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World File Search System金属线
同轴线激光增材制造工艺参数和头部方向对焊珠几何形状的影响
摘要。在金属材料的定向能量沉积 (DED) 工艺中，线激光增材制造 (WLAM) 的特点是使用激光束熔化金属线并产生焊珠。重叠焊珠的连续沉积产生体积以获得零件。因此，控制焊珠的几何形状对于增材制造工艺至关重要。一些研究工作已经研究了这些几何形状以及主要制造参数对其尺寸的影响，但很少有研究进料方向或线角度的影响。此外，所有关于线角度的研究都是在横向进料和恒定激光方向下进行的。本文重点研究了同轴线进料的沉积头方向对焊珠几何形状的影响，其中有 3 束激光。以相对于水平基板的不同方向进行实验，并使用光学仪器测量外部轮廓，以提取平均轮廓和特征尺寸。结果表明，头部绕其轴线旋转和横向倾斜会影响焊珠的高度、宽度和不对称性。
65 nm Beol Electro-Copper Plating Gap填充能力研究。
图5.2。相对电阻与EM测试的时间降解图。图中指出了两种不同的降解行为模式。...............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................5.3。分别用于带有双层和三层屏障的样品的t = 275、300、325°C的时间的CDF图和j = 2×10 -6 a/cm 2。.....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................5.4。fib图像显示了（a）早期和（b）晚期失败的双层的下游诱导的空隙，以及（c）早期和（d）晚期失败的三层。虚线箭头指示电子流的方向。................................................................................................ 55 Fig.5.5。在t = 300°C下的双层三层屏障样品的双峰拟合。.................................................................................................. 56 Fig.5.6。Arrhenius图作为分裂A和B的温度的函数。提取早期和晚期失败模式的激活能。....... 58图6.1。tem显示了分裂的典型模具的Cu凹陷深度（a）a，（b）b和（c）c，分别为低，中值和高降低。....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 64图6.2。在M2层的三个拆分中有缺陷的死亡百分比。............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 65图6.3。通过V2M2处的三个分裂的接触电阻。6.4。6.5。6.6。.....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................在t = 275、300、325°C分开a的时间的时间（TTF）的CDF图（TTF），J = 2×10 6 A/cm 2。.................................................................................... 67 Fig.来自PFA的EM测试结构的 FIB图像显示了（a）早期和（b）晚期失败的下游诱导的空隙。 ................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 使用物理方法在t = 300°C下分裂A至C的双峰拟合。69图 6.7。 MTTF的Arrhenius图作为拆分a的温度的函数。 7.1。 2步（实线）和3步（仪表板线）Cu种子层的沉积功率。 ............................................................................................................ 76 Fig. 7.2。 （a）带有3步和2步Cu种子层的金属线的泄漏电流和（b）板电阻。 ....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 78FIB图像显示了（a）早期和（b）晚期失败的下游诱导的空隙。...................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................使用物理方法在t = 300°C下分裂A至C的双峰拟合。69图6.7。MTTF的Arrhenius图作为拆分a的温度的函数。7.1。2步（实线）和3步（仪表板线）Cu种子层的沉积功率。............................................................................................................ 76 Fig.7.2。（a）带有3步和2步Cu种子层的金属线的泄漏电流和（b）板电阻。....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 78
海狸管理计划
• 40 英尺长、直径为 12 英寸或 18 英寸的高密度聚乙烯 (HDPE) 管，双壁且无孔，顶部有通风孔，进水端底部有凹口。 • 6x6x6 英尺的金属网笼，顶部为圆顶状，环绕进水端，由 6x6 英寸金属网布、3/16 英寸直径的金属线、非镀锌制成。使用一块织物板作为地板；避免在地板上将相邻织物板固定在一起时出现接缝。 • 金属“T”形柱将管道和进水端笼固定到池底。 • 2x2x2 英尺的金属网笼位于管道下游端（与进水端笼相同的 6x6 网布）。 • 管道的上游端放置在笼子的底部中心，笼子放置在尽可能深的水中（将进水端设置在尽可能深的位置）。 • 将管道的下游端放置在海狸坝中，延伸出坝外几英尺，管道底部放置在所需的水面高度。
电包装的硅充电混合动力车（SOH）I/Q- ...
