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全球半导体趋势和欧盟芯片的未来......
欧洲芯片计划以研究为重点：芯片联合行动是“地平线欧洲”和“数字欧洲”计划下关键数字技术联合行动的战略性重新定位，它将从欧盟、成员国、伙伴国家和私营部门筹集 110 亿欧元，用于加强现有的研究、开发和创新。供应安全，针对企业：《芯片法案》将提供一个框架，通过吸引对先进生产能力和相关创新的投资来提高供应安全。20 亿欧元的芯片基金将为初创企业提供融资渠道，以推动创新并吸引投资者。通过 InvestEU 下的半导体股权投资混合设施将吸引更多资本，以支持中小企业扩大规模和拓展市场。此外，各项规定还支持首创的设施，这些设施被归类为“开放式欧盟铸造厂”，主要为其他工业参与者设计和生产半导体元件，以及“综合生产设施”，为欧洲市场设计和生产元件。支持的形式包括快速通道许可、优先使用试验线以及在成员国提供公共支持时相对宽松的国家援助规则。此外，还将有 300 亿欧元的公共和私人投资。监测和危机应对，以协调为目标：成员国和委员会之间的协调机制将监测半导体的供应和价值链，估计需求和短缺，收集公司情报并确定关键弱点和瓶颈。它将为共同的危机评估提供信息，并协调从新的应急工具箱中采取的行动。
塔半导体释放300mm 65nm 3.3V基于BCD电源管理平台
塔半导体有限公司（NASDAQ/TASE：TSEM）是高价值模拟半导体解决方案的领先铸造厂，为消费者，工业，自动化，移动，移动，基础架构，医疗，医疗和空间和诸如消费者，工业，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，开发和Proce SS平台。Tower Semiconductor focuses on creating a positive and sustainable impact on the world through long-term partnerships and its advanced and innovative analog technology offering, comprised of a broad range of customizable process platforms such as SiGe, BiCMOS, mixed- signal/CMOS, RF CMOS, CMOS image sensor, non-imaging sensors, displays, integrated power management (BCD and 700V), photonics, and mems。Tower半导体还为IDM和Fabless公司提供了快速准确的设计周期以及包括开发，转移和优化在内的流程转移服务，包括开发，转移和优化，以提供世界一流的设计支持。为了为客户提供多枪的采购和延长的容量，塔半导体在以色列拥有两家设施（150mm和200mm），两家在美国（200mm），在日本（200mm）（200mm和300mm）拥有，它通过其在TPSCO中的51％持有量拥有51％的股份，可及时与Agrate一起使用，以及一定型号，以及一定的ITMM，以及一家人，以及一家300毫米，以及一家300毫米，以及一家300毫米，以及一家人，以及一家人，以及一家300毫米的股票墨西哥工厂。有关更多信息，请访问：www.towersemi.com。
公司资料概述
