摘要:由于效率的快速提高,卤化物钙钛矿材料在光伏区域引起了全世界的关注,从2009年的不到4%到2023年的26.1%,只有纳米杠杆光活性层。同时,这位Nova星在许多其他领域(例如发光,传感器等)都发现了应用。本综述始于物理和化学的基础知识,其卤化物钙钛矿材料的出色性能用于光伏/发光以及准备它们的方法。然后,它描述了太阳能电池和发光设备的基本原理。总结了包括纳米技术在内的策略,以证明这两个领域的卤化物钙钛矿材料的性能和应用:从结构与范围关系到设备中的每个组件如何影响整体性能。此外,这篇评论列出了卤化物钙钛矿材料未来应用的挑战。
中国科学院化学研究所,吉林长春 130022,中国 b 中国科学技术大学,安徽合肥 230026,中国 c 中国科学院大学,北京 100049,中国 d 广东省危险化学品应急检测重点实验室,
和现代建筑建立在更普遍的有机LED(OLEDS)的基础上。[1,3-5]在整个可见频谱中具有电荷平衡和高效率仍然远离最佳的QD,QD通常被用作颜色 - 纯发光下调转换器,用于在背光无机LED中显示。[2,6]虽然对设备档案的研究对于将来的开发至关重要,但许多小组也在探索QD的替代材料,以降低成本,最大程度地减少丰富的问题并限制毒性。[7-9]最初在2012年作为照片伏特的有前途的材料出现,[10]卤化物钙钛矿对于几乎所有光启动器件(例如光电探测器)具有巨大的潜力,例如光电探测器,[11]激光器,[12]和LED。[13–15]卤化物钙钛矿NC对于光发射特别有利,其发射波长可以通过组合和形态在整个可见范围内进行调谐,[16]超高的量子产量(Qys)(Qys),即使接近统一,甚至接近统一,[17-19],[17-19]和合成,通常是actile and facile conigile facile cookile cookile,sable,便宜,易于扩展。[20,21]相比之下,传统QD通常需要Inorranic Core-shell结构,高前体纯度和复杂的,乏味的合成以获得令人印象深刻的光学特性。[22]但是,钙钛矿NC缺乏足够的稳定性
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可重构设备提供了按需编程电子电路的能力。在这项工作中,我们展示了在后制造的钙钛矿 NdNiO 3 设备中按需创建人工神经元、突触和记忆电容器,这些设备可以通过单次电脉冲简单地重新配置为特定用途。钙钛矿镍酸盐的电子特性对氢离子局部分布的敏感性促成了这些结果。利用来自我们的记忆电容器的实验数据,储层计算框架的模拟结果显示出在数字识别和心电图心跳活动分类等任务中的出色性能。使用我们的可重构人工神经元和突触,模拟动态网络在增量学习场景中的表现优于静态网络。按需设计大脑启发计算机构建块的能力为自适应网络开辟了新的方向。C
本文报道了钙钛矿太阳能电池的数值模型,该电池与分布式布拉格反射器对相结合以获得高能量效率。提出的电池的几何形状用三种不同的钙钛矿材料模拟,包括 CH 3 NH 3 PbI 3 、 CH 3 NH 3 PbBr 3 和 CH 3 NH 3 SnI 3 。与无毒钙钛矿材料相比,基于碘化铅和溴化铅的有毒钙钛矿材料似乎更有效。具有最高效率结构执行的模拟光伏参数为开路电压 = 1.409 (V)、短路电流密度 = 24.09 mA/cm 2 、填充因子 = 86.18% 和效率 = 24.38%。此外,对当前研究与不同类型结构进行了比较,令人惊讶的是,我们的新几何形状具有增强的性能参数,这些参数以背反射器对(Si/SiO 2 )为特征。应用的数值方法和所呈现的几何设计努力有利于获得有可能解决效率较低的薄膜太阳能电池问题的结果。
图 3:混合 Pb-Sn 钙钛矿薄膜中缺陷的化学分析。 (ad) 对具有不同 Pb/Sn 混合比的钙钛矿组合物进行的 Sn 3d 5/2 核心能级高分辨率 XPS 光谱。 棕色线是背景,红线与原始数据最吻合。 使用合适的拟合确定薄膜中 Sn 2+ 和 Sn 4+ 的相对丰度 (%)。 (e) 不同 Pb-Sn 混合比 (蓝色) 下 Sn 4+ /Sn 2+ 比率的图,以及从 PDS 测量中获得的 Urbach 能量 (红色)。 (f) 在保持薄膜厚度的同时,具有不同 Pb/Sn 成分的钙钛矿薄膜的积分 PL 计数变化。
摘要:我们应用无偏贝叶斯推理分析方法分析了 CsPbBr 3 钙钛矿量子点的强度间歇性和荧光寿命。我们应用变点分析 (CPA) 和贝叶斯状态聚类算法来确定切换事件的时间以及以统计无偏方式发生切换的状态数,我们已对其进行了基准测试,以适用于高度多状态的发射器。我们得出结论,钙钛矿量子点显示出大量的灰色状态,其中亮度一般与衰减率成反比,证实了多个复合中心模型。我们利用 CPA 分区分析来检查老化和记忆效应。我们发现,量子点在跳转到暗状态之前往往会返回到亮状态,并且在选择暗状态时,它们往往会探索可用的整个状态集。■ 简介
将氧化成SN IV物种,通过电子陷阱的不良形成和材料的P掺杂导致性能大幅下降。[6]先前的研究报道了这种氧化的许多起源,例如溶剂[7,8]处理条件[9],甚至是通过在锡贫乏环境中占比例的。[10]停止这种氧化是实现高效且稳定的锡卤化物PSC的要求之一。因此,已经进行了几项试验,以应对SN II的氧化。这些包括使用新的溶剂系统来避免二甲基硫氧化物(DMSO)氧化[11],[11]使用还原剂消除SN IV的含量,例如金属sn粉[12]或下磷酸[13]或介入添加剂来减轻诸如Snn IV的形成,snf snf,snf,snf snf snf snf snf。[6,14]
图 S4 . MAPbI 3 和处理过的 MAPbI 3 的 X 射线图。a) 10-35 o 范围内的 X 射线光谱仪。b) 和 c) 分别报告了 14.1 o 处 (110) 峰的缩放图和 MAPbI 3 和处理过的 MAPbI 3 的高斯拟合曲线。根据谢乐方程:d=(0.89*λ)/(FWHM*cosθ),其中 λ 是 X 射线的波长,FWHM 是衍射峰的半峰全高,θ 是衍射角。通过高斯拟合评估的14.1 o 处的峰(110)的半峰全宽分别为后处理前后的钙钛矿的0.170±0.002和0.165±0.001,从而计算出的晶体尺寸分别为82.1±0.2nm和86.1±0.1nm。