摘要：硅 - 有机杂种（SOH）电光（EO）调节器将小占地面积与低操作电压和低功率散开结合在一起，因此将自己借给大规模设备阵列的芯片整合。在这里，我们演示了一个电气包装概念，该概念可以在片上SOH设备和外部电路之间实现高密度射频（RF）接口。该概念结合了高分辨率AL 2 O 3印刷电路板和技术简单的金属线键，并且可以适合包装带有小片上键盘垫的设备阵列。在一组实验中，我们表征了基础RF构建块的性能，并通过产生高速光学通信信号来证明整体概念的可行性。Achieving line rates (symbols rates) of 128 Gbit/s (64 GBd) using quadrature-phase-shift-keying (QPSK) modulation and of 160 Gbit/s (40 GBd) using 16-state quadrature-amplitude-modulation (16QAM), we believe that our demonstration represents an important step in bringing SOH modulators from proof- of-concept experiments to deployment in commercial环境。
进行聚合物对最近的进展进行了全面综述
摘要：聚合物通常与绝缘子有关，世界上每个人都在学习不触摸磨损的电线，您可能会从暴露的导电金属线中受到冲击。我们都知道塑料不会导致电力，并且可以用来隔离电线并保护我们免受电流的侵害。我们大多数人都认为聚合物（塑料）可作为较重的结构材料（例如钢和木材）的轻重替换。传统上，它们被用作绝缘子，以防止电气导体产生电击。通常与绝缘子相关的聚合物可能是一个非常好的导体，这是一个非常出乎意料的发现，即可以使某些聚合物像金属铜一样有效地进行电流，这对许多人来说是一个惊喜，并获得了2000年诺贝尔化学奖。（该奖项授予Alan J. Heeger，Alan G. MacDiarmid和Hideki Shirakawa。）他们总是需要与离子成分的一些“求职”；但是，电阻率可能极低。聚合物等聚合物的可用性和低成本使导电聚合物的领域成为繁荣的行业。导电聚合物已进入许多其他字段索引项 - 聚合物，电导率，电阻率，掺杂，聚乙烯，聚苯胺。
高密度LTCC基材的合并制造方法：厚实的胶片丝网印刷，墨水喷气机，邮火薄膜工艺和激光钻孔
摘要本文强调了诸如厚膜丝网印刷，墨水射流和后发射薄膜工艺等技术的可能组合，并结合激光滴定的细vias，以产生高密度的微型LTCC底物。为了获得内层的银色图案，在陶瓷绿色的床单上应用了常规的厚膜印刷和墨水喷射印刷（使用纳米银颗粒分散墨水）。墨水喷气工艺使用线/空间= 30/30 m m的细线进行金属线。对于层间连接，使用了由紫外线激光形成的直径30 m m的细vias。然后将这些床单彼此堆叠并发射以获得基础。在此基底物上，通过薄膜过程形成了用于翻转芯片的细铜图案。表面表面均由镍钝化和通过电板沉积的金层。用于进行迹线的三个图案操作和细vias的紫外线激光钻孔的组合使得实现精细的螺距LTCC，例如，用于Flip Chip设备安装。
ASTM F3187-16(2023)
3.2.4.1 讨论 — 适用于 DED 的电弧工艺表面上基于气体保护工艺，即 GTA、PA、PTA 和 GMA 及其变体。3.2.5 建成状态，adj— 参见建成状态、ISO 52900 和 3.3。3.2.6 构建平台，n— 参见构建平台。ISO/ASTM 52900 3.2.6.1 讨论 — 在 ISO/ASTM 52900 中，机器的构建平台被定义为提供一个表面的底座，零件的构建在该表面之上，并在整个构建过程中受到支撑。在 DED 中，构建平台也可以是需要修复的组件，也可以是非平面的。3.2.7 捕获效率，n— 从沉积头喷出的粉末中融入构建结构的比例。通常以百分比表示。 3.2.8 载气，名词——通常为惰性气体，用于将粉末从沉积头运送到熔池，在某些系统中也用于辅助将粉末从储存系统运送到沉积头。 3.2.9 铸件，名词——一根金属线，松散地抛在地板上的一段金属线所形成的圆的直径。 3.2.10 包层，名词——参见包层，AWS A3.0/A3.0M。 3.2.11 横流，名词——通常为惰性气体，方向垂直于受保护镜头的光轴。 3.2.12 循环，名词——单个循环，其中一个或多个组件、特征或修理在机器的构建空间中分层构建。 