一家私人公司，Midmark能够反复重塑100多年。以前是Cummings Machine Company，Midmark成立于1915年，生产的水泥搅拌机，然后是采矿机车，铸造厂设备和定制金属制造。自1960年代进入医疗保健市场以来，我们不仅建立了质量和市场领先的产品，这些产品满足客户的需求，以提高患者的护理，而且还维持了以诚信和信任为基础的客户关系。Midmark专注于帮助护理人员和护理团队使用更好的设备，更智能的工作流程和集成技术提供最佳的患者护理。对于医疗市场，我们提供了独特的临床工作流解决方案，中标实时定位系统技术，医疗设备，诊断设备和设计帮助，从而提高了卫生系统效率。中标在过去二十年中进入了牙科和动物健康市场，并继续增长并将新产品和技术纳入我们当前的投资组合。我们使用对牙科护理环境的深入了解不仅可以帮助我们的客户设计满足他们需求的空间，还可以提供提供最佳患者护理并创建无缝，高效的工作流程的产品。在动物健康市场中，我们提供的解决方案可为动物医疗保健的全部护理连续（从登机和遏制到预防和程序护理）提供全部护理。我们为客户提供了高质量和创新设备，技术，临床培训和服务的单一来源。我们的未来
高效的纤维到Si波导自由形式耦合器，用于铸造级硅光子学
作为从研究到商业部署的硅光子学的过渡，有效地将光线融入高度紧凑和功能性的亚微米硅波导的包装解决方案必须是必要的，但仍然具有挑战性。有助于实现大规模集成的220 nm硅在绝缘子（SOI）平台是铸造厂采用最广泛的集成，从而实现了既定的制造工艺和广泛的光子组合库。因此，该平台的高效，可扩展和宽带耦合方案的开发至关重要。利用两光子聚合（TPP）和基于Fermat原理的确定性自由形式的微观启示设计方法，这项工作表明了标准的SMF-28单模式纤维和硅Wave在220 nmSOI SOI平台上的标准SMF-28单模式纤维和硅波波之间的超高效和宽带3-D耦合器界面。耦合器在基本TE模式下达到了0.8 dB的低耦合损失，而1 dB的带宽超过180 nm。宽带操作可实现从通信到光谱的各种带宽驱动的应用。此外，3-D自由形式耦合器还可以极大地容忍纤维未对准和制造可变性，从而使包装要求放松，以降低成本降低资本利用标准的电子包装过程流量。©2024中国激光出版社
2023 年 2 月 16 日 CESAM-RD-N 公告编号 SAM...
2023 年 2 月 16 日 CESAM-RD-N 公告编号 SAM-2023-00100-AMR 联合公告 美国陆军工程兵团 密西西比州环境质量部 污染控制办公室 提议将填料排放到 21.07 英亩湿地和 5,611 线性英尺的溪流中，与在密西西比州朗兹县哥伦布建造铝厂有关 敬启者： 本区已根据《清洁水法》第 404 条收到陆军部 (DA) 许可申请。请将此信息传达给相关方。申请人：Steel Dynamics, Inc. 收件人：Glen A. Pushis 先生 7575 West Jefferson Boulevard Fort Wayne, Indiana 46804 代理人：Headwaters, Inc. 收件人：Cullen D. Dendy 先生 PO Box 3658 Tupelo, Mississippi, 38803 地点：该项目位于密西西比州朗兹县哥伦布市金三角地区机场以西、Artesia 路以北的湿地和 Gilmer Creek 未命名支流中，纬度 33.436445，经度 -88.607878。工作描述：申请人提议填埋 21.07 英亩湿地、2,895 英尺（ft）常年溪流、2,025 英尺间歇溪流、418 英尺短时溪流和 273 英尺沟渠，以建造铝扁轧厂及其附属设施。该工厂将包括成品/装运大楼、冷轧厂、工艺大楼、仓库、热轧厂、铸造厂、露天储存区、蓄水池、堆放和储存区、预热区、卡车秤和停车区。目的：该项目的目的是为汽车和饮料包装行业提供再生铝产品。
学员领导力学院 - “交付...
