- 在5至300 K的范围内研究了它们,并在室温下观察到铁磁相。P3HT中磁矩的起源及其铁磁相互作用与在氧化/还原过程中聚合物链中的极性形成有关。关键字:导电聚合物,铁磁性,poly(3-己基滋养)(P3HT)。在5至300 K的温度范围内研究了摘要的聚集(3-己基噻吩)(P3HT)磁力特性,并在环境处发现了铁电磁相。P3HT中磁矩的起源及其铁磁相互作用与聚合物链中极性链氧化/还原过程中极性子的形成有关。关键字:导电聚合物,铁磁剂,poly(3-己基噻吩)。
摘要:HfO 2 中铁电性的发现引起了人们对其在存储器和逻辑中的应用的极大兴趣,因为它具有 CMOS 兼容性和可扩展性。使用铁电 HfO 2 的器件正在被研究;例如,铁电场效应晶体管 (FEFET) 是下一代存储器技术的主要候选者之一,因为它具有面积小、能效高和运行速度快等优点。在 FEFET 中,铁电层沉积在 Si 上,界面处不可避免地会形成厚度约为 1 nm 的 SiO 2 层。该界面层 (IL) 增加了切换极化和写入存储器所需的栅极电压,从而增加了操作 FEFET 所需的能量,并使该技术与逻辑电路不兼容。本研究结果表明,铁电 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基金属氧化物半导体 (MOS) 结构中的 Pt/Ti/薄 TiN 栅极电极可以远程清除 IL 中的氧气,将其减薄至约 0.5 纳米。IL 的减少显著降低了铁电极化切换电压,同时剩余极化强度增加约 2 倍,极化切换突变度增加约 3 倍,这与密度泛函理论 (DFT) 计算结果一致,该计算模拟了 IL 层在栅极堆栈静电中的作用。剩余极化强度和极化切换突变度的大幅增加与清除过程中的氧扩散相一致,氧扩散减少了 HZO 层中的氧空位,从而使部分 HZO 晶粒的极化脱钉扎。关键词:铁电性、远程清除、夹层、EOT 减少、极化■ 介绍
摘要:HfO 2 中铁电性的发现引起了人们对其在存储器和逻辑中的应用的极大兴趣,因为它具有 CMOS 兼容性和可扩展性。使用铁电 HfO 2 的器件正在被研究;例如,铁电场效应晶体管 (FEFET) 是下一代存储器技术的主要候选者之一,因为它具有面积小、能效高和运行速度快等优点。在 FEFET 中,铁电层沉积在 Si 上,界面处不可避免地会形成厚度约为 1 nm 的 SiO 2 层。该界面层 (IL) 增加了切换极化和写入存储器所需的栅极电压,从而增加了操作 FEFET 所需的能量,并使该技术与逻辑电路不兼容。本研究结果表明,铁电 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基金属氧化物半导体 (MOS) 结构中的 Pt/Ti/薄 TiN 栅极电极可以远程清除 IL 中的氧气,将其减薄至约 0.5 纳米。IL 的减少显著降低了铁电极化切换电压,同时剩余极化强度增加约 2 倍,极化切换突变度增加约 3 倍,这与密度泛函理论 (DFT) 计算结果一致,该计算模拟了 IL 层在栅极堆栈静电中的作用。剩余极化强度和极化切换突变度的大幅增加与清除过程中的氧扩散相一致,氧扩散减少了 HZO 层中的氧空位,从而使部分 HZO 晶粒的极化脱钉扎。关键词:铁电性、远程清除、夹层、EOT 减少、极化■ 介绍
2024年10月16日 — (3)国防部健康官、国防政策局局长、国防采购、技术和后勤局局长(以下简称“部指定”)......规格:圆柱型、圆头圆柱型、子弹型、锥形。一套5个球形,柄直径3毫米......
摘要:铁磁性和超导性(FMS)的共存一直是冷凝物质物理学的迷人领域,可洞悉非常规超导配对,自旋三重相互作用以及拓扑保护的表面状态。本文综述了FMS研究中最新的理论和实验进步,重点是隧道光谱,自旋轨道耦合以及拓扑材料的作用。我们讨论了自旋极性电流,超导间隙和铁磁顺序之间的相互作用,以及在包括拓扑绝缘子和石墨烯在内的新型材料中识别和操纵这些现象的挑战。特定的重点是使用隧道光谱作为探测对称性的工具,以及外部磁场和自旋轨道耦合对这些系统的影响。