ISO/ASTM 52900 3.2.12.1 讨论——DED 非常适合修理、特征添加和再制造应用。在本指南中，无论是构建完整部件、其一部分还是修复，术语“DED 构建循环”和“DED 沉积循环”的使用都是同义词。 3.2.13 缺陷，名词——参见缺陷，术语 E1316。 3.2.14 沉积头，名词——向熔池输送能量和原料的装置。 3.2.15 沉积速率，名词——参见沉积速率，AWS A3.0/A3.0M。 3.2.16 定向能量沉积 (DED)，名词——参见 ISO/ASTM 52900 和 3.3。 3.2.17 进料，名词——将材料（线材或粉末形式）输送到熔池的机制。 3.2.18 填充金属，名词——参见填充金属，AWS A3.0/A3.0M。 3.2.19 裂纹，名词——参见裂纹，术语 E1316。 3.2.20 焦斑，名词——参见焦斑，AWS A3.0/A3.0M。 3.2.21 功能梯度材料，名词——在成分或结构（或二者）上随空间变化的沉积材料，导致材料性质的相应变化。 3.2.22 气体金属电弧（GMA），名词——参见气体金属电弧焊（GMAW），AWS A3.0/A3.0M。 3.2.22.1 讨论——AWS 定义中的“焊接”一词表示两块或多块材料的连接。由于 DED 不是这种情况，因此删除了“焊接”一词。其余术语描述电弧物理学。
金属 - UPM 数字档案
摘要：激光诱导正向转移 (LIFT) 技术已用于打印具有微米级颗粒 (1-4 µ m) 的高粘度 (250 Pa · s) 商用银浆。使用单个 ps 激光脉冲转移的体积像素 (体素) 相互重叠以获得连续的金属线。然而，连续体素之间的干扰问题是获得具有良好形貌的线条之前必须解决的主要问题。讨论了激光脉冲能量、供体糊剂膜厚度和连续体素之间距离对单个体素和线条形貌的影响。由于糊剂的粘度高，打印事件后供体膜中的空隙仍然存在，并且它对下一个激光脉冲的物理传输机制产生负面影响。当两个激光脉冲在短距离发射时，根本不会发生传输。只有当脉冲之间的距离足够长以避免干扰，但又足够短以允许重叠（≈ 100 µ m）时，才有可能在单个步骤中打印连续的线条。最后，所获得的知识使得银线的打印速度达到高速（高达 60 m / s）。
类似乐高的可重构人工智能芯片
对实时低功耗传感信息处理能力的需求日益增长。然而，这需要开发和集成从传感器到处理器等不同类型的智能设备。传统的三维 (3D) 异构集成技术基于冯·诺依曼架构，依靠金属线通孔垂直连接传感器、处理器和存储器层 1 。在这样的系统中，这些不同功能层之间的硬连线连接一旦制造出来就固定了。因此，传统的 3D 异构集成技术在边缘智能应用中使用时效率低下，因为在边缘智能应用中，对传感和计算的需求随时间而变。华强吴、林鹏、Jeehwan Kim 和同事在《自然电子学》上撰文，报道了一种可重构异构集成技术，该技术基于可堆叠芯片，芯片中嵌入了光电器件阵列和忆阻横杆 2 。智能传感器和处理器之前已被开发用于图像预处理 3 – 5 和并行识别 6、7 。以前也曾探索过垂直架构的神经形态视觉芯片的概念，即通过线连接将基于范德华异质结构的神经形态传感器和忆阻交叉阵列联网 8 。来自美国、韩国和中国不同研究所的研究人员采用了不同的方法，创造了类似乐高的芯片，允许各种神经形态传感器和处理器通过芯片间光通信连接起来（图 1 ）。在这种 3D 集成技术中，各个芯片是可更换和可堆叠的，光电二极管/发光二极管 (LED) 阵列嵌入在各个独立的芯片层中，以提供相邻层之间的光通信。此外，忆阻交叉阵列可以植入
超声波引线键合异常值分类算法
楔形键合机使用超声波能量将金属线键合到金属基板上，整个过程仅需几毫秒。在大批量生产中，故障会导致停机和成本增加。在线监控系统用于减少故障并确定根本原因。我们开发并测试了一种算法来对超声波线键合生产中的异常值进行分类。该算法用于大型线楔形键合机，以测量和分析过程信号并检测和分类键合异常值。它可以帮助键合机操作员、生产主管和工艺工程师检测工艺偏差并解决潜在的根本原因。该算法测量键合信号，例如变形、超声波电流和超声波频率。根据键合顺序和工艺参数，键合会自动分为子组，然后对子组内的信号进行归一化。对于异常值分类，从归一化信号中提取特征并将其组合成故障类别值。污染、无线、高变形、线错位和基板不稳定等故障类别是独立计算的。我们测量了大型铝线键合故障类别的检测率，并演示了该算法如何根据信号计算故障类别值。此外，我们还展示了如何定义新的信号特征和故障类别来检测特定于生产或罕见的故障类别。关键词楔形键合机、超声波引线键合、异常值分类、键合故障、检测算法。