学员领导力学院（Cadet Leadership Academy）加强了大学的任务，成为高级军事学院 - 军队的高级军事学院和佐治亚州军事学院。学员领导力学院（CLA）加强了学员计划相关实体之间的沟通和协作，并更好地实现了学员领导力计划的目的：为全国善，公共或其他军事服务和公民组织的全国善以及美国善以及他们所服务的国家和社区的总体，公共或私人实体，其他军事服务以及公民组织培养性格领导者。超过150年，在和平时期和冲突时期，成千上万的前学员在我们的国家中担任军官，许多人付出了最终的牺牲。许多其他毕业生从学员团的世界一流领导力发展中受益，以在美国社会和全球范围内开展其他职业生涯。我们的大学为这种遗产感到非常自豪。现在，美国比以往任何时候都更加呼吁我们做更多的事情并为更多服务。随着美国社会的动态变化和发展世界地理环境的发展，美国需要领导者 - 角色领导者，他们将确保我们的国家和社区将来蓬勃发展：以军队价值观为基础的领导人 - 卑鄙的，责任，尊重，无私的服务，荣誉，荣誉，正直，正直和个人勇气。学员座右铭是真理和智慧。这些是我们在我们发展的每个学员中灌输的理想。这个战略计划是提供未来军团的蓝图，这是一种与我们的理想同伴：西点保持一致的战略。我们将交付并被视为领导铸造厂，为美国未来的一些最好的领导者奠定了。
第 106 节咨询方会议 #3 铸造分公司栈桥拆除 2024 年 4 月 22 日会议记录 出席人员（虚拟）：Brian Joyner（NPS
第 106 节咨询方会议 #3 铸造厂分支栈桥拆除 2024 年 4 月 22 日 会议记录 出席人员（虚拟）：Brian Joyner（NPS-ROCR）、Nick Bartolomeo（NPS-ROCR）、Jamie Euken（NPS-ROCR）、Cortney Cain Gjesfjeld（NPS-ROCR）、Jason Theuer（NPS-NCRO）、Autumn Cook（NPS-ROCR）、Sushma Palmer 博士、Mark Blumenthal、Nick Keenan（Palisades 社区协会）、Matthew Flis（国家首都规划委员会）、Erick C、Hunter Johnson（Colony Hill 社区协会）、Mayor Costello（Glen Echo 镇）、William Hassler、Jessica Amos（美国美术委员会、老乔治敦委员会）、Mary Catherine Bogard（美国美术委员会、老乔治敦委员会）、Cory Peterson（乔治敦大学）、Brett Young、Kirsten B. Kulis（NPS-ACHP）、Joe Massaua（乔治城大学）、Mike、Zach Burt（华盛顿特区保护联盟）、Andrew Lewis（华盛顿特区历史保护办公室）、Peter Harnik（拯救有轨电车栈桥联盟）、Mike Fritz、Pamela Thurber Duncan、Jeff Winstel（华盛顿大都会交通局）、Jim Ashe（华盛顿大都会交通局）、Michael Alvino（华盛顿特区交通局）、Louis Arguello（华盛顿特区水务局）、Ed Blanton、Wayne Savage、Lee Webb（国家首都规划委员会）、Brian Romanowsk、Bob Avery（福克斯希尔公民社区协会）、Don Velsey、委员 JP Szymkowicz（ANC3D）、David Cranor、Kent Arlington、Ann Vroom、Christopher Cody、Alan Salas、Elias Benda（哥伦比亚特区议会）、Gordon、Greg OHare、Karen Hutchins-Keim、Mary Stickles
目录
