摘要:由于效率的快速提高,卤化物钙钛矿材料在光伏区域引起了全球关注,从2009年的不到4%到2023年的26.1%,只有纳米杠杆光活性层。同时,这位Nova星在许多其他领域(例如发光,传感器等)都发现了应用。本综述始于物理和化学的基础知识,其卤化物钙钛矿材料的出色性能用于光伏/发光以及准备它们的方法。然后,它描述了太阳能电池和发光设备的基本原理。总结了包括纳米技术的策略,以改善这两个领域的卤化物钙钛矿材料的性能和应用:从结构 - 财产关系到设备中的每个组件如何影响整体性能。此外,这篇评论列出了卤化物钙钛矿材料未来应用的挑战。
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为了降低欧姆损耗,电解质支持的固体氧化物燃料/电解池需要在高工作温度(> 800 °C)下工作,这是限制其商业化的主要因素之一。[1–3] 为了将工作温度降低到更具成本效益的范围(< 500 °C),人们进行了大量研究,以开发具有更高低温离子电导率的电解质。[4,5] 在这方面,掺杂钙钛矿体系(即 A 1–xA′xB1–yB′yO3–δ,其中 A′ 和 B′ 是异价掺杂剂)已成为氧离子导体的有希望的候选材料。例如,锶和镁共掺杂的LaGaO3由于其具有竞争力的离子电导率(600°C时> 0.01 S cm-1)和化学稳定性,被认为是氧化钇稳定氧化锆的极佳替代品。[6–8]但是,尽管具有这些诱人的特性,但很少有高性能替代品被发现[9,10],而且还没有系统地设计这类材料的方法。
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摘要:铅卤化物钙钛矿材料和光学谐振器之间的强耦合使这些新兴半导体的光物理特性既可以控制,又可以观察基本物理现象。然而,实现光学定义明确的激子跃迁的光学质量钙钛矿量子点(PQD)膜的困难阻止了这些材料中强光耦合的研究,这是光电领域的核心。在本文中,我们证明了在金属谐振器中多腔激素极化子的室温下形成,它们嵌入了高度透明的邻苯二颗元素量子点(CSPBBR 3 -QD)固体,这通过对系统的吸收和发射特性的重新配置来揭示。我们的结果表明,在CSPBBR 3 -QD光腔中,似乎不存在或补偿Biexciton相互作用或大型极性形成(通常被调用以解释PQD的特性)的影响。我们观察到,强耦合可以显着降低光发射线宽度,以及光吸收的超快调制,可通过激发通量来控制。我们发现,北极星与深色态储层的相互作用在确定杂交光量子点固体系统的发射动力和瞬时吸收特性方面起着决定性的作用。我们的结果应作为将来对PQD固体作为极化材料进行研究的基础。关键字:量子点固体,钙钛矿,强烈的激子 - 光子耦合,偏振子,光学微腔
2024(国际电子博览会)还展出了11英寸平板电脑和32英寸电视,这带来了更好的反应,具有更好的色彩,更高的亮度,较高的亮度,较低的功耗和AR/VR。这种表现已经被商业化,现有的自我发射OLED
脉冲激光沉积(PLD)是一种具有复杂化学计量的薄膜,在成功制造高温超级导管(HTS)以薄膜形式的高温制造后,它引起了很大的研究注意。[1]从那时起,PLD主要用于与晶格匹配底物上多元化合物氧化物外延生长有关的应用,但尚未在光伏(PV)社区中进行探索。尽管在2000年代初通过PLD制造了高度导电的TCO,并通过PLD制造,并在OLEDS [2,3]中成功实现,但关于PV设备中PLD生长的触点的应用仍然很少。文献报道包括用于CIGS [4]的掺杂的ZnO膜和有机的太阳能电池和金属氧化物传输层用于卤化物钙钛矿太阳能电池。[6]此外,已经提出了PLD用于硫化葡萄糖剂吸收剂[7,8],最近,对于卤化物钙钛矿吸收剂层。[9,10]
为了对溶液中的卤化物钙钛矿加工产生详细的理解,在Mapbi 3对Mapbi 3的自旋涂层和插槽-DIE涂层中进行了不同的蒸发速率,以不同的蒸发速率进行了研究。基于光学参数的时间演变,发现两种处理方法最初都形成了溶剂 - 复合结构,然后是钙钛矿结晶。后者分为两个阶段进行自旋涂层,而对于插槽涂层,仅发生一个钙钛矿结晶阶段。对于两种处理方法,发现随着蒸发速率的增加,溶剂复合物结构的结晶动力学和钙钛矿结晶在相对时间尺度上保持恒定,而第二次钙钛矿结晶的持续时间在自旋涂层中增加。第二个钙钛矿结晶由于溶剂 - 复合相形态的差异而受到限制,钙钛矿形成了。工作强调了确切的前体状态特性对钙钛矿形成的重要性。进一步证明,多模式光学原位光谱的详细分析允许对卤化物钙钛矿溶液处理过程中发生的结晶过程进行基本了解,而与特定的处理方法无关。