积过程可减轻血浆诱导的损伤[15]。这些方法中的大多数会导致电路设计灵活性或处理权衡的不良限制。
