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在本报告中,使用拉曼光谱和电热设备建模研究了氢(H)末期钻石场效应晶体管(FET)的热性能。首先,通过使用纳米粒子辅助的拉曼温度计测量传输线测量结构的温度上升来确定活性钻石通道的热导率(J Diamond)。使用这种方法,J钻石估计为1860 W/m k,95%的置信间隔范围从1610到2120 w/m k。与测量的电输出特性相结合,该J用作H-末端钻石Fet的电动机模型的输入参数。模拟的热响应与使用纳米粒子辅助的拉曼热度法获得的表面温度调查显示出良好的一致性。这些基于钻石的结构在从活跃的装置通道中耗散热量的设备热电阻低至1 mm k/w时会高度有效。使用校准的电热器件模型,钻石FET能够以40 W/mm的高功率密度运行,模拟温度升高为33K。最后,将这些钻石FET的热电阻与基于侧面晶体管结构的热电阻与基于侧面晶体管结构与基于其他Ultrawide Bandgap材料(Al 0.70 GA 0.70 GA的0.70 GA 30 N,B -GA -GA -GA -GA -GA -GA -b -ga 2 o 3)和宽3)和gan and and and by 3 and and and and thef。这些结果表明,基于钻石的横向晶体管的热电阻可能比基于GAN的设备低10,比其他UWBG设备低50。
钻石的使用不仅限于珠宝。它被称为从重工业到半导体和其他前沿行业的各种技术的基本材料。Sumitomo Electric Industries,Ltd。在1970年代开始研究合成单晶钻石(Sumicrystal),并成功地成为了世界上第一个大规模生产钻石(照片1)。sumicrystal具有高硬度和高热电导率。此外,与天然钻石相比,我们的技术可以将晶体缺陷和错位降低到极低的水平。由于这些出色的特性,Sumicrystal已用于广泛的应用中,例如研磨轮,梳妆台,绘画模具,切割工具(1),钻头,末端磨坊,抛弃插入物和散布器。此外,Sumitomo Electric在1995年成功开发了无色的高纯度钻石。它已被用作各种光学组件和耐压窗户的材料。近年来,钻石中的NV-中心一直是超高灵感传感器的关注焦点
为什么色彩中心对拉克兰的研究很重要?值得注意的是,只有钻石的颜色中心与/吸收/发射可见光子 - 构成所有光线的电磁能捆。这些中心周围的纯钻石晶体对可见光是透明的,并且在量子物理学实验方面基本上是无用的。“一个彩色中心可以发出可检测到的光量,因此我们可以一次与一个颜色的灯光'交谈。” Lachlan说。“但是,您可以将光线聚焦的小小限制,因此即使使用最佳镜头,光学“检测点”中也有成千上万的原子。要能够与一个颜色中心交谈,我们需要知道,钻石中颜色中心之间的典型距离远远超过了重点尺寸。”
我们提出了一种用于原子力显微镜(AFM)的单晶钻石扫描探针的新型制造方法,利用了法拉第笼式角度蚀刻(FCAE)。常见的,基于氧气的,电感耦合的血浆(ICP)钻石的干蚀刻过程相对于可实现的几何形状受到限制。因此,独立微型和纳米结构的制造是具有挑战性的。这是几个应用领域的主要缺点,例如,用于实现基于氮空位(NV)中心的扫描磁力测定探针,并且能够测量纳米级的磁场。与既定的机械钻石设备的既定制造技术相比,将平面设计与FCAE和最先进的电子束光刻(EBL)相比,过程复杂性和成本降低。在这里,我们报告了两种方法的直接比较,并在扫描探针应用程序中目前的第一个概念验证平面-FCAE-PROTOTYPES。
钻石填充底部填充材料:SMT 158D8(纽约州奥尔巴尼)2021 年 1 月 18 日 YINCAE 很高兴地宣布,我们开发了 SMT 158D8,这是一种毛细管状、流动速度快的高导热底部填充材料,也是一种易于返工的液体环氧树脂。SMT 158D8 是世界上第一个(也是唯一一个)商用钻石填充底部填充材料。SMT 158D8 的导热系数为 >6 W/mK,可轻松流入小间隙,不会发生相分离,具有高耐盐湿性和出色的附着力。此外,与使用焊膏相比,SMT 158D8 跌落测试的性能提高了两个数量级。SMT 158D8 的亮点是它能够将 CPU (POP) 温度降低 10°C。该材料可用作倒装芯片、芯片级封装、球栅阵列器件、封装上封装和焊盘栅格阵列应用的底部填充材料。它还适用于各种先进封装中的裸芯片保护,例如存储卡、芯片载体、混合电路和多芯片模块。它专为高产量和以工艺速度和散热为主要考虑因素的环境而设计。如需了解有关 YINCAE 的 SMT 158D8 底部填充材料的更多信息,或要了解有关 YINCAE 产品系列的更多信息,请发送电子邮件至:info@yincae.com。您也可以访问我们的网站:www.yincae.com 了解更多信息
分子和冷凝系统中的电子旋转是量子信息的存储和过程的重要资源1。在过去的几十年中,在宽带间隙半导体和绝缘子中进行了几种自旋缺陷,在钻石2,碳化硅3,4和硝酸铝5,6中进行了广泛研究。自旋缺陷的原型示例是钻石7-12中的负氮氮 - 脱牙中心(NV)中心。NV中心在室温13处表现出具有长旋连贯性时间的自旋三个基态。电子自旋的不同自旋状态可用于编码量子信息,并且自旋状态之间的过渡可以由微波炉驱动。迄今为止,自旋缺陷发现在典型科学和尖端量子技术中都有许多应用。例如,已使用自旋缺陷来证明量子力学的基础原理,例如浆果期14