n e w，h i s t o r i c，一个变换包装时代已经与高曼斯·曼斯·曼斯·梅斯·纳格·埃纳·埃里克·埃里斯·c t r o n i c s一起。t h i的转换是由于许多原因，包括从节点到节点的晶体管速度放慢速度，从而导致计算性能放缓，以及芯片大小的增加，以及将晶体管数量增加到500亿以上，其成本增加。晶体管速度的放缓正在推动新的非传统互补金属氧化物半导体（CMOS）设备的发展。但是，对更快的计算速度的需求比晶体管需要更多。包装或互连成为许多应用程序（例如人工智能（AI），云计算，虚拟现实（VR），5G和MM-WAVE通信，物联网（IoT）和自动驾驶汽车）的战略性，增值和差异化。相应地，行业的重点开始从晶体管缩放缩放到片上的系统（SOC），再到系统缩放和集成，再到包装式包装（SOP）。这是一种历史性的转变。第二个历史里程碑与包装或互连开发有关。虽然晶圆的后端（Beol）包装一直低于1µm，但包装铸造厂总是会使d pa ck Age s w it the h it ht h it更大得多 - 尤其是10-20µm。的原因是使用层压板或堆积有机包装技术，使用低温和软有机复合核心，以及在它们的顶部使用聚合物重新分布层（RDL）层以形成高密度互连。这些包裹提供了最大的好处：大型有机
nb_ger_nxp-ipceimect.pdf
nxp®半导体通过联邦经济和气候保护部（BMWK）的赠款加强了德国在德国的欧洲研发计划，这是第二个欧洲第二个欧洲对微电子和通信技术的重要项目的一部分”（IPCEI ME/CT）。最终的投资决定取决于确认公共资金金额。汉堡，慕尼黑和德累斯顿的NXP团队将专注于用于自动驾驶，沟通和量子后加密术的关键技术，以促进其开发和应用。活动包括四个IPCEI ME/CT工作场中的三个：“ Think”，“ Sense”和“ Communicate”。nxp为技术弹性以及欧洲数字和绿色转型的实施做出了重要贡献。通过与大学和领先的技术公司（例如Rohde＆Schwarz and Smartmicro）进行密切合作，NXP可以利用德国和欧洲的广泛专业知识。在此基础上，开发了顶级技术和产品，将进一步增强欧洲的竞争力。“我们对欧盟委员会和BMWK的意图感到非常高兴“我们对关键技术的投资将增强欧洲在微电子方面的技能。下一代微电子学的发展与在未来地区建立长期基础设施和专业知识密切相关。这与NXP的计划合资企业与TSMC的第一家欧洲铸造厂的参与息息相关，并强调了我们对更多创新和欧洲更稳定的供应链的承诺。 ”“ NXP是一家欧洲扎根的公司，拥有强大的德国地点。通过该项目，它对可持续的半导体为对欧洲和德国的更稳定的护理做出了重要贡献。NXP的研发工作扩展了四个IPCEI ME/CT领域中的三个：“ Think”，“ Sense”和“ Communicate”。在“ Think”领域，主要位于慕尼黑，该公司专注于在5纳米中的中央汽车技术开发，该汽车领域的高性能微处理器和
氮化硅弯曲的不对称耦合波导与部分Euler弯曲
光子集成电路（图片）最初是为满足光纤数据传输系统的需求而设计的[1]。近年来，我们目睹了光子整合技术的爆发，并具有不断增长的应用范围。高度活跃的字段包括光传感器[2]，医疗应用[3]，光学频率梳子生成[4]和量子技术[5]仅举几例。综合光子技术的持续进展是由大型生态系统的开发引起的，包括提供开放访问制造服务的铸造厂[6]。硅光子学基于高度成熟的CMOS制造过程，在此scenario中起着重要的作用[6]。尽管传统的绝缘体硅（SOI）技术仍然在CMOS平台中占主导地位，但基于氮化硅波导的图片对于某些应用来说尤其重要[7]。与硅引导结构相比，用氮化硅制造的结构可提供较小的线性和非线性固有传播损失，较低的热光系数以及一个较大的透明度区域，该区域为从可见的中部到中央验收的应用打开了平台。在负面，氮化硅的主要缺点源于其折射率小于硅的折射率。因此，氮化硅波导中的场限制较差，并且弯曲波导切片中的辐射损失变大[8]。这最终限制了集成设备中曲率的最小可接受半径，因此限制了集成规模。可以通过结合次波长的光栅[9]或侧凹槽[10，11]来修改波格的几何形状来减少弯曲整合波导中的辐射损失。尽管如此，这些设计策略需要其他非标准制造步骤。使用匹配的弯曲[12]允许通过将弯曲的总范围调整为前两种模式的节拍长度的倍数，从而减轻恒定曲率部分与直线输入和输出波导之间的过渡处的损失。可以应用于任意长度的弯曲部分的替代方法是通过将相对侧向移动应用于直的和弯曲的波导[13，14]，以最大化不连续性的模式耦合。其他方案基于弯曲波导宽度[15-18]的进行性修改或使用三角学[19]，Spline [10，20，21]，Euler [22-25]，Bezier [16，26]或N -djustable [27]功能。弯曲辐射损失也可以使用不同的算法最小化[28 - 34]。